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歐司朗克服LED芯片的Droop效應(yīng) 提高發(fā)光效率

454398 ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2018-04-24 06:41 ? 次閱讀

日前,LED光電巨頭歐司朗宣布,公司通過(guò)優(yōu)化外延工藝,可以大大減少LED芯片的Droop效應(yīng),使LED的量子效率在電流密度為每平方毫米3安(3A/mm2)的條件下相比以往提高7.5%。從而獲得LED性能上的提升,極大改善了高功率LED的發(fā)光效率。

歐司朗光電克服Droop效應(yīng)大大提升高功率LED效率

據(jù)悉,LED的Droop效應(yīng)是指向芯片輸入較大電力時(shí)LED的光效反而會(huì)降低的現(xiàn)象。Droop效應(yīng)決定了單個(gè)LED所能工作的最大電流,因而要實(shí)現(xiàn)大光通量必須采用多顆LED或多芯片,或者通過(guò)采用增加芯片面積的方式而減少電流密度的方法,這就會(huì)導(dǎo)致高功率LED器件的成本大幅增加。在LED業(yè)界和學(xué)術(shù)界,Droop效應(yīng)一直是大家爭(zhēng)相研究和攻克的技術(shù)難題。

歐司朗表示,目前公司的工程師已經(jīng)克服了這個(gè)難題,實(shí)現(xiàn)了LED器件效率的顯著提高。在實(shí)驗(yàn)室條件下,歐司朗驗(yàn)證了在每平方毫米3安(3A/mm2)的電流密度下,可實(shí)現(xiàn)LEDQFN封裝芯片的典型光通量為740流明,這樣的表現(xiàn)比以往的典型值(6200K,CX0.319,Cy0.323,單芯片版本LDxyz)提高了約7.5%。同時(shí)在每平方毫米0.35安(0.35A/mm2)的低電流密度下,優(yōu)化后的LED仍然有4%的效率提高。

“通過(guò)對(duì)LED外延片的大范圍修訂和完善,我們已經(jīng)能夠大幅減少LED芯片的Droop現(xiàn)象?!表?xiàng)目經(jīng)理AlexanderFrey博士表示,目前公司所有的LED器件都采用了基于UX:3芯片技術(shù)的新工藝。歐司朗光電表示,新工藝也將對(duì)其它大功率LED產(chǎn)品產(chǎn)生積極的影響。目前公司有計(jì)劃將新的技術(shù)成果一步步集成到現(xiàn)有的產(chǎn)品組合當(dāng)中。

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