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基于GaN交錯(cuò)式臨界導(dǎo)通模式圖騰柱功率因數(shù)校正的新型數(shù)字控制策略

eeDesigner ? 2025-04-23 14:14 ? 次閱讀

論文《A Novel Digital Control Strategy for GaN-based Interleaving CrM Totem-pole PFC》提出一種用于基于氮化鎵(GaN)的臨界導(dǎo)通模式(CrM)交錯(cuò)圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)的新型數(shù)字控制策略,以滿足數(shù)據(jù)中心電源的高效率需求。
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*附件:A-Novel-Digital-Control-Strategy-for-GaN-based-Interleaving-CrM-Totem-pole-PFC.pdf

  1. 研究背景人工智能云計(jì)算發(fā)展促使數(shù)據(jù)中心電源需具備高頻、高效和高功率密度特性。GaN基圖騰柱無(wú)橋PFC系統(tǒng)因優(yōu)勢(shì)被廣泛應(yīng)用,CrM圖騰柱PFC因零電壓開(kāi)關(guān)特性受關(guān)注,但單相CrM PFC存在輸入電流紋波大等問(wèn)題,多相交錯(cuò)技術(shù)可改善。交錯(cuò)CrM圖騰柱PFC現(xiàn)有電流控制和電壓控制模式存在不足,如電流控制模式動(dòng)態(tài)響應(yīng)難實(shí)現(xiàn),電壓控制模式電流平衡性能差。
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  2. 雙環(huán)數(shù)字控制策略
    • 數(shù)字電壓 - 電流雙環(huán)控制方法 :提出混合電壓 - 電流控制模式,通過(guò)采樣和濾波獲取相關(guān)電流、電壓信息,利用內(nèi)外雙環(huán)控制和前饋過(guò)程,根據(jù)不同工作模式計(jì)算前饋系數(shù),調(diào)整主開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間,實(shí)現(xiàn)良好功率因數(shù)和低總諧波失真,還能提升動(dòng)態(tài)性能。
    • 新型交錯(cuò)閉環(huán)控制 :針對(duì)多相交錯(cuò)CrM PFC交錯(cuò)控制難題,提出新型閉環(huán)控制方法,通過(guò)捕獲相位信息計(jì)算相位誤差,采用PI補(bǔ)償器調(diào)整,疊加額外前饋系數(shù)微調(diào)從相主開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間,實(shí)現(xiàn)180度左右的相位交錯(cuò)。
    • 全周期ZVS控制策略及補(bǔ)償 :為實(shí)現(xiàn)全周期ZVS,設(shè)計(jì)補(bǔ)償策略。考慮負(fù)電流檢測(cè)延遲,計(jì)算補(bǔ)償負(fù)電流,確保不同輸入電壓下都能實(shí)現(xiàn)ZVS,同時(shí)滿足負(fù)電流小于峰值電感電流的約束,減少電感電流紋波和總諧波失真。
  3. 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證 :搭建3.2kW兩相交錯(cuò)數(shù)字控制CrM圖騰柱PFC原型,采用STM32G474微控制器和Navitas的NV6515 GaN ICs。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該控制策略電流不平衡度小于1%,能動(dòng)態(tài)保持180°相位交錯(cuò),降低負(fù)電感電流失真,動(dòng)態(tài)響應(yīng)快,輸出電壓調(diào)整率低,峰值效率達(dá)99.3%。
  4. 研究結(jié)論 :該新型數(shù)字控制方法相比傳統(tǒng)模式,實(shí)現(xiàn)高精度均流、良好交錯(cuò)性能和快速動(dòng)態(tài)響應(yīng),完成全范圍ZVS和負(fù)電流檢測(cè)延遲補(bǔ)償,實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證其有效性和高性能。
    圖片.png
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    *附件:A-Novel-Digital-Control-Strategy-for-GaN-based-Interleaving-CrM-Totem-pole-PFC.pdf
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