IBC背接觸結(jié)構(gòu)薄膜缺陷分析：多尺度表征技術(shù)（PL/AFM/拉曼）的應(yīng)用

精確無(wú)損測(cè)量薄膜厚度對(duì)光伏太陽(yáng)能電池等電子器件很關(guān)鍵。在高效硅異質(zhì)結(jié)（SHJ）太陽(yáng)能電池中，叉指背接觸（IBC）設(shè)計(jì)可減少光反射和改善光捕獲，但其制備需精確圖案化和控制薄膜厚度。利用光致發(fā)光成像技術(shù)實(shí)現(xiàn)了對(duì)硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池中薄膜厚度的快速檢測(cè)和分析，對(duì)提高太陽(yáng)能電池生產(chǎn)質(zhì)量控制具有重要意義。

研究背景

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硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池（SHJ）：SHJ太陽(yáng)能電池因其高效率而受到關(guān)注，其結(jié)構(gòu)包括在晶體硅（c-Si）襯底上沉積薄的非晶硅（a-Si:H）或微晶硅（μc-Si:H）層以鈍化表面，并作為選擇性接觸層。交錯(cuò)式背接觸（IBC）設(shè)計(jì)：IBC設(shè)計(jì)將電子和空穴收集區(qū)域都放置在電池的背面，以減少光反射并提高光捕獲效率。厚度測(cè)量的重要性：對(duì)于沉積在粗糙襯底上的薄膜，精確的厚度控制和均勻性對(duì)于太陽(yáng)能電池的性能至關(guān)重要。

實(shí)驗(yàn)樣品制備

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使用商業(yè)6英寸Cz n型硅片，經(jīng)過(guò)表面織構(gòu)化和清洗后，用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù)在前后兩側(cè)沉積了本征氫化非晶硅（a-Si:H(i)）層和局部沉積的n型氫化微晶硅（μc-Si:H(n)）層。

PL 成像測(cè)量薄膜厚度

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非晶硅（a-Si:H）條紋：不同光照條件下的PL圖像以及最終重建的厚度圖像微晶硅（μc-Si:H）條紋：不同光照條件下的PL圖像以及最終重建的厚度圖像光致發(fā)光成像技術(shù)：利用了PL成像技術(shù)，通過(guò)比較藍(lán)色（470 nm）和紅色（625 nm）光照下的PL信號(hào)來(lái)計(jì)算薄膜厚度。藍(lán)色光的吸收較強(qiáng)，用于測(cè)量薄膜的吸收；紅色光的吸收較弱，用于提供背景信號(hào)。薄膜厚度計(jì)算公式：通過(guò)PL成像技術(shù)，能夠快速識(shí)別薄膜厚度的局部變化，這對(duì)于太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)質(zhì)量控制非常重要。厚度檢測(cè)能力：PL成像技術(shù)能夠在短時(shí)間內(nèi)（0.4秒內(nèi)）完成薄膜厚度的檢測(cè)，并且檢測(cè)限低于1納米。薄膜厚度的不均勻性：厚度圖像揭示了薄膜在不同位置的厚度變化，顯示出局部不均勻性。特別是硅片的左上角區(qū)域，薄膜厚度明顯較薄。應(yīng)用前景：PL成像技術(shù)不僅適用于實(shí)驗(yàn)室研究，還具有在太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線中作為在線檢測(cè)工具的潛力，有助于提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

拉曼光譜法測(cè)量薄膜厚度和均勻性

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拉曼光譜雙波長(zhǎng)激發(fā)模式原理示意圖

• 藍(lán)光激發(fā)（442nm）模式測(cè)量薄膜厚度

當(dāng)使用 442nm 激發(fā)光時(shí)，其在薄硅膜中的穿透深度約為 28nm，會(huì)部分被硅膜吸收?；诖?，c-Si 晶圓的拉曼信號(hào)會(huì)因上方硅薄膜的吸收而衰減。根據(jù)比爾-朗伯定律，通過(guò)測(cè)量這種吸收程度，可將其重新計(jì)算為沉積硅薄膜的厚度。在實(shí)際測(cè)量中，利用這種原理，通過(guò)檢測(cè) c-Si 晶圓拉曼信號(hào)的衰減程度，就能推算出硅薄膜的厚度。

• 紫外激發(fā)（325nm）模式測(cè)量結(jié)晶度原理

采用325nm激發(fā)光時(shí)，其拉曼穿透深度低于10nm。硅薄膜中，在拉曼信號(hào)約480cm?1處的峰歸因于非晶硅結(jié)構(gòu)，而在520cm?1處的拉曼峰則源于硅薄膜的結(jié)晶部分。通過(guò)分析這兩個(gè)峰的強(qiáng)度、比例等信息，就能判斷硅薄膜的結(jié)晶度情況。(a)a-Si:H鈍化層的厚度分布 (b)μc-Si:H條紋的厚度分布a-Si:H鈍化層厚度分布：通過(guò)拉曼光譜法測(cè)量結(jié)果顯示，a-Si:H鈍化層的厚度在整個(gè)硅片上非常均勻，沒(méi)有顯著的厚度變化。μc-Si:H條紋厚度分布：通過(guò)拉曼光譜法測(cè)量結(jié)果顯示，μc-Si:H條紋的厚度在不同位置存在顯著變化，厚度變化范圍超過(guò)最大測(cè)量厚度的35%。μc-Si:H條紋的沉積過(guò)程存在局部不均勻性，可能影響太陽(yáng)能電池的性能。

拉曼光譜法分析薄膜結(jié)晶性

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微晶硅（μc-Si:H）條紋邊緣的厚度與結(jié)晶性退化分析

• 厚度分布和結(jié)晶性變化：

條紋的厚度在中心區(qū)域較高，隨著接近條紋邊緣，厚度逐漸減小。條紋中心的結(jié)晶性較高，表明該區(qū)域的薄膜具有較高的微晶結(jié)構(gòu)，這對(duì)于形成有效的隧道結(jié)接觸至關(guān)重要。隨著接近條紋邊緣，結(jié)晶性逐漸降低，最終接近零，表明邊緣區(qū)域的薄膜完全是非晶態(tài)的。

• UV拉曼光譜：

條紋中心的光譜顯示較強(qiáng)的520 cm-1峰，表明該區(qū)域具有較高的結(jié)晶性。隨著接近條紋邊緣，520 cm-1峰的強(qiáng)度逐漸減弱，而480 cm-1峰的強(qiáng)度相對(duì)增強(qiáng)，表明結(jié)晶性降低。條紋邊緣的薄膜結(jié)晶性較低，無(wú)法形成有效的隧道結(jié)接觸，因此有效電子接觸區(qū)域減少了約20%。

薄膜沉積不均勻性

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微晶硅（μc-Si:H）條紋邊緣納米尺度沉積缺陷的力學(xué)表征左側(cè)形貌圖顯示了硅片表面的金字塔結(jié)構(gòu)（pyramids），這些結(jié)構(gòu)是硅片表面的紋理，用于提高光吸收效率。在條紋邊緣，可以看到額外的硅層沉積在金字塔的右側(cè)，而左側(cè)則沒(méi)有明顯的沉積。右側(cè)粘附性圖顯示了薄膜在不同位置的粘附力變化，這些變化反映了薄膜的機(jī)械性質(zhì)。圖中用黃色表示粘附力較高的區(qū)域，藍(lán)色表示粘附力較低的區(qū)域。結(jié)果表明，條紋邊緣的薄膜不是連續(xù)的，這可能導(dǎo)致電接觸的不可靠性。通過(guò)創(chuàng)新性地結(jié)合PL成像、拉曼光譜和AFM技術(shù)，我們不僅建立了適用于IBC電池產(chǎn)線的亞秒級(jí)厚度檢測(cè)方案，更深入揭示了制約IBC電池性能的關(guān)鍵因素——掩模沉積導(dǎo)致的薄膜邊緣缺陷，更全面地評(píng)估薄膜的厚度和結(jié)晶性，為太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)提供更有效的在線檢測(cè)工具。

美能晶化率測(cè)試儀

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美能晶化率測(cè)試儀擁有極佳的紫外靈敏度和優(yōu)異的光譜重復(fù)性。采用325激光器，同時(shí)優(yōu)化紫外光路設(shè)計(jì)，提高光譜穩(wěn)定性，高效率利用325激光與樣品拉曼信號(hào)，實(shí)現(xiàn)了5nm以上非晶/微晶材料的原位測(cè)試，是表征"微晶一異質(zhì)結(jié)"電池的最優(yōu)選擇。

• 行業(yè)最佳，紫外靈敏度硅一階峰的信號(hào)計(jì)數(shù)優(yōu)于1000 (1秒積分時(shí)間)
• 光譜重復(fù)性：?jiǎn)尉Ч栊?zhǔn)后，≤520±0.02cm-1
• 光柵刻線數(shù)：≤2400 gr/mm；≤1800 gr/mm

展望未來(lái)，拉曼光譜法將在太陽(yáng)能電池技術(shù)的發(fā)展中繼續(xù)發(fā)揮重要作用。通過(guò)與美能晶化率測(cè)試儀等先進(jìn)設(shè)備的結(jié)合，研究人員可以更高效地優(yōu)化薄膜沉積工藝，進(jìn)一步提升太陽(yáng)能電池的性能和穩(wěn)定性。