終端用戶去美國(guó)化的趨勢(shì)下國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET行業(yè)自立自強(qiáng)的策略分析

在終端用戶半導(dǎo)體全面去美國(guó)化的趨勢(shì)下，國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET行業(yè)需以產(chǎn)品質(zhì)量為核心，突破技術(shù)壁壘、重構(gòu)產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)、強(qiáng)化標(biāo)準(zhǔn)與認(rèn)證體系，并摒棄短視投機(jī)行為，才能在全球競(jìng)爭(zhēng)中實(shí)現(xiàn)自立自強(qiáng)。結(jié)合行業(yè)現(xiàn)狀與未來(lái)方向，具體策略可歸納為以下六大維度：

一、技術(shù)深耕：突破核心工藝與可靠性瓶頸

優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)與工藝

針對(duì)柵氧層易擊穿的行業(yè)痛點(diǎn)，通過(guò)鈍化技術(shù)和缺陷控制提升長(zhǎng)期可靠性，例如BASiC基本的HTGB測(cè)試（+22V/3000小時(shí)）已達(dá)到國(guó)際主流標(biāo)準(zhǔn)，減少高溫高壓下的失效風(fēng)險(xiǎn)。

加速技術(shù)迭代與專利布局

聚焦SiC碳化硅MOSFET第三代技術(shù)如BASiC的B3M系列，縮小與國(guó)際巨頭（英飛凌、安森美）的差距，同時(shí)規(guī)避專利壁壘，建立自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系。

推動(dòng)8英寸晶圓量產(chǎn)，預(yù)計(jì)2027年后成本降低63%，打破國(guó)際廠商對(duì)高良率大尺寸晶圓的壟斷。

二、質(zhì)量為先：建立全生命周期可靠性體系

嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)化與測(cè)試認(rèn)證

推動(dòng)行業(yè)強(qiáng)制標(biāo)準(zhǔn)制定（如HTGB+22V/3000小時(shí)測(cè)試），淘汰虛標(biāo)參數(shù)的低質(zhì)產(chǎn)品如部分企業(yè)僅通過(guò)+19V/1000小時(shí)測(cè)試即宣稱“高可靠性”。

車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證深化：BASiC基本等企業(yè)通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證及PPAP流程，結(jié)合SiC碳化硅MOSFET柵氧可靠性工藝技術(shù)，建立客戶信任。

全鏈條質(zhì)量管控

IDM模式（設(shè)計(jì)-制造-封裝一體化）確保工藝可控性，減少代工依賴導(dǎo)致的質(zhì)量波動(dòng)。例如BASiC基本自建SiC晶圓廠與SiC模塊封測(cè)線，保障車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品一致性。

公開(kāi)對(duì)比測(cè)試數(shù)據(jù)（如HTGB原始數(shù)據(jù)，國(guó)際競(jìng)品的開(kāi)關(guān)損耗、高溫性能對(duì)比），增強(qiáng)市場(chǎng)透明度，扭轉(zhuǎn)“國(guó)產(chǎn)=低質(zhì)”的刻板印象。

三、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同：垂直整合與生態(tài)重構(gòu)

供應(yīng)鏈本土化與成本優(yōu)化

依托天科合達(dá)、天岳先進(jìn)的國(guó)產(chǎn)襯底材料，實(shí)現(xiàn)從外延生長(zhǎng)到封裝的垂直整合，消除對(duì)美日供應(yīng)鏈的依賴。

規(guī)?；慨a(chǎn)6英寸晶圓，結(jié)合靈活定價(jià)策略（如40mΩ/1200V器件的成本較進(jìn)口低20%-30%），加速替代超結(jié)MOSFET和進(jìn)口SiC方案。

應(yīng)用場(chǎng)景深度綁定

聚焦新能源汽車(chē)（主驅(qū)芯片、OBC）、光伏儲(chǔ)能等高增長(zhǎng)領(lǐng)域，與頭部客戶共建參考設(shè)計(jì)，提供驅(qū)動(dòng)芯片、熱仿真等配套服務(wù)，降低客戶遷移門(mén)檻。

模塊化集成（如基本股份Pcore?系列）替代英飛凌SiC模塊，通過(guò)高頻特性減少電感電容體積，優(yōu)化系統(tǒng)級(jí)成本。

四、政策引導(dǎo)與資本理性化

政策紅利與產(chǎn)業(yè)集群建設(shè)

國(guó)家推動(dòng)《碳化硅功率器件測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)》等規(guī)范，優(yōu)先采購(gòu)國(guó)產(chǎn)器件（如2023年《汽車(chē)芯片推薦目錄》中占比達(dá)35%），并通過(guò)“鏈長(zhǎng)制”打造深圳、無(wú)錫等產(chǎn)業(yè)集群。

專項(xiàng)基金支持核心技術(shù)（如銅燒結(jié)封裝工藝），對(duì)虛標(biāo)參數(shù)企業(yè)實(shí)施黑名單制度，倒逼行業(yè)質(zhì)量提。

資本長(zhǎng)期投入與風(fēng)險(xiǎn)規(guī)避

避免盲目擴(kuò)張低端產(chǎn)能（如部分企業(yè)壓縮驗(yàn)證周期至3個(gè)月導(dǎo)致批量失效），引導(dǎo)資本投向襯底缺陷控制、驅(qū)動(dòng)芯片國(guó)產(chǎn)化等“卡脖子”環(huán)節(jié)。

產(chǎn)學(xué)研協(xié)同（如高校聯(lián)合攻關(guān)界面態(tài)控制技術(shù)），形成技術(shù)分層，淘汰低效產(chǎn)能。

五、人才戰(zhàn)略與全球化視野

核心技術(shù)人才自主可控

吸引海外華人科學(xué)家歸國(guó)（如尹志堯模式），減少對(duì)外籍專家的依賴，構(gòu)建本土化研發(fā)梯隊(duì)。

加強(qiáng)專利防火墻建設(shè)，規(guī)避?chē)?guó)際巨頭技術(shù)封鎖風(fēng)險(xiǎn)（如BASiC基本通過(guò)自主研發(fā)規(guī)避英飛凌專利壁壘）。

全球化合作與標(biāo)準(zhǔn)制定

在自主可控基礎(chǔ)上參與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)制定（如JEDEC規(guī)范），避免閉門(mén)造車(chē)。例如BASiC基本的工業(yè)模塊設(shè)計(jì)兼容Press-Fit工藝，適配全球客戶需求。

六、摒棄短視投機(jī)：從“價(jià)格戰(zhàn)”到“價(jià)值戰(zhàn)”

全生命周期成本評(píng)估

引導(dǎo)客戶從“低價(jià)采購(gòu)”轉(zhuǎn)向綜合評(píng)估效率、壽命與運(yùn)維成本。例如SiC模塊通過(guò)降低散熱需求與能耗，全生命周期成本較IGBT低10%-30%。

典型案例：劣質(zhì)器件導(dǎo)致新能源車(chē)企召回事件（損失數(shù)億元），凸顯短期逐利的災(zāi)難性后果。

長(zhǎng)期主義與技術(shù)輸出

頭部企業(yè)如BASiC基本通過(guò)20家車(chē)企的30多個(gè)車(chē)型定點(diǎn)，證明“性能+可靠性”的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，逐步實(shí)現(xiàn)反向技術(shù)輸出如外資車(chē)企采購(gòu)中國(guó)SiC模塊。

結(jié)語(yǔ)

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET行業(yè)需以“技術(shù)突破為矛、質(zhì)量管控為盾、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同為基、政策人才為翼”，在去美國(guó)化浪潮中實(shí)現(xiàn)從“替代進(jìn)口”到“全球引領(lǐng)”的跨越。唯有摒棄參數(shù)虛標(biāo)、低價(jià)內(nèi)卷的短視行為，方能將時(shí)代機(jī)遇轉(zhuǎn)化為持久競(jìng)爭(zhēng)力，成為全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心力量。

審核編輯 黃宇