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CSD18511Q5A 40V、N通道 NexFET? 功率 MOSFET,單 SON 5mm x 6mm,2.3mOhm技術(shù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-04-16 10:45 ? 次閱讀
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這款 40 V、1.9 mΩ、SON 5 × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。
*附件:csd18511q5a.pdf

特性

  • 低 RDS(開啟)
  • 低熱阻
  • 雪崩評(píng)級(jí)
  • 邏輯電平
  • 無(wú)鉛端子電鍍
  • 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
  • 無(wú)鹵素
  • SON 5 mm × 6 mm 塑料封裝

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png

1. 產(chǎn)品特性

  • ?低導(dǎo)通電阻?:RDS(on)在VGS=10V時(shí)為1.9mΩ,有助于減少功率損耗。
  • ?低熱阻?:結(jié)到殼熱阻RθJC為1.2°C/W,有助于散熱。
  • ?雪崩能力?:支持雪崩模式工作,具有較高的耐雪崩能量。
  • ?邏輯電平?:適合邏輯電平驅(qū)動(dòng),簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
  • ?環(huán)保特性?:無(wú)鉛端子鍍層,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵素。

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

  • ?DC-DC轉(zhuǎn)換?:適用于各種DC-DC轉(zhuǎn)換器,提高能量轉(zhuǎn)換效率。
  • ?次級(jí)側(cè)同步整流?:在DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為次級(jí)側(cè)同步整流器使用。
  • ?電池電機(jī)控制?:適用于電池供電的電機(jī)控制應(yīng)用。

3. 產(chǎn)品描述

CSD18511Q5A是一款40V、1.9mΩ的N溝道NexFET?功率MOSFET,采用5mm×6mm的SON塑料封裝。該器件專為最小化功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗而設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻、低熱阻和雪崩能力等特性。

4. 規(guī)格參數(shù)

4.1 電氣特性

  • ?漏源電壓?:VDS最大值為40V。
  • ?柵源閾值電壓?:VGS(th)的典型值為1.8V。
  • ?漏源導(dǎo)通電阻?:RDS(on)在VGS=4.5V時(shí)為2.7mΩ,在VGS=10V時(shí)為1.9mΩ。
  • ?柵極電荷?:Qg(總柵極電荷)在VGS=10V時(shí)為63nC。

4.2 熱信息

  • ?結(jié)到殼熱阻?:RθJC為1.2°C/W。
  • ?結(jié)到環(huán)境熱阻?:RθJA為50°C/W(在1英寸2、2盎司的銅墊上)。

5. 典型MOSFET特性

image.png

  • ?瞬態(tài)熱阻抗?:展示了器件在脈沖條件下的熱阻抗特性。
  • ?飽和特性?:展示了在不同柵源電壓下的漏源電流與漏源電壓關(guān)系。
  • ?轉(zhuǎn)移特性?:展示了柵源電壓與漏極電流的關(guān)系。
  • ?柵極電荷?:展示了柵極電荷與柵源電壓的關(guān)系。
  • ?電容特性?:展示了輸入電容、輸出電容和反向傳輸電容與柵源電壓的關(guān)系。

6. 設(shè)備與文檔支持

  • ?文檔更新通知?:用戶可以通過(guò)TI官網(wǎng)的產(chǎn)品文件夾接收文檔更新通知。
  • ?社區(qū)資源?:提供了TI E2E?在線社區(qū)的鏈接,供工程師交流問(wèn)題和解決方案。
  • ?靜電放電警示?:提醒用戶注意靜電放電保護(hù),以防損壞MOS柵極。

7. 包裝與訂購(gòu)信息

  • ?封裝類型?:5mm×6mm的SON塑料封裝。
  • ?訂購(gòu)信息?:提供了器件的訂購(gòu)編號(hào)、封裝類型、引腳數(shù)、包裝數(shù)量等信息。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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