CSD88584Q5DC 40V、N 通道同步降壓 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)

CSD88584Q5DC 40V 電源塊是針對(duì)大電流電機(jī)控制應(yīng)用（如手持式、無(wú)繩花園和電動(dòng)工具）的優(yōu)化設(shè)計(jì)。該器件采用 TI 的專(zhuān)利堆疊芯片技術(shù)，以最大限度地減少寄生電感，同時(shí)在節(jié)省空間的熱增強(qiáng)型 DualCool 5mm? × 6mm 封裝中提供完整的半橋。該電源塊器件具有裸露的金屬頂部，允許簡(jiǎn)單的散熱器應(yīng)用通過(guò)封裝頂部將熱量從封裝頂部吸出并遠(yuǎn)離 PCB，從而在許多電機(jī)控制應(yīng)用所需的較高電流下實(shí)現(xiàn)卓越的熱性能。
*附件：csd88584q5dc.pdf

特性

• 半橋電源塊
• 高密度 SON 5mm × 6mm 基底面
• 低 RDS（ON） 可實(shí)現(xiàn)最小的導(dǎo)通損耗
  • 35A 時(shí)為 2.4W PLoss
• DualCool? 散熱增強(qiáng)套件
• 超低電感封裝
• 符合 RoHS 規(guī)范
• 無(wú)鹵素
• 無(wú)鉛端子電鍍

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品特性

• ?半橋功率模塊?：集成了高、低側(cè)MOSFET，形成完整的半橋電路。
• ?高密度封裝?：采用5mm × 6mm的SON封裝，節(jié)省空間。
• ?低導(dǎo)通電阻?：最小化傳導(dǎo)損失，在V_GS = 10V、I_D = 30A時(shí)，R_DS(on)低至0.68 mΩ。
• ?熱性能增強(qiáng)?：DualCool?封裝技術(shù)，頂部暴露金屬，便于散熱。
• ?環(huán)保合規(guī)?：符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素，無(wú)鉛端子鍍層。

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

• ?三相無(wú)刷直流電機(jī)控制?：適用于手持式、無(wú)線(xiàn)園藝工具和電動(dòng)工具等高電流電機(jī)控制應(yīng)用。
• ?電池供電工具?：支持高達(dá)8串鋰電池的應(yīng)用。
• ?其他半橋和全橋拓?fù)?/strong>?：可用于各種需要半橋或全橋電路的場(chǎng)合。

3. 產(chǎn)品描述

CSD88584Q5DC是一款40V半橋功率模塊，專(zhuān)為高電流電機(jī)控制應(yīng)用設(shè)計(jì)。它采用了TI的堆疊芯片技術(shù)，以最小化寄生電感，并提供完整的半橋集成在一個(gè)5mm × 6mm的熱增強(qiáng)DualCool?封裝中。該封裝具有暴露的金屬頂部，便于安裝散熱片，從而在高電流需求下實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的熱性能。

4. 規(guī)格參數(shù)

• ?絕對(duì)最大額定值?：包括輸入電壓、開(kāi)關(guān)電壓、柵極驅(qū)動(dòng)電壓、脈沖電流、功率耗散等。
• ?推薦工作條件?：包括柵極驅(qū)動(dòng)電壓、輸入電源電壓、開(kāi)關(guān)頻率、輸出RMS電機(jī)繞組電流等。
• ?功率塊性能?：提供了在不同條件下的功率損失數(shù)據(jù)。
• ?熱信息?：包括結(jié)到環(huán)境的熱阻（R_θJA）和結(jié)到外殼的熱阻（R_θJC）。
• ?電氣特性?：涵蓋了靜態(tài)特性（如漏源電壓、閾值電壓）、動(dòng)態(tài)特性（如輸入電容、柵極電荷）和二極管特性（如二極管正向電壓）。

5. 應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

• ?無(wú)刷直流電機(jī)梯形控制?：提供了無(wú)刷直流電機(jī)梯形控制的功能框圖和繞組電流波形圖。
• ?功率損失曲線(xiàn)?：給出了在不同條件下的功率損失曲線(xiàn)，幫助設(shè)計(jì)者在選擇和應(yīng)用時(shí)做出決策。
• ?安全操作區(qū)（SOA）曲線(xiàn)?：提供了關(guān)于板溫和結(jié)溫的安全操作邊界。
• ?設(shè)計(jì)示例?：包括如何根據(jù)SOA調(diào)節(jié)電流和溫度以保持安全操作的設(shè)計(jì)示例。

6. 布局指南

• ?電氣性能優(yōu)化?：提供了關(guān)于如何減少電壓振鈴、優(yōu)化電流監(jiān)測(cè)的布局建議。
• ?熱性能優(yōu)化?：討論了如何通過(guò)熱通孔和外部散熱片來(lái)增強(qiáng)熱性能。
• ?布局示例?：給出了頂層和底層布局示例，以及推薦的元件放置和連接方式。

7. 文檔和支持

• ?文檔更新通知?：用戶(hù)可以通過(guò)TI官網(wǎng)注冊(cè)接收文檔更新通知。
• ?支持資源?：提供了TI E2E?支持論壇的鏈接，供工程師獲取快速的設(shè)計(jì)幫助和驗(yàn)證答案。
• ?商標(biāo)信息?：NexFET?和DualCool?是TI的商標(biāo)。