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東芝SSM14N956L MOSFET的亮點解析

東芝半導(dǎo)體 ? 來源:東芝半導(dǎo)體 ? 2025-04-12 11:35 ? 次閱讀

隨著全球?qū)﹄妱踊?a target="_blank">智能化和便攜式設(shè)備需求的不斷增加,鋰離子電池作為主流能源來源,已成為各類消費電子產(chǎn)品和電動工具的核心。在這一發(fā)展過程中,鋰離子電池的保護(hù)電路正面臨著更高的要求。特別是在快充技術(shù)日益成熟的今天,如何實現(xiàn)高效的電池管理,確保電池在高負(fù)載條件下的安全性和穩(wěn)定性,成為設(shè)計者亟待解決的關(guān)鍵問題。

MOSFET作為電池管理系統(tǒng)的重要元件,其性能的提升直接影響到整個系統(tǒng)的功效和穩(wěn)定性。東芝一直致力于為鋰離子電池保護(hù)電路提供高性能的MOSFET解決方案,尤其在降低導(dǎo)通電阻方面,SSM14N956L代表了公司在這一領(lǐng)域的又一重要創(chuàng)新進(jìn)展。

低導(dǎo)通電阻,提升功率效率

SSM14N956L是東芝MOSFET產(chǎn)品系列中的新成員,是一款專為移動設(shè)備鋰離子電池組設(shè)計的低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品,與此前發(fā)布的SSM10N954L和SSM6N951L類似,均采用了微工藝技術(shù),但在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步降低了導(dǎo)通電阻。

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SSM14N956L與SSM10N954L的主要規(guī)格對比

SSM14N956L的源極-漏極通道電阻的典型值為RSS(ON)=1.1 mΩ(@VGS=3.8 V),這一特性使其在高電流條件下能夠顯著降低功率損耗,在鋰電池保護(hù)電路中,低導(dǎo)通電阻能夠最大限度地減少電流通過MOSFET時的電壓降,從而提升整體系統(tǒng)的能效。

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SSM14N956L的RSS(ON)與柵源電壓(VGS)關(guān)系的圖示

在快充應(yīng)用場景中,電流密度較高,對MOSFET的導(dǎo)通電阻要求更加嚴(yán)格。低導(dǎo)通電阻不僅有助于減小熱量產(chǎn)生,還能提高電池的充電效率。這對于提高充電速度、延長電池壽命以及提升設(shè)備安全性至關(guān)重要。

SSM14N956L的其他亮點解析

除低導(dǎo)通電阻外,SSM14N956L還具備低柵源漏電流,即使在較高的柵源電壓下,其漏電流依然保持在非常低的水平,IGSS最大值僅為±1 μA(@VGS=±8 V)。在鋰電池保護(hù)電路中,MOSFET的柵源漏電流對待機(jī)功耗有著直接影響。較低的漏電流意味著在設(shè)備處于待機(jī)模式時,系統(tǒng)能耗更低,從而有效延長電池的使用時間。

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SSM14N956L IGSS與VGS之間的關(guān)系

這一特性對于便攜式設(shè)備尤為重要,尤其是智能手機(jī)、平板電腦等需要長時間待機(jī)的應(yīng)用場景。隨著設(shè)備對低功耗技術(shù)要求的提高,SSM14N956L憑借其低柵源漏電流,為電池管理系統(tǒng)提供了更高效的能量管理方案。

超薄封裝設(shè)計,滿足小型化需求

現(xiàn)代移動設(shè)備不斷追求更小巧、更輕便的設(shè)計,因此電子元件的體積和厚度成為了產(chǎn)品設(shè)計中不可忽視的因素。

SSM14N956L采用的TCSPED-302701封裝,尺寸為2.74 mm×3.0 mm,厚度僅為0.085 mm(典型值)。這一超薄小型化封裝,不僅滿足了空間受限的設(shè)計需求,還能有效降低電路板上的布局復(fù)雜度。此外,這種封裝還支持更高的散熱效率,避免了過熱對系統(tǒng)穩(wěn)定性和電池性能的負(fù)面影響。

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TCSPED-302701封裝和引腳布局

SSM14N956L采用的共漏極結(jié)構(gòu),由于其較低的開關(guān)損耗和簡化的驅(qū)動需求,特別適合用于高效、可靠的電池保護(hù)電路設(shè)計。

應(yīng)用場景

自2023年5月發(fā)布以來,SSM14N956L已經(jīng)在市場中得到廣泛應(yīng)用,并取得了積極的市場反饋。SSM14N956L可廣泛應(yīng)用于家用電器、消費類電子產(chǎn)品以及辦公和個人設(shè)備中,特別是采用鋰離子電池的智能手機(jī)、平板電腦、充電寶、可穿戴設(shè)備、游戲控制器等。

總結(jié)

東芝SSM14N956L MOSFET優(yōu)異的性能和小型化封裝使其成為移動設(shè)備電池保護(hù)電路的理想選擇。未來,東芝將持續(xù)致力于MOSFET技術(shù)的研發(fā)與創(chuàng)新,不斷推出更高性能、更具競爭力的產(chǎn)品,以滿足市場日益增長的需求。

關(guān)于東芝電子元件及存儲裝置株式會社

東芝電子元件及存儲裝置株式會社是先進(jìn)的半導(dǎo)體和存儲解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,公司累積了半個多世紀(jì)的經(jīng)驗和創(chuàng)新,為客戶和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。

東芝電子元件及存儲裝置株式會社十分注重與客戶的密切協(xié)作,旨在促進(jìn)價值共創(chuàng),共同開拓新市場,期待為世界各地的人們建設(shè)更美好的未來并做出貢獻(xiàn)。

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原文標(biāo)題:導(dǎo)通電阻再創(chuàng)新低,東芝新款MOSFET引領(lǐng)鋰電池保護(hù)電路新趨勢

文章出處:【微信號:toshiba_semicon,微信公眾號:東芝半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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