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從焊錫膏到3D堆疊:材料創(chuàng)新如何重塑芯片性能規(guī)則?

北京中科同志科技股份有限公司 ? 2025-04-10 14:36 ? 次閱讀

在摩爾定律逼近物理極限的當下,先進封裝技術正成為半導體行業(yè)突破性能瓶頸的關鍵路徑。以系統(tǒng)級封裝(SiP)、晶圓級封裝(WLP)、3D堆疊、Chiplet異構集成為代表的顛覆性方案,正重新定義芯片性能躍遷的軌跡。隨著AI芯片需求的爆發(fā)式增長及臺積電CoWoS產(chǎn)能限制,先進封裝材料作為產(chǎn)業(yè)鏈核心上游,其性能直接決定封裝密度、可靠性及功能性,成為推動技術持續(xù)進步的基石。本文將深入剖析先進封裝材料的技術演進、市場趨勢及創(chuàng)新突破,揭示材料革命如何引爆先進封裝技術的下一輪增長。

關鍵詞:先進封裝;材料革命;系統(tǒng)級封裝;3D堆疊;Chiplet

一、技術演進:從摩爾定律到“超越摩爾”的范式轉(zhuǎn)移

半導體行業(yè)正經(jīng)歷從“制程主導”到“封裝驅(qū)動”的范式轉(zhuǎn)移。傳統(tǒng)制程工藝在3nm節(jié)點面臨物理極限,晶體管微縮成本呈指數(shù)級增長。相比之下,先進封裝技術通過系統(tǒng)級整合實現(xiàn)性能突破,成為行業(yè)新焦點。

系統(tǒng)級封裝(SiP)通過將多個功能芯片集成于單一封裝體內(nèi),縮短信號傳輸路徑,提升系統(tǒng)效率。晶圓級封裝(WLP)則將封裝工序前移至晶圓階段,實現(xiàn)更高集成度與更小封裝尺寸。3D堆疊技術通過垂直堆疊多個芯片,突破平面制程限制,顯著提升單位面積算力。Chiplet異構集成將大尺寸SoC拆解為獨立功能模塊,通過先進封裝實現(xiàn)模塊化組合,兼顧性能與成本。

這些技術的演進背后,是材料科學的重大突破。以焊錫膏為例,傳統(tǒng)焊錫膏難以滿足細間距貼裝需求,而賀利氏電子推出的Welco AP520水溶性錫膏,采用獨特造粉技術,球形度接近真球形,表面光滑且顆粒度分布集中,在55μm鋼網(wǎng)開孔下展現(xiàn)出優(yōu)異脫模性能,12小時連續(xù)印刷無遺漏或橋連缺陷,成為5G通信、智能穿戴設備等領域的理想選擇。

二、市場趨勢:AI驅(qū)動的爆發(fā)式增長

全球先進封裝市場規(guī)模正以驚人速度擴張。Yole數(shù)據(jù)顯示,2022年市場規(guī)模為443億美元,預計2028年將增至786億美元,年復合增長率達10.6%。這一增長主要受AI芯片需求激增及臺積電CoWoS產(chǎn)能限制的雙重驅(qū)動。

AI訓練和推理對算力與內(nèi)存帶寬的苛刻要求,迫使行業(yè)轉(zhuǎn)向先進封裝技術。例如,三星電子的HBM-HCB技術通過混合銅鍵合(HCB)實現(xiàn)16H堆疊,熱阻較傳統(tǒng)熱壓鍵合(TCB)降低20%,為下一代高帶寬需求奠定基礎。同時,其I-Cube技術采用硅橋加RDL結(jié)構,將生產(chǎn)從晶圓級提升至面板級,效率顯著提升,滿足AI數(shù)據(jù)中心對高帶寬、低延遲的需求。

中國半導體企業(yè)亦加速布局先進封裝領域。長電科技建成融合2.5D、3D、MCM-Chiplet等技術的VISionS先進封裝平臺;通富微電發(fā)力超大尺寸FCBGA研發(fā);云天半導體則聚焦玻璃基產(chǎn)品。然而,與國際先進水平相比,中國在核心單元技術、高密度布線、芯片倒裝等方面仍存在差距,先進封裝所需的關鍵設備和材料配套尚未完善。

三、創(chuàng)新突破:材料革命的核心驅(qū)動力

焊錫膏的納米級演進
隨著凸點間距向30μm以下演進,焊錫膏正朝著納米級、多功能集成方向發(fā)展。賀利氏電子的Welco T6&T7焊錫膏印刷工藝,通過穩(wěn)定印刷體積和超低空洞率,實現(xiàn)高良率和凸塊高度一致性,成本較傳統(tǒng)電鍍工藝降低30%以上。這一技術已通過大規(guī)模量產(chǎn)驗證,為半導體制造企業(yè)提供高效、可靠的高精度晶圓凸點解決方案。

凸點制造技術的革新
凸點作為先進封裝的關鍵組成部分,其尺寸不斷縮小,技術難度升級。三星電子的X-Cube技術實現(xiàn)小于10μm的凸點間距,臺積電3D SoIC技術凸點間距最小可達6μm。未來,混合鍵合(HB)銅對銅連接技術有望實現(xiàn)低于10μm的凸點間距和每毫米10000個的凸點密度,推動帶寬和功耗的雙重提升。

重布線層(RDL)技術的精度突破
RDL技術通過在晶圓表面沉積金屬層和介質(zhì)層,實現(xiàn)芯片I/O端口的重新布局。臺積電已采用2/2μm的RDL線寬/間距,提供多達14個重新分布層;三星在其I-CubeE技術中采用集成硅橋的RDL中介層,降低封裝成本同時實現(xiàn)高性能、高密度互連。

硅通孔(TSV)技術的優(yōu)化
TSV技術通過垂直導通連接芯片與芯片、晶圓與晶圓,顯著縮短互連距離。中國科學院微電子研究所提出的“類橄欖球”狀TSV結(jié)構,有效解決高密度TSV互連中的熱應力問題,創(chuàng)下國際領先技術記錄。

四、應用場景:從HPC到移動AI的全領域滲透

高性能計算(HPC)
HBM、3D邏輯堆疊和I-Cube等技術為HPC和AI提供了突破性解決方案。三星電子的HBM4 16H混合銅鍵合技術,目標進一步提升帶寬和堆疊能力;其3D邏輯堆疊技術基于TCB的25μm間距技術已實現(xiàn)量產(chǎn),I/O密度比傳統(tǒng)MR-CUF高2倍。

移動AI
移動AI對封裝技術提出高性能、低功耗和優(yōu)異散熱的獨特要求。三星電子的扇出型封裝技術自2023年起用于移動AP量產(chǎn),采用芯片后裝和雙面RDL的FOWLP技術,工藝周轉(zhuǎn)時間提高33%,熱阻降低45%,顯著提升散熱能力。

汽車電子
隨著自動駕駛和智能座艙的發(fā)展,汽車電子對芯片算力和可靠性提出更高要求。先進封裝技術通過高密度集成和熱管理優(yōu)化,滿足汽車電子的嚴苛環(huán)境需求。

五、挑戰(zhàn)與機遇:綠色封裝與供應鏈重構

在碳中和、碳達峰的大背景下,綠色封裝成為行業(yè)創(chuàng)新的重要方向。賀利氏電子率先開展環(huán)保實踐,采用水溶性焊錫膏和環(huán)保助焊劑,減少封裝過程中的廢棄物和有害物質(zhì)排放。同時,通過優(yōu)化封裝結(jié)構和材料選擇,提高封裝產(chǎn)品的可回收性和再利用性。

供應鏈重構亦是行業(yè)面臨的重要挑戰(zhàn)。先進封裝所需的關鍵設備和材料配套尚未完善,供應鏈能力有待提升。中國需加強先進封裝技術的研發(fā)和創(chuàng)新,提升核心技術和供應鏈能力,包括加大對先進封裝技術的研發(fā)投入,加強與國際先進企業(yè)的合作與交流,引進和培養(yǎng)高端人才,推動產(chǎn)學研深度融合。

六、未來展望:材料革命引領技術革新

隨著Chiplet、3D封裝技術的普及,錫膏將向納米級、多功能集成方向發(fā)展,成為半導體產(chǎn)業(yè)突破摩爾定律的關鍵使能材料。未來,先進封裝材料將在以下幾個方面持續(xù)演進:

  1. 多功能集成:開發(fā)兼具導電、導熱、電磁屏蔽等多種功能的復合材料,滿足先進封裝對材料性能的多元化需求。
  2. 納米級制造:通過納米壓印、原子層沉積等先進技術,實現(xiàn)材料在納米尺度的精確控制,提升封裝密度和性能。
  3. 綠色環(huán)保:開發(fā)無鉛、無鹵素等環(huán)保材料,減少封裝過程中的環(huán)境污染,推動綠色封裝技術的發(fā)展。
  4. 智能化生產(chǎn):引入智能傳感器、機器視覺機器人等先進技術,實現(xiàn)封裝過程的自動化、智能化和精準化控制,提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

七、結(jié)語

材料革命正成為先進封裝技術的下一個引爆點。從焊錫膏的納米級演進到凸點制造技術的革新,從重布線層精度的突破到硅通孔技術的優(yōu)化,先進封裝材料的技術創(chuàng)新正在推動電子封裝向更高效、更可靠、更小型化的方向發(fā)展。未來,隨著材料科學的不斷進步和先進封裝技術的持續(xù)演進,半導體行業(yè)將迎來新一輪的增長浪潮,為人工智能、高性能計算、5G通信等領域的發(fā)展提供強大支撐。在這場材料革命中,誰掌握了先進封裝材料的核心技術,誰就將在未來的半導體競爭中占據(jù)先機。

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