深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案,主控芯片使用的是氮化鎵
發(fā)表于 05-09 16:46
?207次閱讀
ZS82XGaN系列產(chǎn)品是內(nèi)置專用的電流模式脈寬調(diào)制(PWM)控制器于DMOSGaN.她針對40W以下的高性能。低待機(jī)以及經(jīng)濟(jì)高效的反激式轉(zhuǎn)換器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。提供全面的保護(hù)覆蓋。包括OCP.
發(fā)表于 04-08 15:20
?0次下載
ZS72XGaN系列產(chǎn)品是內(nèi)置專用的電流模式脈寬調(diào)制(PWM)控制器于DMOSGaN.她針對40W以下的高性能。低待機(jī)以及經(jīng)濟(jì)高效的反激式轉(zhuǎn)換器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。提供全面的保護(hù)覆蓋。包括OCP.
發(fā)表于 04-08 13:49
?1次下載
ZS82XGaN系列產(chǎn)品是內(nèi)置專用的電流模式脈寬調(diào)制(PWM)控制器于DMOSGaN.她針對40W以下的高性能。低待機(jī)以及經(jīng)濟(jì)高效的反激式轉(zhuǎn)換器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。提供全面的保護(hù)覆蓋。包括OCP.
發(fā)表于 04-08 13:47
?0次下載
氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
發(fā)表于 03-13 16:33
?1317次閱讀
器件的性能,使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實(shí)現(xiàn)突破,成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢:1.體積更小,功率密度更高材料特性:GaN
發(fā)表于 02-27 07:20
?683次閱讀
器件的性能,使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實(shí)現(xiàn)突破,成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢:1.體積更小,功率密度更高材料特性:GaN
發(fā)表于 02-26 04:26
?401次閱讀
為主,對支持該協(xié)議的設(shè)備均能進(jìn)行快充,包括MacBook(以及其他 C 口筆記本)、iPad Pro、iPhone、Switch 等設(shè)備。在氮化鎵
發(fā)表于 01-15 16:41
快節(jié)奏的時(shí)代,在旅游、辦公等場景下,一款高效、便捷的充電器可以讓我們的生活更便捷、高效。今天就給大家推薦一款倍思氮化鎵充電器——Super GaN伸縮線快
發(fā)表于 01-04 09:41
?477次閱讀
ZS7606X是一款內(nèi)置MOS的高性能同步整流芯片, 適用于隔離型的同步整流應(yīng)用尤其適用于充電器中 對高效率的需求場合。 ZS7605X采用原邊開通判定和副邊斷續(xù)判定技術(shù), 可以有效的避免因激磁振蕩
發(fā)表于 09-25 14:42
?0次下載
如今,以碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導(dǎo)體新材料得到廣泛應(yīng)用,它們具有更高的導(dǎo)熱率和抗輻射能力,以及更大的電子飽和漂移速率等特點(diǎn)。氮化鎵熱穩(wěn)定性好、飽和電流密度高、耐壓能力強(qiáng)大,
發(fā)表于 09-12 11:21
?677次閱讀
目前市場已推出多種快充技術(shù)方案。其中PD方案的出現(xiàn),助力推動(dòng)了快充產(chǎn)品的普及。在快速充電器中,變
發(fā)表于 08-15 18:01
?920次閱讀
恒功率U872XAH系列氮化鎵快充芯片YINLIANBAOU872XAH1恒功率U872XAH系列氮化鎵
發(fā)表于 07-26 08:11
?689次閱讀
支持5VDC/3A 、9VDC/3A 、12VDC/2.5A 、20VDC/1.5A四個(gè)檔位,具有輸出過流保護(hù)、短路保護(hù)、過溫保護(hù)等全面保護(hù)功能。是市面上不可多得的一款超高性價(jià)比30W單C口PD
發(fā)表于 07-09 13:53
氮化鎵快充技術(shù)主要通過將氮化鎵功率器件應(yīng)用于充電器、電源適配器等充電設(shè)備中,以提高充電效率和充電
發(fā)表于 06-26 11:15
?663次閱讀
評論