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ADP3110A 雙自舉,12 V MOSFET 驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-04-09 17:24 ? 次閱讀

ADP3110A 是一款雙高電壓 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器,適用于在一個(gè)非隔離同步降壓功率轉(zhuǎn)換器中驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET 和兩個(gè)開關(guān)。 每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)一個(gè) 3000 pF 負(fù)載,傳播延遲為 25 ns,轉(zhuǎn)換時(shí)間為 30 ns。其中一個(gè)驅(qū)動(dòng)器可以自舉,適用于處理與浮動(dòng)高壓側(cè)門極驅(qū)動(dòng)器相關(guān)聯(lián)的高電壓擺率。 ADP3110A 包括了重疊驅(qū)動(dòng)保護(hù),可防止外部 MOSFET 中的擊穿電流

*附件:ADP3110A-D.PDF

特性

  • 多合一同步降壓轉(zhuǎn)換器
  • 一個(gè) PWM 產(chǎn)生兩個(gè)驅(qū)動(dòng)器
  • 防交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護(hù)電路
  • 自舉高側(cè)驅(qū)動(dòng)器
  • 用于禁用驅(qū)動(dòng)程序輸出的 OD
  • 與 Flex-Mode? 控制器一起使用時(shí)滿足 CPU VR 要求

1. 概述

  • ?產(chǎn)品名稱?:ADP3110A
  • ?類型?:降壓轉(zhuǎn)換器MOSFET驅(qū)動(dòng)器
  • ?封裝?:SO-8(無鉛)和DFN8(無鉛)
  • ?應(yīng)用?:適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲械膬蓚€(gè)N溝道MOSFET的驅(qū)動(dòng)

2. 主要特性

  • ?供電電壓?:主供電電壓(V CC )范圍為4.6V至13.2V
  • ?低側(cè)驅(qū)動(dòng)?:設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)接地參考的低RDS(on) N溝道MOSFET
  • ?高側(cè)驅(qū)動(dòng)?:設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)浮動(dòng)的低RDS(on) N溝道MOSFET,使用內(nèi)部或外部二極管和外部自舉電容實(shí)現(xiàn)
  • ?安全特性?:包括安全定時(shí)器、重疊保護(hù)電路和欠壓鎖定(UVLO)
  • ?傳播延遲?:高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的傳播延遲時(shí)間具體指定
  • ?封裝選項(xiàng)?:提供SO-8和DFN8兩種封裝選項(xiàng)

3. 功能描述

image.png

  • ?高側(cè)驅(qū)動(dòng)?:通過自舉電路實(shí)現(xiàn)高側(cè)MOSFET的驅(qū)動(dòng),自舉電容在SW引腳接地時(shí)通過自舉二極管充電
  • ?低側(cè)驅(qū)動(dòng)?:直接由VCC供電,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)接地參考的MOSFET
  • ?安全定時(shí)器?:防止MOSFET同時(shí)導(dǎo)通,避免射通或交叉導(dǎo)通損壞
  • ?重疊保護(hù)?:監(jiān)測(cè)兩個(gè)MOSFET的柵極電壓和開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓,確保安全關(guān)斷和開啟
  • ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:在VCC電壓低于指定閾值時(shí),禁用驅(qū)動(dòng)器輸出

4. 應(yīng)用信息

  • ?理論操作?:ADP3110A適用于高電流多相降壓調(diào)節(jié)器,可直接將12V電源轉(zhuǎn)換為復(fù)雜邏輯芯片所需的核心電壓
  • ?電源去耦?:建議在電源和地引腳附近放置低ESR電容器,以維持穩(wěn)定的VCC電壓
  • ?自舉電路?:自舉電容和二極管的選擇需根據(jù)高側(cè)MOSFET的柵極電荷和允許的電壓下降來確定

5. 封裝與尺寸

  • ?SO-8封裝?:提供詳細(xì)的封裝尺寸圖和引腳布局
  • ?DFN8封裝?:同樣提供詳細(xì)的封裝尺寸圖和引腳布局,包括無鉛標(biāo)識(shí)和引腳1的參考標(biāo)識(shí)

6. 注意事項(xiàng)

  • ?靜電放電(ESD)保護(hù)?:PWM輸入和輸出禁用引腳具有內(nèi)部ESD保護(hù),但在正常操作中呈現(xiàn)相對(duì)較高的輸入阻抗
  • ?外部組件選擇?:自舉電容必須能夠承受最大供電電壓的兩倍,且應(yīng)選用高質(zhì)量陶瓷電容
  • ?使用條件?:所有電壓均相對(duì)于PGND,除非另有說明;電氣特性在V CC =12V,T A =0°C至+85°C,T J =0°C至+125°C的條件下測(cè)量
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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