國產SiC碳化硅MOSFET廠商絕口不提柵氧可靠性的根本原因是什么

部分國產SiC碳化硅MOSFET廠商避談柵氧可靠性以及TDDB（時間相關介電擊穿）和HTGB（高溫柵偏）報告作假的現象，反映了行業(yè)深層次的技術矛盾、市場機制失衡與監(jiān)管漏洞。以下從根本原因和行業(yè)亂象兩方面展開分析：

一、部分國產SiC碳化硅MOSFET廠商避談柵氧可靠性的根本原因

技術矛盾：電性能與可靠性的權衡
碳化硅MOSFET設計中，柵氧可靠性與電性能參數（如導通電阻Rds(on)、開關損耗Qg）存在物理規(guī)律上的沖突。例如，減薄柵氧厚度可顯著降低導通電阻，但會導致柵極電場強度超過4 MV/cm的安全閾值，加速TDDB失效。部分廠商為在參數競賽中勝出，通過工藝捷徑犧牲可靠性換取短期市場優(yōu)勢。

市場需求與客戶認知偏差
下游客戶（如充電樁、光伏逆變器廠商）更關注顯性參數（如成本、效率）而非隱性質量（如長期可靠性），倒逼上游廠商優(yōu)先優(yōu)化電性能。例如，車載OBC廠商因價格敏感，可能忽視碳化硅器件MOSFET在長期工作后的柵氧可靠性隱患。

驗證能力與認證漏洞
多數客戶缺乏獨立驗證柵氧可靠性的能力（如HTGB需高溫高壓測試2000小時以上），而車規(guī)認證（如AEC-Q101）未強制公開原始數據（如失效時間分布），部分廠商通過“擦邊”測試蒙混過關。

成本競爭與短期利益驅動
部分國產碳化硅MOSFET廠商為搶占市場份額，采用低成本工藝，導致批次間可靠性差異大。例如，部分國產碳化硅MOSFET器件柵氧TDDB壽命僅10?小時（約1.14年）。

二、國產SiC碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的體現與后果

數據造假與報告不透明

選擇性披露：部分國產SiC碳化硅MOSFET廠商僅宣稱“通過認證”，但回避具體測試條件（如HTGB具體的電壓）和原始數據，掩蓋工藝缺陷。

偽造檢測報告：部分檢測機構配合國產SiC碳化硅MOSFET廠商出具虛假報告，如采樣時設備未滿負荷運行，導致數據失真。這類行為在充電樁和車載OBC領域引發(fā)批量故障與召回。

工藝缺陷與質量隱患

柵氧均勻性差：部分國產SiC碳化硅MOSFET廠商因工藝水平不足，導致柵氧缺陷密度高，長期使用易引發(fā)閾值電壓漂移或擊穿。

動態(tài)工況下的加速失效：充電源電源模塊和車載OBC需承受高頻開關和雪崩能量沖擊，部分國產SiC碳化硅MOSFET器件在柵極動態(tài)應力下柵氧壽命遠低于實驗室靜態(tài)測試結果。

市場機制失衡與監(jiān)管缺位

價格倒掛引發(fā)惡性競爭：國產SiC MOSFET價格已低于進口硅基IGBT，但低價策略依賴犧牲可靠性，形成“劣幣驅逐良幣”效應。

認證標準執(zhí)行不嚴：車規(guī)認證缺乏對關鍵數據（如TDDB失效分布）的透明化要求，導致早期設計缺陷未被識別。

長期后果與行業(yè)信任危機
車載等高可靠領域一旦“爆雷”（如OBC批量故障），將嚴重損害品牌聲譽，甚至導致國產SiC碳化硅MOSFET廠商被剔除供應鏈。充電樁行業(yè)已因早期工藝缺陷出現部分國產SiC碳化硅MOSFET批量退貨，車載領域因驗證周期長，國產導入比例較低，問題可能滯后爆發(fā)。

三、破局方向與行業(yè)建議

技術升級：優(yōu)化柵氧工藝，平衡性能與可靠性。

數據透明化：強制公開TDDB/HTGB詳細測試數據，堵住認證漏洞。

產業(yè)鏈協同：推動襯底、外延到封測的全鏈條工藝優(yōu)化，提升良率與一致性。

客戶教育：引導下游企業(yè)評估“全生命周期成本”，而非僅關注初期采購價。

監(jiān)管強化：加大對檢測機構SiC碳化硅MOSFET的TDDB和HTGB測試數據造假的處罰力度，完善行業(yè)標準。

結論

國產SiC MOSFET廠商避談柵氧可靠性的本質，是技術規(guī)律與商業(yè)利益的博弈，而TDDB（時間相關介電擊穿）和HTGB（高溫柵偏）報告作假則是短期利益驅動的惡性結果。行業(yè)需通過技術深耕、標準升級與生態(tài)重構，實現從“低價內卷”到“高可靠賦能”的轉型，避免在新能源，充電樁電源模塊，儲能變流器PCS與車載市場的關鍵窗口期失去競爭根基。

審核編輯 黃宇