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E-GaN電源芯片U8722EE的45W、30W同步搭配推薦

銀聯(lián)寶科技 ? 2025-04-03 16:20 ? 次閱讀
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E-GaN電源芯片U8722EE,推薦搭配銀聯(lián)寶同步整流芯片U7110W、U7612A,分別可做PD 45W、PD 30W方案,可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能,非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景!

U8722EE+U7110W

★PD45W方案:U8722EE+U7110W

針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合,為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求,往往需要添加額外的電路或者輔助繞組,導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。E-GaN電源芯片U8722EE集成了Boost供電技術(shù),僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可,在輸出電壓較低時(shí),Boost電路啟動(dòng)工作,維持VDD電壓在VBOOST_REG (典型值10V/10.2V),當(dāng)輸出電壓升高,輔助繞組電壓高于VBOOST_REG時(shí),Boost電路停止工作,VDD由輔助繞組供電。

同步整流芯片U7110W是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開(kāi)關(guān),可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7110W內(nèi)置有VDD高壓供電模塊,無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作,系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置,兼顧了系統(tǒng)性能和成本。U7110W的快速關(guān)斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應(yīng)力,可支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。U7110W內(nèi)部集成有智能的開(kāi)通檢測(cè)功能,可以有效防止反激電路中寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開(kāi)關(guān)誤開(kāi)通。

★PD30W方案:U8722EE+U7612A

E-GaN電源芯片U8722EE集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV(典型值6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn),為此U8722EE通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值,可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流,進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開(kāi)通速度,系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。

在VDD電壓上升到VDD開(kāi)啟電壓VDD_ON(典型值4.5V)之前,同步整流芯片U7612A處于關(guān)機(jī)狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會(huì)發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開(kāi)通。當(dāng)VDD電壓達(dá)到 VDD_ON之后,U7612A啟動(dòng),內(nèi)部控制電路開(kāi)始工作,副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的溝道實(shí)現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護(hù)閾值VDD_OFF(典型值3.3V)后,芯片關(guān)機(jī),副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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