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JFE2140 雙路、超低噪聲、低柵極電流音頻N溝道JFET技術(shù)手冊(cè)

科技觀察員 ? 2025-04-02 09:39 ? 次閱讀
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JFE2140 是使用德州儀器 (TI) 現(xiàn)代高性能模擬雙極工藝構(gòu)建的 Burr-Brown? 音頻、匹配對(duì)分立式 JFET。JFE2140 具有以前較舊的分立式 JFET 技術(shù)所不具備的性能。JFE2140 在所有電流范圍內(nèi)均提供出色的噪聲性能,靜態(tài)電流可由用戶(hù)設(shè)置,范圍為 50 μA 至 20 mA。當(dāng)偏置電流為 5 mA 時(shí),該器件會(huì)產(chǎn)生 0.9 nV/√ Hz 的輸入?yún)⒖荚肼?,從而以極高的輸入阻抗 (>1TΩ) 提供超低噪聲性能。此外,按照 ±4mV 測(cè)試 JFET 之間的匹配,可為差分對(duì)配置提供低失調(diào)電壓和高 CMRR 性能。JFE2140 還具有連接到獨(dú)立鉗位節(jié)點(diǎn)的集成二極管,無(wú)需添加高泄漏、非線性外部二極管即可提供保護(hù)。

數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:JFE2140 雙路、超低噪聲、低柵極電流音頻N溝道JFET技術(shù)手冊(cè).pdf

JFE2140 可承受 40V 的高漏源電壓,以及低至 –40V 的柵源電壓和柵漏電壓。該器件額定工作溫度范圍為 –40°C 至 +125°C。

特性
? 超低噪聲:
– 電壓噪聲:
? 1 kHz 時(shí)為 0.9 nV/√Hz,IDS = 5 mA
? 1 kHz 時(shí)為 1.1 nV/√Hz,IDS = 2mA
– 電流噪聲:1 kHz 時(shí)為 1.6 fA/√Hz
? 低 VGS 失配:4mV(最大值)
? 低柵極電流:10 pA(最大值)
? 低輸入電容:VDS = 5V 時(shí)為 13 pF
? 高柵漏電壓和柵源擊穿電壓:-40V
? 高跨導(dǎo):30 mS
? 封裝:SOIC,2mm x 2mm WSON

引腳功能和配置
1.png

典型特性
1.png

方框圖
1.png

應(yīng)用
? 麥克風(fēng)輸入
? 水聽(tīng)器和船用設(shè)備
? DJ 控制器、混頻器和其他 DJ 設(shè)備
? 專(zhuān)業(yè)音頻混合器或控制平面
? 吉他放大器和其他樂(lè)器放大器
? 狀態(tài)監(jiān)控傳感器

典型應(yīng)用
JFE2140可以被配置為提供低噪聲、高輸入阻抗的單端放大器級(jí)可以?xún)?yōu)化以在低功率水平下實(shí)現(xiàn)超低噪聲性能。此配置專(zhuān)為電池供電的音頻應(yīng)用而設(shè)計(jì),如吉他踏板、放大器和手持式錄音機(jī)。OPA1692是一款低功耗雙音頻放大器,用于復(fù)合電壓反饋放大器以及分軌將接地電壓集中在電池正極和負(fù)極電壓之間的放大器。

1.png

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