TPS53015 具有電源正常功能的 4.5V 至 28V、25A 同步 D-CAP2 降壓控制器數(shù)據(jù)手冊

TPS53015 器件是一款單通道自適應(yīng)導(dǎo)通時間 D-CAP2 ? 模式同步降壓控制器。該器件使系統(tǒng)設(shè)計人員能夠通過經(jīng)濟高效的低外部元件數(shù)量和低待機電流解決方案來完善各種終端設(shè)備電源總線穩(wěn)壓器套件。TPS53015 的主控制回路使用 D-CAP2 模式控制，無需外部補償元件即可提供非?？焖俚乃矐B(tài)響應(yīng)。自適應(yīng)導(dǎo)通時間控制支持在較高負載條件下的 PWM 模式和輕負載下的 Eco 模式?作之間無縫轉(zhuǎn)換。Eco 模式作允許該器件在較輕的負載條件下保持高效率。該器件還能夠適應(yīng)低等效串聯(lián)電阻 （ESR） 輸出電容器（如 POSCAP 或 SP-CAP）和超低 ESR 陶瓷電容器。該器件在 4.5 V 至 28 V 的輸入電壓和 0.77 V 至 7 V 的輸出電壓下提供方便高效的作。

TPS53015 采用 3mm × 3mm 10 引腳 VSSOP （DGS） 封裝，額定環(huán)境溫度范圍為 –40°C 至 85°C。
*附件：TPS53015具有 PGOOD 的 4.5V 至 28V 輸入、D-CAP2TM 同步步進降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表.pdf

特性

• D-CAP2? 模式控制
  • 快速瞬態(tài)響應(yīng)
  • 無需外部元件即可進行環(huán)路補償
  • 與陶瓷輸出電容器兼容
• 高初始參考精度 （±1%）
• 寬輸入電壓 4.5 V 至 28 V
• 輸出電壓 0.77 V 至 7 V
• 低側(cè) R DS（開） 無損電流感應(yīng)
• 固定軟啟動時間：1.4 ms
• 非灌電流預(yù)偏置軟啟動
• 開關(guān)頻率：500 kHz
• 逐周期過流限制控制
• 自動跳過 Eco 模式?，可在輕負載下實現(xiàn)高效率
• 電源正常輸出
• OCL/OVP/UVP/UVLO/TSD 保護
• 具有集成升壓 PMOS 開關(guān)的自適應(yīng)柵極驅(qū)動器
• 熱補償 OCP，4000 ppm/°C
• 10 引腳 VSSOP 封裝

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：TPS53015
• ?制造商?：Texas Instruments
• ?類型?：D-CAP2?模式同步步進降壓轉(zhuǎn)換器
• ?特點?：具有PGOOD輸出，寬輸入電壓范圍（4.5V至28V），快速瞬態(tài)響應(yīng)，無需外部補償組件。

二、主要特性

• ?輸入電壓范圍?：4.5V至28V
• ?輸出電壓范圍?：0.77V至7V
• ?開關(guān)頻率?：固定500kHz
• ?軟啟動時間?：1.4ms
• ?保護功能?：過流保護（OCL）、過壓保護（OVP）、欠壓保護（UVP）、欠壓鎖定（UVLO）、熱關(guān)斷（TSD）
• ?封裝?：10-Pin VSSOP
• ?溫度范圍?：-40°C至85°C

三、功能特點

• ?D-CAP2?模式控制?：提供快速瞬態(tài)響應(yīng)，無需外部補償組件，兼容陶瓷輸出電容器。
• ? 自動跳過Eco-Mode? ?：輕載時提高效率。
• ?Power-Good輸出?：指示輸出電壓是否在目標范圍內(nèi)。
• ?集成5V線性調(diào)節(jié)器?：為MOSFET驅(qū)動器和內(nèi)部邏輯供電。
• ?熱補償過流保護?：溫度系數(shù)為4000ppm/°C，提高過流保護的準確性。

四、電氣特性

• ?軟啟動時間?：1.4ms
• ?PGOOD延遲時間?：輸入正常時1.2ms，輸出正常時2μs
• ?過流保護閾值?：可編程，通過連接在DRVL和PGND之間的電阻設(shè)置
• ?熱關(guān)斷閾值?：約150°C，滯回25°C

五、應(yīng)用

• ?應(yīng)用領(lǐng)域?：數(shù)字電視電源、網(wǎng)絡(luò)家庭終端、數(shù)字機頂盒（STB）、DVD播放器/錄像機、游戲機等低功耗系統(tǒng)的點載調(diào)節(jié)。

六、典型應(yīng)用電路

• 提供了詳細的典型應(yīng)用電路圖，包括輸入電容、輸出電容、電感、MOSFET、反饋電阻和PGOOD電阻等組件的選擇和連接方式。

七、布局指南

• 強調(diào)了關(guān)鍵信號的布線建議，如輸入和輸出電流回路的布局、SW節(jié)點的物理尺寸和長度最小化、反饋電阻的布線等。

八、保護機制

• ?過流保護?：通過檢測低側(cè)MOSFET的R DS(on)上的電壓實現(xiàn)，防止電感電流過大。
• ?過壓保護和欠壓保護?：監(jiān)測反饋電壓，確保輸出電壓在安全范圍內(nèi)。
• ?熱關(guān)斷?：防止芯片因過熱而損壞。