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ADMV1530 5GHz至30GHz、GaAs、MMIC、雙平衡混頻器技術(shù)手冊

要長高 ? 2025-03-26 10:01 ? 次閱讀
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概述
ADMV1530是一款通用型雙平衡混頻器,采用無鉛RoHS兼容型表貼技術(shù)(SMT)封裝,可用作5 GHz至30 GHz范圍內(nèi)的上變頻器或下變頻器。中頻(IF)端口具有0 GHz至10 GHz的寬帶寬,可進(jìn)行靈活的頻率規(guī)劃以免出現(xiàn)雜散產(chǎn)物。該混頻器采用砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)工藝制造,無需外部元件或匹配電路。

ADMV1530采用經(jīng)過優(yōu)化的巴倫結(jié)構(gòu),提供出色的本振(LO)至射頻(RF)及LO至IF抑制性能。該混頻器采用19 dBm(典型值)的LO幅度運(yùn)行。符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的ADMV1530無需線焊,可使用表貼制造技術(shù)。

ADMV1530采用緊湊型4 mm × 4 mm、18引腳基板柵格陣列(LGA)封裝,工作溫度范圍為?40°C至+85°C。
數(shù)據(jù)表:*附件:ADMV1530 5GHz至30GHz、GaAs、MMIC、雙平衡混頻器技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

  • 微波和小型衛(wèi)星地面站(VSAT)無線電
  • 測試設(shè)備
  • 軍事電子戰(zhàn)(EW)
  • 電子對抗(ECM)
  • 指揮、控制、通信和情報(bào)(C3I)

特性

  • 轉(zhuǎn)換損耗(下變頻器):7 dB(典型值,15 GHz至30 GHz時)
  • 輸入IP3(下變頻器):27 dBm(典型值,15 GHz至30 GHz時)
  • 輸入IP2(上變頻器):50 dBm(典型值,15 GHz至30 GHz時)
  • 輸入1 dB壓縮點(diǎn)(下變頻器):17 dBm(典型值)
  • LO至RF隔離:40 dB(典型值)
  • LO至IF隔離:50 dB(典型值,15 GHz至30 GHz時)
  • RF至IF隔離:25 dB(典型值,15 GHz至30 GHz時)
  • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的18引腳、4 mm × 4 mm LGA封裝

框圖
image.png

引腳配置描述
image.png

接口示意圖
image.png

典型性能特征
image.png

應(yīng)用信息
圖133顯示了ADMV1530的典型應(yīng)用電路。ADMV1530是一款無源器件,不需要任何外部元件。LO和RF引腳內(nèi)部交流耦合。IF引腳內(nèi)部DC耦合。對于不要求DC操作的應(yīng)用,DC使用一個串聯(lián)電容從外部阻塞該端口,該電容的值被選擇為通過必要的IF頻率范圍。如果需要DC操作,請勿超過“絕對最大額定值”部分中規(guī)定的IF源電流和吸電流額定值。
image.png

應(yīng)用中使用的電路板必須使用RF電路設(shè)計(jì)技術(shù)。信號線必須具有50歐姆阻抗,封裝接地引腳和裸露焊盤必須直接連接到接地層,如圖134所示。使用足夠數(shù)量的過孔連接頂部和底部接地層。ADI公司可索取圖134所示的評估電路板。
image.png

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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