TPS51604-Q1 用于同步降壓高頻 CPU 的汽車類 4A、28V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

TPS51604-Q1 驅(qū)動程序針對高頻 CPU V 進行了優(yōu)化核心應(yīng)用。采用減少死區(qū)時間驅(qū)動和自動過零等高級功能 優(yōu)化整個負載范圍內(nèi)的效率。

SKIP 引腳提供即時 CCM作以支持 輸出電壓的受控管理。此外，TPS51604-Q1 支持兩個低功耗 模式。當(dāng) PWM 輸入處于 3 態(tài)時，靜態(tài)電流降低到 130 μA，立即 響應(yīng)。當(dāng) SKIP 保持在 3 態(tài)時，電流降低至 8 μA （通常需要 20 μs 才能恢復(fù)切換）。與適當(dāng)?shù)?TI 控制器配對后， 驅(qū)動器提供超高性能的電源系統(tǒng)。
*附件：tps51604-q1.pdf

TPS51604-Q1 器件采用節(jié)省空間的熱增強型 8 引腳 2mm x 封裝 2mm WSON 封裝，工作溫度范圍為 –40°C 至 125°C。

特性

• 適用于汽車應(yīng)用
• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)果如下：
  • 器件溫度等級 1：–40°C 至 125°C
  • 設(shè)備 人體模型 ESD 分類等級 H2
  • 器件 帶電器件型號 ESD 分類等級 C3B
• 降低死區(qū)時間驅(qū)動電路，優(yōu)化 CCM
• 自動過零檢測，優(yōu)化 DCM 效率
• 多種低功耗模式，優(yōu)化輕負載效率
• 針對高頻作優(yōu)化的信號路徑延遲
• 集成 BST 開關(guān)驅(qū)動強度，針對超極本 FET 進行了優(yōu)化
• 針對 5V FET 驅(qū)動進行了優(yōu)化
• 轉(zhuǎn)換輸入電壓范圍 （V 在 ）：4.5 至 28 V
• 2mm × 2mm、8 引腳 WSON Power-Pad 封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：TPS51604-Q1
• ?類型?：同步降壓FET驅(qū)動器
• ?應(yīng)用?：高頻CPU核心電源，適用于汽車電子應(yīng)用

2. 主要特性

• ?AEC-Q100認證?：適用于汽車電子應(yīng)用
• ?溫度等級?：-40°C至125°C
• ?驅(qū)動優(yōu)化?：具有優(yōu)化的死區(qū)時間驅(qū)動和自動過零檢測功能，以提高全負載范圍內(nèi)的效率
• ?低功耗模式?：支持兩種低功耗模式，以降低輕載時的靜態(tài)電流
• ?封裝?：8引腳2mm x 2mm WSON封裝，節(jié)省空間且熱性能增強

3. 功能與特點

• ?死區(qū)時間控制?：采用抗直通和自適應(yīng)死區(qū)時間控制，減少低側(cè)體二極管導(dǎo)通時間和恢復(fù)損耗
• ?過零檢測?：集成自適應(yīng)過零檢測功能，以改善輕載時的斷續(xù)導(dǎo)通模式（DCM）效率
• ?多模式支持?：根據(jù)PWM和SKIP引腳的狀態(tài)，支持連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）和斷續(xù)導(dǎo)通模式（DCM）
• ?PWM和SKIP引腳?：具有三態(tài)輸入功能，當(dāng)引腳處于三態(tài)時，驅(qū)動器進入低功耗狀態(tài)
• ?UVLO保護?：欠壓鎖定（UVLO）功能，確保在供電電壓不穩(wěn)定時保護驅(qū)動器

4. 引腳配置與功能

• ?BST?：高側(cè)N通道FET自舉電壓輸入
• ?DRVH?：高側(cè)N通道柵極驅(qū)動輸出
• ?DRVL?：同步低側(cè)N通道柵極驅(qū)動輸出
• ?GND?：低側(cè)N通道柵極驅(qū)動返回和IC參考地
• ?PWM?：PWM輸入，三態(tài)電壓時關(guān)閉高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器
• ?SKIP?：控制DCM模式，三態(tài)時進入極低功耗狀態(tài)
• ?SW?：高側(cè)N通道柵極驅(qū)動返回，同時也是過零檢測輸入
• ?VDD?：5V電源輸入，需通過至少1μF的陶瓷電容去耦至GND

5. 規(guī)格參數(shù)

• ?輸入電壓范圍?：4.5V至28V
• ?欠壓鎖定閾值?：上升閾值4.15V，下降閾值3.7V
• ?高側(cè)/低側(cè)柵極驅(qū)動特性?：具有詳細的上升時間、下降時間、傳播延遲等規(guī)格

6. 應(yīng)用與布局指南

• ?應(yīng)用?：適用于汽車后座娛樂系統(tǒng)（RSE）平板電腦等高頻CPU核心電源應(yīng)用
• ?布局指南?：驅(qū)動器應(yīng)盡可能靠近MOSFET放置，電源和自舉電容應(yīng)盡可能靠近驅(qū)動器，GND和SW節(jié)點應(yīng)遵循特定的布局規(guī)則以減少噪聲和提高可靠性