UCC28780 1MHz 高頻有源鉗位反激式控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC28780 是一款高頻有源鉗位反激式控制器，可實(shí)現(xiàn)高密度 AC-DC 電源，符合嚴(yán)格的全球能效標(biāo)準(zhǔn)，如 DoE VI 級(jí)和歐盟 CoC V5 Tier-2。用戶可編程的高級(jí)控制律功能允許針對(duì)硅 （Si） 和氮化鎵 （GaN） 功率 FET 進(jìn)行性能優(yōu)化。通過(guò)邏輯電平柵極信號(hào)和使能輸出，進(jìn)一步增強(qiáng)了與結(jié)合驅(qū)動(dòng)器和 GaN FET 的開(kāi)關(guān)器件的直接作。
*附件：UCC28780 高頻有源鉗位反激式控制器數(shù)據(jù)表.pdf

零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS） 通過(guò)先進(jìn)的自整定技術(shù)、自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間優(yōu)化和可變開(kāi)關(guān)頻率控制律，可在較寬的工作范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)。使用根據(jù)輸入和輸出條件改變作的自適應(yīng)多模式控制，UCC28780在降低可聞噪聲的同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效率。憑借高達(dá) 1 MHz 的可變開(kāi)關(guān)頻率和精確的可編程過(guò)功率保護(hù)，可在寬線路范圍內(nèi)為熱設(shè)計(jì)提供一致的功率，從而進(jìn)一步減小無(wú)源元件的尺寸并實(shí)現(xiàn)高功率密度。

UCC28780 與 VDS 感應(yīng)同步整流器控制器（如 UCC24612）配合使用，可實(shí)現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率和非常緊湊的設(shè)計(jì)。

特性

• 具有自適應(yīng)控制的初級(jí) FET 的完全和部分零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）
• 用于外部 Si 或 GaN FET 的可編程時(shí)序
• 高達(dá) 1MHz 的高開(kāi)關(guān)頻率
• 可編程自適應(yīng)突發(fā)控制和待機(jī)模式，可實(shí)現(xiàn)輕負(fù)載效率，具有低輸出紋波和可聞噪聲抑制
• 無(wú)直接線路感應(yīng)的掉電檢測(cè)
• 精確的可編程過(guò)功率保護(hù) （OPP） 以支持峰值功率模式
• 故障保護(hù)：過(guò)熱、輸出過(guò)壓、輸出短路、過(guò)流和引腳故障
• 與基于光耦合器的反饋直接接口，允許動(dòng)態(tài)擴(kuò)展輸出電壓
• 內(nèi)部軟啟動(dòng)
• 具有外部使能功能的 NTC 熱敏電阻接口

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：UCC28780 高頻有源鉗位反激式控制器
• ?主要特點(diǎn)?：
  • 高頻操作，最高可達(dá)1MHz
  • 有源鉗位技術(shù)，實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS）
  • 可編程的定時(shí)功能，適用于硅（Si）或氮化鎵（GaN）FETs
  • 高效率，符合嚴(yán)格的全球能效標(biāo)準(zhǔn)，如DoE Level VI和EU CoC V5 Tier-2
  • 可編程的自適應(yīng)突發(fā)控制（ABM）和待機(jī)模式，降低輕載下的輸出紋波和可聞噪聲

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

• 適用于需要高密度和高效率AC-DC電源供應(yīng)的應(yīng)用，如適配器、充電器等。

3. 功能特性

• ? 零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS） ?：通過(guò)先進(jìn)的自動(dòng)調(diào)諧技術(shù)和自適應(yīng)死區(qū)優(yōu)化實(shí)現(xiàn)。
• ?多模式控制?：包括自適應(yīng)幅度調(diào)制（AAM）、自適應(yīng)突發(fā)模式（ABM）、低功耗模式（LPM）和待機(jī)功率模式（SBP）。
• ?保護(hù)特性?：包括過(guò)壓保護(hù)（OVP）、過(guò)功率保護(hù)（OPP）、過(guò)流保護(hù)（OCP）、短路保護(hù)（SCP）、過(guò)溫保護(hù)（OTP）等。
• ?靈活的編程選項(xiàng)?：通過(guò)外部電阻和引腳設(shè)置，可優(yōu)化控制器性能以適應(yīng)不同的電源設(shè)計(jì)需求。

4. 引腳配置與功能

• ?VDD?：偏置電源輸入引腳。
• ?GND?：接地引腳。
• ?PWMH/PWML?：高/低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)輸出引腳，用于控制有源鉗位開(kāi)關(guān)和主開(kāi)關(guān)。
• ?RUN?：運(yùn)行狀態(tài)輸出引腳，用于指示控制器是否處于運(yùn)行狀態(tài)。
• ?VS?：電壓感應(yīng)輸入引腳，用于感應(yīng)輔助繞組電壓以實(shí)現(xiàn)線電壓感應(yīng)和輸出過(guò)壓保護(hù)。
• ?CS?：電流感應(yīng)輸入引腳，用于監(jiān)控初級(jí)峰值電流。
• ?FB?：反饋輸入引腳，接收來(lái)自次級(jí)側(cè)的反饋電流信號(hào)以實(shí)現(xiàn)電壓調(diào)節(jié)。
• ?BUR?：突發(fā)模式控制引腳，用于設(shè)置突發(fā)模式的起始點(diǎn)。
• ?SET?：設(shè)置引腳，用于優(yōu)化控制器以適應(yīng)Si或GaN FETs。

5. 規(guī)格參數(shù)

• ?絕對(duì)最大額定值?：包括VDD電壓、VS電壓、CS電壓、FB電流等。
• ?推薦操作條件?：包括VDD電容、REF旁路電容、HVG旁路電容等。
• ?電氣特性?：包括偏置供電輸入電流、VS輸入電壓范圍、CS輸入閾值電壓、PWM輸出特性等。

6. 典型應(yīng)用

• 提供了基于GaN FET的典型應(yīng)用電路圖，并詳細(xì)說(shuō)明了設(shè)計(jì)步驟和關(guān)鍵組件的選擇。

7. 布局指南

• 強(qiáng)調(diào)了布局對(duì)高頻電源性能的重要性，提供了布局建議以最小化噪聲耦合和EMI。
• 指出了關(guān)鍵引腳（如RDM、RTZ、SWS、VS等）的布局注意事項(xiàng)，以確保最佳性能。

8. 設(shè)備支持

• 提供了相關(guān)的設(shè)計(jì)資源和文檔支持，包括WEBENCH? Power Designer工具、應(yīng)用筆記等。
• 提供了社區(qū)資源鏈接，以便用戶獲取更多的技術(shù)支持和交流經(jīng)驗(yàn)。

9. 封裝信息

• 提供了兩種封裝選項(xiàng)：WQFN-16和SOIC-16，具體尺寸和引腳分布見(jiàn)數(shù)據(jù)表。

10. 注意事項(xiàng)

• 在設(shè)計(jì)過(guò)程中需要注意輸入電壓范圍、輸出功率要求、效率目標(biāo)等因素，以確?？刂破髂軌驖M足應(yīng)用需求。