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存儲技術(shù)探秘 NAND Flash vs NOR Flash:藏在芯片里的"門道之爭"

哈哈hfgfdf ? 來源:電子嵌入式學(xué)習(xí) ? 作者:電子嵌入式學(xué)習(xí) ? 2025-03-18 12:06 ? 次閱讀
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門電路玄機(jī)

NOR Flash:Intel 1988 年革命性突破,終結(jié) EPROM/EEPROM 壟斷時(shí)代

NAND Flash:東芝 1989 年發(fā)布,開創(chuàng) "低成本比特" 存儲新紀(jì)元

共性特征

非易失存儲:斷電后數(shù)據(jù)不丟失

可重復(fù)編程:支持擦寫操作(需先擦除后寫入)

二進(jìn)制操作:擦除后全為 1,寫操作將 1 變?yōu)?0

核心差異

一、物理結(jié)構(gòu)對比

NOR 特性

獨(dú)立存儲單元并聯(lián)架構(gòu)

支持隨機(jī)地址訪問

單元密度相對較低

NAND 特性

串聯(lián)存儲單元結(jié)構(gòu)(8-32 個(gè)單元串聯(lián))

僅支持順序訪問

高單元密度設(shè)計(jì)

二、接口協(xié)議

NOR:直連 CPU 總線

自帶 SRAM 接口

支持 XIP(就地執(zhí)行)技術(shù)

NAND:復(fù)雜接口協(xié)議

需專用控制器

采用命令 / 地址 / 數(shù)據(jù)復(fù)用 I/O

三、性能參數(shù)

指標(biāo) NOR Flash NAND Flash
讀取速度 100ns 級隨機(jī)讀取 50μs 級順序讀取
寫入速度 0.6-1.2MB/s 15-30MB/s
擦除速度 0.5-2s / 塊 2-4ms / 塊
擦寫壽命 10 萬次 100 萬次
壞塊率 <0.1% 2-5%

四、成本分析

NOR

單片成本高約 30-50%

主流容量 1-256Mb

NAND

單位比特成本低至 1/10

主流容量 1-128Gb

五、應(yīng)用場景

NOR 主戰(zhàn)場

嵌入式系統(tǒng)啟動(dòng)代碼

航天器固件存儲

工業(yè)控制關(guān)鍵參數(shù)

NAND 主戰(zhàn)場

消費(fèi)級 SSD 存儲

智能手機(jī)閃存

大容量數(shù)據(jù)日志

選型指南

要執(zhí)行代碼 → 選 NOR

要存海量數(shù)據(jù) → 選 NAND

要實(shí)時(shí)響應(yīng) → 選 NOR

要成本敏感 → 選 NAND

【技術(shù)洞察】
當(dāng)你在手機(jī)里流暢啟動(dòng)系統(tǒng)時(shí),是 NOR 在默默加載引導(dǎo)程序;當(dāng)你拍攝 4K 視頻時(shí),是 NAND 在高速吞吐數(shù)據(jù)。這對存儲界的 "雙子星",正以截然不同的方式推動(dòng)著數(shù)字世界的演進(jìn)。

審核編輯 黃宇

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