基于TI產(chǎn)品的有刷式直流電機(jī)參考設(shè)計(jì)

德州儀器推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動(dòng)器

德州儀器（TI）近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達(dá)（LIDAR）以及5G射頻（RF）包絡(luò)追蹤等速度關(guān)鍵應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高效、性能更高的設(shè)計(jì)。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開(kāi)關(guān)頻率的同時(shí)提高效率，并可實(shí)現(xiàn)以往硅MOSFET無(wú)法實(shí)現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。

憑借業(yè)內(nèi)最佳的驅(qū)動(dòng)速度以及1 ns的最小脈沖寬度，LMG1020 60-MHz低側(cè)GaN驅(qū)動(dòng)器可在工業(yè)LIDAR應(yīng)用中使用高精度激光器。小型晶圓級(jí)芯片（WCSP）封裝尺寸僅為0.8 mm x 1.2 mm，有助于最大限度地減少柵極環(huán)路寄生和損耗，進(jìn)一步提升效率。

LMG1020和LMG1210是業(yè)界最大的GaN電源產(chǎn)品組合中的最新成員，從200V驅(qū)動(dòng)器到80V和600V功率級(jí)。憑借超過(guò)1,000萬(wàn)小時(shí)的GaN工藝可靠性測(cè)試，TI提供可靠的GaN產(chǎn)品以滿足對(duì)成熟和即用型解決方案的需求，為GaN技術(shù)帶來(lái)數(shù)十年的硅制造專業(yè)技術(shù)和高級(jí)器件開(kāi)發(fā)人才。

設(shè)計(jì)人員可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012評(píng)估模塊和SPICE模型快速輕松地評(píng)估這些新器件。工程師可以利用LIDAR的納秒激光驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)和高速DC / DC轉(zhuǎn)換器的多兆赫GaN功率級(jí)參考設(shè)計(jì)，快速開(kāi)始氮化鎵設(shè)計(jì)。

LMG1020和LMG1210主要特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：

●高速：這兩款器件可提供超高速傳播延遲（2.5 ns [LMG1020]和10 ns [LMG1210]），使電源解決方案比采用硅驅(qū)動(dòng)器快50倍。另外，LMG1020能夠提供高功率1ns激光脈沖，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程LIDAR應(yīng)用。

●高效率：這兩款器件均可實(shí)現(xiàn)高效率設(shè)計(jì)。LMG1210提供1 pF的低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電容和用戶可調(diào)的死區(qū)時(shí)間控制，可將效率提高多達(dá)5％。

●功率密度：LMG1210中的死區(qū)時(shí)間控制集成功能可減少元件數(shù)量并提高效率，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)㈦娫闯叽缃档投噙_(dá)80％。功率密度增加的LMG1020，使LIDAR具有業(yè)內(nèi)最小封裝和最高分辨率。

2原廠芯品

泰克加速EMI/EMC一致性測(cè)試

2018年3月13日訊–全球領(lǐng)先的測(cè)量解決方案提供商——泰克科技公司日前推出EMCVu一種用于EMI/EMC預(yù)一致性測(cè)試和問(wèn)題調(diào)試的新型整體解決方案。在當(dāng)今電子設(shè)計(jì)環(huán)境中，大約有一半的產(chǎn)品會(huì)在首次電磁兼容性（EMC）測(cè)試中出現(xiàn)問(wèn)題。EMCVu為工程師提供了一種準(zhǔn)確、方便、經(jīng)濟(jì)的方法，評(píng)估其產(chǎn)品設(shè)計(jì)能否第一次就通過(guò)EMC一致性測(cè)試。

對(duì)于剛剛開(kāi)始使用物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的許多工程師而言，EMI／EMC測(cè)試令人困擾，而一致性測(cè)試失敗會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的成本增加和產(chǎn)品上市時(shí)間延遲。預(yù)一致性測(cè)試可以降低通過(guò)一致性測(cè)試失敗概率，但也有其自身的挑戰(zhàn)，比如設(shè)備設(shè)置困難、成本高、測(cè)試準(zhǔn)確性存疑，調(diào)試難度大，缺少報(bào)告編制工具等。

“滿足EMC一致性測(cè)試首先要求其設(shè)計(jì)、電路板布局和元件選型合理，但即使在最好的環(huán)境中，如果沒(méi)有預(yù)一致性測(cè)試，那么想通過(guò)一致性測(cè)試也是一種冒險(xiǎn)。”Wyatt Technical Services首席顧問(wèn)及EMC一致性測(cè)試專家Kenneth Wyatt說(shuō)，“我強(qiáng)烈支持泰克EMCVu所做的工作，讓更多的工程師可以實(shí)現(xiàn)預(yù)一致性測(cè)試，即使是缺乏深入EMC專業(yè)知識(shí)的工程師也能受益匪淺。

供貨情況：

全內(nèi)置預(yù)一致性測(cè)試解決方案價(jià)格經(jīng)濟(jì)，包括RSA306B USB頻譜分析儀、SignalVu-PC及EMCVu插件、近場(chǎng)探頭、LISN放射輻射測(cè)試天線、三腳支架和線纜，大體上和EMC測(cè)試機(jī)構(gòu)測(cè)試一次的費(fèi)用相當(dāng)。

3代理商開(kāi)售

大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于TI產(chǎn)品的有刷式直流電機(jī)參考設(shè)計(jì)

2018年3月13日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于德州儀器（TI）產(chǎn)品的推出有刷式直流電機(jī)參考設(shè)計(jì)，由DRV8701柵極驅(qū)動(dòng)器、MSP430G2553IPW20超低功耗微控制器、CSD18540Q5B 60V N溝道MOSFET和LMT86DCKT精密CMOS溫度傳感器等器件組成。

DRV8701ERGER是一款采用四個(gè)外部N溝道MOSFET的單一H橋柵極驅(qū)動(dòng)器，面向雙相逆變器驅(qū)動(dòng)一個(gè)雙向有刷直流電機(jī)。階段/啟用（DRV8701E）控制方案允許簡(jiǎn)單地連接到單片機(jī)電路。一個(gè)內(nèi)部檢測(cè)放大器允許使用外部檢測(cè)電阻進(jìn)行可調(diào)節(jié)的電流控制。柵極驅(qū)動(dòng)器包括使用固定關(guān)斷時(shí)間PWM來(lái)控制繞組電流的能力電流切斷。DRV8701采用9.5 V VGS柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)高端和低端FET來(lái)自一個(gè)集成的電荷泵。所有外部FET的柵極驅(qū)動(dòng)電流可以是在IDRIVE引腳上配置一個(gè)外部電阻。

MSP430G2553IPW20是一款超低功耗微控制器，由許多不同的器件組成特征。其中一些功能包括五種不同的低功耗模式，一個(gè)16位RISC CPU、16位寄存器和常量發(fā)生器。使用數(shù)字控制振蕩器（DCO）MSP430G2553可以在低于1μs的時(shí)間內(nèi)從低功耗模式喚醒。

CSD18540Q5B是一款60V N溝道MOSFET，RDS額定值為1.8mΩ。該器件是功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇，因?yàn)槠湓O(shè)計(jì)可將損耗降至最低，而SON的尺寸僅為5mm×6mm。

LMT86DCKT是一款精密的CMOS溫度傳感器，利用與溫度線性成反比的模擬輸出電壓。該器件的工作電壓可低至2.2V，電源電流為5.4μA，是電池供電應(yīng)用的理想器。