國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET良幣劣幣亂同時(shí)并存反映了行業(yè)發(fā)展陣痛期

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)中“良幣”與“劣幣”現(xiàn)象的并存，深刻反映了中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在技術(shù)追趕、資本過(guò)熱和政策滯后等多重矛盾下的階段性陣痛。以BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)為代表的“良幣”企業(yè)與低質(zhì)量擴(kuò)張的“劣幣”企業(yè)共存，既凸顯了行業(yè)突破的潛力，也暴露了發(fā)展路徑的深層挑戰(zhàn)。以下從技術(shù)、市場(chǎng)、資本和政策四個(gè)維度解析這一陣痛期的本質(zhì)與影響：

一、技術(shù)層面：可靠性與速度的失衡

良幣標(biāo)桿：以BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)為代表的企業(yè)技術(shù)深耕
以BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)為代表的企業(yè)通過(guò)自主研發(fā)，在柵氧工藝、缺陷控制和器件設(shè)計(jì)上實(shí)現(xiàn)突破。例如，其碳化硅MOSFET通過(guò)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)和工藝，解決了柵氧化層易擊穿的問題，并在HTGB測(cè)試中達(dá)到+22V/3000小時(shí)的高可靠性標(biāo)準(zhǔn)，接近國(guó)際頭部廠商水平。此外，其IDM模式（涵蓋設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)全鏈條）確保了工藝可控性，已獲得近20家車企的30多個(gè)車型定點(diǎn)，成為國(guó)產(chǎn)替代的標(biāo)桿。

劣幣亂象：參數(shù)投機(jī)取巧與可靠性犧牲
部分企業(yè)為迎合資本需求和低價(jià)競(jìng)爭(zhēng)，在工藝受限的情況下，通過(guò)減薄柵氧化層厚度（如從50nm降至30nm以下）降低導(dǎo)通電阻，但犧牲了長(zhǎng)期可靠性。例如，劣質(zhì)產(chǎn)品在HTGB測(cè)試中僅能承受+19V電壓且壽命不足1000小時(shí)，遠(yuǎn)低于國(guó)際主流的+22V/3000小時(shí)。這種“參數(shù)虛標(biāo)”行為導(dǎo)致器件在高溫、高壓工況下易失效，引發(fā)系統(tǒng)故障甚至安全事故。甚至有企業(yè)通過(guò)采用高一規(guī)格的晶圓（如55m）生產(chǎn)器件，卻標(biāo)稱低規(guī)格參數(shù)（如80m），刻意制造“性能遠(yuǎn)超標(biāo)稱值”的假象。例如，實(shí)際晶圓可能在優(yōu)化工藝（如減薄柵氧層厚度、縮小芯片面積）后達(dá)到更優(yōu)的導(dǎo)通電阻，但通過(guò)人為限制設(shè)計(jì)參數(shù)，將器件標(biāo)定為低規(guī)格，從而在宣傳中強(qiáng)調(diào)“實(shí)測(cè)性能遠(yuǎn)超行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)”，以此誤導(dǎo)客戶認(rèn)為其技術(shù)領(lǐng)先。

二、市場(chǎng)層面：信任危機(jī)與替代受阻

良幣的市場(chǎng)突破與困境
以BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)為代表的企業(yè)通過(guò)車規(guī)級(jí)驗(yàn)證和高端工業(yè)應(yīng)用（如光伏逆變器、儲(chǔ)能變流器PCS），逐步贏得客戶信任。然而，其高成本產(chǎn)品在價(jià)格敏感的中低端市場(chǎng)仍受劣幣擠壓。例如，部分中小焊機(jī)廠商因成本壓力選擇低可靠性國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET器件，造成碳化硅逆變焊機(jī)質(zhì)量口碑不佳。

劣幣泛濫的連鎖反應(yīng)
劣質(zhì)器件頻發(fā)失效（如柵氧擊穿、閾值漂移），強(qiáng)化了“國(guó)產(chǎn)=低質(zhì)”的刻板印象，延緩了國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。典型案例包括2024年某新能源車企因國(guó)產(chǎn)SiC模塊故障召回，直接損失數(shù)億元。此外，劣幣的低價(jià)策略迫使良幣企業(yè)投入額外資源進(jìn)行市場(chǎng)教育，推高整體替代成本。

三、資本層面：短視逐利與長(zhǎng)期投入的博弈

資本盲目擴(kuò)張的惡果
行業(yè)融資中約60%的資金流向低端產(chǎn)能擴(kuò)張，而非核心技術(shù)研發(fā)。部分企業(yè)為快速回本，將產(chǎn)品驗(yàn)證周期從12個(gè)月壓縮至3個(gè)月，導(dǎo)致批量失效風(fēng)險(xiǎn)激增。例如，世紀(jì)金光等企業(yè)因技術(shù)不成熟破產(chǎn)，暴露了資本短視的弊端。

良幣的資本突圍路徑
以BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)為代表的企業(yè)通過(guò)政府專項(xiàng)基金和產(chǎn)學(xué)研合作（如與高校聯(lián)合攻關(guān)界面態(tài)控制技術(shù)），聚焦長(zhǎng)期技術(shù)投入。其自建SiC晶圓廠和SiC功率模塊封測(cè)產(chǎn)線的模式，避免了代工依賴導(dǎo)致的質(zhì)量波動(dòng)，為資本理性投入提供了范本。

四、政策與標(biāo)準(zhǔn)：滯后與重構(gòu)的沖突

標(biāo)準(zhǔn)缺失加劇市場(chǎng)混亂
行業(yè)缺乏強(qiáng)制可靠性標(biāo)準(zhǔn)（如HTGB+22V/3000小時(shí)測(cè)試），部分企業(yè)自行定義寬松條件（如降低測(cè)試電壓或縮短時(shí)間），掩蓋產(chǎn)品缺陷。例如，劣質(zhì)器件通過(guò)選擇性送檢獲取認(rèn)證，實(shí)際量產(chǎn)一致性差。

政策引導(dǎo)與未來(lái)方向
國(guó)家正推動(dòng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定（參考AEC-Q101、JEDEC規(guī)范），并計(jì)劃通過(guò)專項(xiàng)基金優(yōu)先支持高可靠性技術(shù)（如基本半導(dǎo)體的銅燒結(jié)封裝工藝）。同時(shí)，政策擬對(duì)虛標(biāo)參數(shù)的企業(yè)實(shí)施黑名單制度，倒逼質(zhì)量提升。

五、陣痛期的本質(zhì)與破局路徑

陣痛期的核心矛盾

技術(shù)積累不足與市場(chǎng)需求激增的矛盾：國(guó)內(nèi)企業(yè)需在3-5年窗口期內(nèi)完成國(guó)際廠商數(shù)十年的技術(shù)積累。

資本逐利與長(zhǎng)期發(fā)展的矛盾：低價(jià)競(jìng)爭(zhēng)擠壓研發(fā)投入，國(guó)內(nèi)企業(yè)平均研發(fā)強(qiáng)度僅8%（國(guó)際大廠15%）。

標(biāo)準(zhǔn)滯后與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的矛盾：缺乏統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)致市場(chǎng)機(jī)制扭曲，劣幣驅(qū)逐良幣。

破局方向

技術(shù)分層：淘汰低效產(chǎn)能，推動(dòng)8英寸晶圓量產(chǎn)（預(yù)計(jì)2027年后成本降63%）。

生態(tài)重構(gòu)：建立從材料（襯底缺陷控制）到應(yīng)用（車規(guī)驗(yàn)證）的全鏈條競(jìng)爭(zhēng)力，強(qiáng)化產(chǎn)學(xué)研協(xié)同。

市場(chǎng)機(jī)制優(yōu)化：推動(dòng)客戶從“價(jià)格導(dǎo)向”轉(zhuǎn)向“全生命周期成本”評(píng)估，優(yōu)先采購(gòu)高可靠性產(chǎn)品。

結(jié)論

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)的“良劣并存”，本質(zhì)上是技術(shù)追趕期“速度”與“質(zhì)量”失衡的必然產(chǎn)物。以BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)為代表的企業(yè)的崛起證明，以可靠性為核心的技術(shù)深耕是可行路徑，但劣幣的短期逐利行為仍威脅行業(yè)生態(tài)。陣痛期（2025-2028年）后，通過(guò)技術(shù)分層、政策規(guī)范與資本理性化，行業(yè)有望從“低端內(nèi)卷”轉(zhuǎn)向“高端引領(lǐng)”，真正支撐新能源、電動(dòng)汽車等戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)的自主可控需求。這一過(guò)程中，以BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)為代表的頭部企業(yè)的技術(shù)突破與市場(chǎng)的質(zhì)量篩選機(jī)制將是破局關(guān)鍵。

審核編輯 黃宇