HMC930A-DIE GaAs、pHEMT、MMIC、0.25W功率放大器，DC-40GHz技術(shù)手冊(cè)

概述
HMC930A是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)分布式功率放大器，工作頻率范圍為DC至40 GHz。 HMC930A提供13 dB增益、33.5 dBm輸出IP3和22 dBm輸出功率（1 dB增益壓縮），功耗為175 mA（采用10 V電源）。 HMC930A在8 GHz至32 GHz范圍內(nèi)具有略正增益斜率，因而非常適合電子戰(zhàn)(EW)、電子對(duì)抗(ECM)、雷達(dá)和測(cè)試設(shè)備應(yīng)用。 HMC930A放大器輸入/輸出(I/O)內(nèi)部匹配50 ?，可輕松集成到多芯片模塊(MCM)中。 所有數(shù)據(jù)均由通過(guò)最短0.31 mm (12 mils)的兩條0.025 mm (1 mil)線焊連接的芯片獲取。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC930A-DIE GaAs、pHEMT、MMIC、0.25W功率放大器，DC-40GHz技術(shù)手冊(cè).pdf

特性

• 針對(duì)1 dB壓縮(P1dB)的高輸出功率： 22 dBm
• 高飽和輸出功率(PSAT)： 24 dBm
• 高增益： 13 dB
• 高輸出三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)： 33.5 dBm
• 電源電壓： 10 V (175 mA)
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 裸片尺寸： 2.82 mm × 1.50 mm × 0.1 mm

應(yīng)用

• 測(cè)試儀器儀表
• 微波無(wú)線電和VSAT s
• 軍事與太空
• 電信基礎(chǔ)設(shè)施
• 光纖產(chǎn)品

框圖

引腳配置和功能
描述
接口示意圖

典型性能特征

HMC930A是一款GaAs、pHEMT、MMIC、級(jí)聯(lián)、分布式功率放大器。級(jí)聯(lián)分布式架構(gòu)使用一個(gè)基本單元，該單元由從源極連接到漏極的兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的堆疊組成。基本單元的基本示意圖如圖35所示?；締卧粡?fù)制幾次，傳輸線分別連接頂部器件的漏極和底部器件的柵極。圍繞每個(gè)單元的額外電路設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)化了整體響應(yīng)。這種架構(gòu)的主要優(yōu)點(diǎn)是在整個(gè)帶寬范圍內(nèi)保持可接受的增益，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于單個(gè)基本單元通常提供的增益。為獲得HMC930A的最佳性能并避免損壞器件，請(qǐng)遵循“偏置程序”部分所述的推薦偏置序列。