HMC5805A GaAs pHEMT MMIC 0.25W功率放大器，DC-40GHz技術(shù)手冊(cè)

概述

HMC5805ALS6是一款GaAs pHEMT MMIC分布式功率放大器，工作頻率范圍為DC至40 GHz。該放大器提供13 dB增益、33 dBm輸出IP3和+22 dBm輸出功率（1 dB增益壓縮），功耗為175 mA（采用+10 V電源）。HMC5805ALS6在8至32 GHz范圍內(nèi)具有略正增益斜率，因而非常適合EW、ECM、雷達(dá)和測(cè)試設(shè)備應(yīng)用。HMC5805ALS6放大器I/O內(nèi)部匹配50Ω，且6x6 mm SMT封裝非常適合自動(dòng)化組裝技術(shù)。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC5805A GaAs pHEMT MMIC 0.25W功率放大器，DC-40GHz技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 測(cè)試儀器儀表
• 微波無(wú)線電和VSAT
• 軍事和太空
• 電信基礎(chǔ)設(shè)施
• 光纖產(chǎn)品

特性

• 高P1dB輸出功率：+22 dBm
• 高Psat輸出功率：+24 dBm
• 高增益：13.5 dB
• 高輸出IP3：+33 dBm
• 電源電壓：+10V（175 mA時(shí)）
• 16引腳6x6 mm SMT陶瓷封裝：36 mm2

框圖

電氣規(guī)格

外形圖

引腳描述

應(yīng)用電路

HMC5805ALS6是一款GaAs pHEMT MMIC功率放大器。其基本架構(gòu)是共源共柵分布式放大器，允許控制一個(gè)漏極和兩個(gè)柵極的DC偏置。共源共柵分布式架構(gòu)使用由兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)堆疊而成的基本單元，上面FET的源極連接到下面FET的漏極。然后，基本單元被復(fù)制幾次，一條傳輸線將RFIN信號(hào)饋送到較低fet的柵極，一條單獨(dú)的傳輸線將較高fet的漏極互連，并將放大的信號(hào)路由到RFOUT/VDD引腳。圍繞每個(gè)單元使用額外的電路設(shè)計(jì)技術(shù)來(lái)優(yōu)化寬帶操作的整體性能。這種架構(gòu)的主要優(yōu)點(diǎn)是，在比單個(gè)基本單元所能提供的帶寬大得多的帶寬范圍內(nèi)保持高性能。此外，ACG1-ACG4還提供對(duì)內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的訪問(wèn)，當(dāng)提供推薦的交流接地端時(shí)，可確保整體響應(yīng)在盡可能寬的頻率范圍內(nèi)保持平坦。架構(gòu)的簡(jiǎn)化示意圖如下所示。