氮化鎵電源IC U8722AH產(chǎn)品概述

寬電壓范圍是指設(shè)備或系統(tǒng)能夠在較寬的電壓區(qū)間內(nèi)正常工作的能力。這意味著，當(dāng)電網(wǎng)電壓或供電電壓在一定范圍內(nèi)波動(dòng)時(shí)，具備寬電壓范圍的設(shè)備仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行，不會(huì)因電壓的波動(dòng)而損壞或影響性能。這種特性對(duì)于保障設(shè)備的持續(xù)、穩(wěn)定工作至關(guān)重要！

針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵電源ic U8722AH集成了Boost供電技術(shù)，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時(shí)，Boost電路啟動(dòng)工作，維持VDD電壓在VBOOST_REG (典型值10V/10.2V)，當(dāng)輸出電壓升高，輔助繞組電壓高于VBOOST_REG時(shí)，Boost電路停止工作，VDD由輔助繞組供電。

氮化鎵電源ic U8722AH采用SOP-7封裝，腳位如下：

1 CSI/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB P 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳

6 VDD P 芯片供電管腳

4 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

5 GND P 芯片參考地

7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓?jiǎn)?dòng)供電管腳

氮化鎵電源ic U8722AH主要特性：

1.集成700V E-GaN

2.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能

3.超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗<30mW

4.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)

5.集成EMI優(yōu)化技術(shù)

6.驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

7.集成 Boost 供電電路

8.集成完備的保護(hù)功能：VDD 過(guò)壓/欠壓保護(hù)(VDD OVP/UVLO)、輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)、輸入欠壓保護(hù)(BOP)、片內(nèi)過(guò)熱保護(hù)(OTP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過(guò)流保護(hù)(AOCP)、短路保護(hù)(SCP)、過(guò)載保護(hù) (OLP)、過(guò)流保護(hù)(SOCP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開(kāi)路保護(hù)。

氮化鎵電源ic U8722AH集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV(典型值6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此U8722AH通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開(kāi)通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。

穩(wěn)定的電壓是保障電子設(shè)備正常工作的基礎(chǔ)。深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源ic U8722AH，集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗，提供穩(wěn)定的電壓輸出，降低電子設(shè)備受電壓波動(dòng)的影響。