BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)

本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，是適用于這些應(yīng)用場(chǎng)景的最佳產(chǎn)品。BM3G005MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最優(yōu)解決方案。通過(guò)將 650 伏增強(qiáng)型氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaNHEMT）和硅驅(qū)動(dòng)器集成到羅姆公司的原創(chuàng)封裝中，與傳統(tǒng)的分立解決方案相比，由印刷電路板（PCB）和引線鍵合所導(dǎo)致的寄生電感大幅降低。正因如此，能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá) 150 伏 /納秒的高開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換速率。另一方面，可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度有助于降低電磁干擾（EMI），并且各種保護(hù)功能以及其他附加功能實(shí)現(xiàn)了成本和印刷電路板尺寸的優(yōu)化。這款集成電路設(shè)計(jì)為適配現(xiàn)有的主流控制器，因此它也可用于替代傳統(tǒng)的分立功率開(kāi)關(guān)，比如超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。

*附件：BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

主要規(guī)格

型號(hào) | BM3G005MUV-LBE2

封裝 | VQFN046V8080

包裝形態(tài) | Taping

包裝數(shù)量 | 1000

最小獨(dú)立包裝數(shù)量 | 1000

RoHS | Yes

特性

• Nano Cap?集成 5V 低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）
• VDD 引腳電壓寬工作范圍
• IN 引腳電壓寬工作范圍
• 低 VDD 靜態(tài)和工作電流
• 低傳播延遲
• 高抗 dv/dt 能力
• 可調(diào)節(jié)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
• 電源正常信號(hào)輸出
• VDD 欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)
• 熱關(guān)斷保護(hù)

應(yīng)用

• 工業(yè)設(shè)備
• 對(duì)功率密度和效率有高要求的電源，或采用橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的電源，如圖騰柱式功率因數(shù)校正（PFC）、LLC 電源、適配器等

典型應(yīng)用電路

引腳配置

引腳描述