BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊
本產品是面向工業(yè)設備市場的優(yōu)質產品，是這些應用場景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統提供了最佳解決方案。通過將 650V 增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaNHEMT）和硅驅動器集成到羅姆的原創(chuàng)封裝中，與傳統的分立解決方案相比，由印刷電路板（PCB）和引線鍵合引起的寄生電感顯著降低。因此，其能夠實現高達150V/ns 的高開關轉換速率。另一方面，可調節(jié)的柵極驅動強度有助于降低電磁干擾（EMI），各種保護功能和其他附加功能優(yōu)化了成本和 PCB尺寸。該集成電路旨在適配現有的主流控制器，因此它還可用于替代傳統的分立功率開關，如超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。
*附件：BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊.pdf
主要規(guī)格
型號 | BM3G107MUV-LBE2
封裝 | VQFN046V8080
包裝形態(tài) | Taping
包裝數量 | 1000
最小獨立包裝數量 | 1000
RoHS | Yes
特性
- Nano Cap?集成 5V 低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）
- VDD 引腳電壓寬工作范圍
- IN 引腳電壓寬工作范圍
- 低 VDD 靜態(tài)和工作電流
- 低傳播延遲
- 高抗 dv/dt 能力
- 可調節(jié)柵極驅動強度
- 電源正常信號輸出
- VDD 欠壓鎖定（UVLO）保護
- 熱關斷保護
應用
典型應用電路
引腳配置
引腳描述
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
IC
+關注
關注
36文章
6019瀏覽量
177041 -
GaN
+關注
關注
19文章
2086瀏覽量
75110 -
數據手冊
+關注
關注
95文章
6138瀏覽量
43044 -
HEMT
+關注
關注
2文章
72瀏覽量
12694
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管（GaN）市場。
發(fā)表于 11-22 15:16
?2100次閱讀
ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積！
*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（
發(fā)表于 07-24 11:47
?566次閱讀
ROHM具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT
全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產，這兩款產品非常適用于服務器和AC適
未來智能城市的動力引擎：潤新微電子的650V GaN功率晶體管（FET）
潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產品具備卓越的性能和廣泛的應用領域。 產品特點： 易于使用：650V
ROHM開發(fā)出EcoGaN Power Stage IC
*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（
ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC BM3G0xxMUV-LB，助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積
*1 ，開發(fā)出集650V GaN HEMT *2 和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“ BM3G0xxMUV-LB
大大減少體積及損耗！羅姆Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”重磅來襲
為進一步滿足消費電子和工業(yè)設備的電源提出的更高節(jié)能要求，以實現社會的可持續(xù)發(fā)展，羅姆開發(fā)出集650V GaN HEMT和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC
汽車650V GaN功率級頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設計和性能
電子發(fā)燒友網站提供《汽車650V GaN功率級頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設計和性能.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 09-24 11:27
?0次下載
ROHM攜手ATX量產650V耐壓GaN HEMT
全球知名半導體制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產。這一里程碑式的進展
GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數據手冊
） ，導通電阻 70mΩ，柵極電荷 5.2nC。 *附件：GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數據手冊.pdf 主要規(guī)格 型
GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數據手冊
GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT，實現了業(yè)內出色的FOM。該產品屬于EcoGaN?系列產品，利用該系列產品低導通電阻和高速開關的特性，有助于提高功率轉換效率并減
BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊
該產品是工業(yè)設備市場的一流產品。這是在這些應用中使用的最佳產品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統提供了最佳解決方案。通過將650V增強型GaN
BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊
本產品是面向工業(yè)設備市場的優(yōu)質產品，是適用于這些應用場景的最佳產品。BM3G005MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統提供了最優(yōu)解決方案。通過將 650 伏增強型氮化鎵高電子遷移率
BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊
該產品是保證在工業(yè)市場長期供應的產品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統。通過將650V增強型GaN HEMT
BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊
該產品是保證在工業(yè)市場長期供應的產品。BM3G007MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統。通過將650V增強型GaNHEMT和Si驅動器集成于ROHM自有封裝，與以往的分立
工商網監(jiān)
評論