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集成電路可靠性試驗(yàn)項(xiàng)目匯總

金鑒實(shí)驗(yàn)室 ? 2025-03-07 15:34 ? 次閱讀

在現(xiàn)代電子產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)過程中,可靠性測(cè)試是確保產(chǎn)品質(zhì)量和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

可靠性測(cè)試

可靠性(Reliability)是衡量產(chǎn)品耐久力的重要指標(biāo),它反映了產(chǎn)品在規(guī)定條件下和規(guī)定時(shí)間內(nèi)完成規(guī)定功能的能力。對(duì)于集成電路(IC)等電子元器件,其失效過程可以通過“浴缸曲線”(Bathtub Curve)來形象地描述。該曲線將產(chǎn)品生命周期分為三個(gè)階段:

1. 早夭期(Infancy Period)

在產(chǎn)品投入使用初期,失效率較高,但隨著時(shí)間推移迅速下降。這一階段的失效通常由設(shè)計(jì)缺陷、生產(chǎn)工藝問題或原材料質(zhì)量問題引起。

2. 使用期(Useful Life Period)

經(jīng)過初期磨合后,產(chǎn)品進(jìn)入相對(duì)穩(wěn)定的使用階段,失效率保持在一個(gè)較低且相對(duì)穩(wěn)定的水平。此時(shí)的失效多為隨機(jī)事件,如溫度變化、電壓波動(dòng)等外部因素導(dǎo)致。

3. 磨耗期(Wear-Out Period)

隨著使用時(shí)間的延長,產(chǎn)品逐漸進(jìn)入老化階段,失效率開始顯著上升。這一階段的失效主要是由于材料老化、機(jī)械磨損或長期使用導(dǎo)致的性能衰退。

可靠性測(cè)試項(xiàng)目分類

1.早期失效等級(jí)測(cè)試(Early Fail Rate Test, EFR)

  • 目的:評(píng)估生產(chǎn)工藝的穩(wěn)定性,加速暴露產(chǎn)品中潛在的缺陷,剔除因設(shè)計(jì)或制造工藝問題導(dǎo)致的早期失效產(chǎn)品。
  • 測(cè)試條件:通過動(dòng)態(tài)提升溫度和電壓,在特定時(shí)間內(nèi)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行加速測(cè)試。
  • 失效機(jī)制:主要包括材料或工藝缺陷,如氧化層缺陷、金屬刻蝕不均、離子污染等。
  • 參考標(biāo)準(zhǔn):JESD22-A108-A、EIAJED-4701-D101。

2. 高/低溫操作生命期試驗(yàn)(High/Low Temperature Operating Life, HTOL/LTOL)

  • 目的:評(píng)估器件在高溫和低溫條件下的耐久性,模擬產(chǎn)品在極端環(huán)境下的長期工作性能。
  • 測(cè)試條件:在125℃、1.1VCC等條件下進(jìn)行動(dòng)態(tài)測(cè)試。
  • 失效機(jī)制:電子遷移、氧化層破裂、離子擴(kuò)散、不穩(wěn)定性等。
  • 參考數(shù)據(jù):125℃條件下,1000小時(shí)測(cè)試通過可保證產(chǎn)品持續(xù)使用4年,2000小時(shí)測(cè)試通過可保證使用8年;150℃條件下,1000小時(shí)測(cè)試通過可保證使用8年,2000小時(shí)測(cè)試通過可保證使用28年。
  • 參考標(biāo)準(zhǔn):MIT-STD-883E Method 1005.8、JESD22-A108-A、EIAJED-4701-D101。

環(huán)境測(cè)試項(xiàng)目(Environmental Test Items)

1. 預(yù)處理測(cè)試(Precondition Test, PRE-CON)

  • 目的:金鑒實(shí)驗(yàn)室為客戶提供全面的預(yù)處理測(cè)試服務(wù),模擬IC產(chǎn)品在使用前的存儲(chǔ)環(huán)境,評(píng)估其在一定濕度和溫度條件下的耐久性,以確保產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性。
  • 測(cè)試條件:根據(jù)具體應(yīng)用場景設(shè)定濕度和溫度參數(shù)。

2. 加速式溫濕度及偏壓測(cè)試(Temperature Humidity Bias Test, THB)

  • 目的:評(píng)估IC產(chǎn)品在高溫、高濕和偏壓條件下的抗?jié)駳饽芰?,加速其失效進(jìn)程。
  • 測(cè)試條件:85℃、85%相對(duì)濕度(RH)、1.1VCC,靜態(tài)偏壓。
  • 失效機(jī)制:電解腐蝕。
  • 參考標(biāo)準(zhǔn):JESD22-A101-D、EIAJED-4701-D122。

3. 高加速溫濕度及偏壓測(cè)試(Highly Accelerated Stress Test, HAST)

  • 目的:在更高的溫度、濕度和氣壓條件下評(píng)估IC產(chǎn)品的抗?jié)駳饽芰?,進(jìn)一步加速失效過程。
  • 測(cè)試條件:130℃、85%RH、1.1VCC,靜態(tài)偏壓,2.3大氣壓。
  • 失效機(jī)制:電離腐蝕、封裝密封性問題。
  • 參考標(biāo)準(zhǔn):JESD22-A110。

4. 高壓蒸煮試驗(yàn)(Pressure Cook Test, PCT)

  • 目的:評(píng)估IC產(chǎn)品在高溫、高濕和高氣壓條件下的抗?jié)駳饽芰?,加速其失效過程。金鑒實(shí)驗(yàn)室提供專業(yè)的PCT測(cè)試服務(wù),幫助半導(dǎo)體、微電子等行業(yè)的企業(yè)評(píng)估其產(chǎn)品的密封性和老化性能,確保產(chǎn)品在市場中的競爭力。
  • 測(cè)試條件:130℃、85%RH,靜態(tài)偏壓,15PSIG(2大氣壓)。
  • 失效機(jī)制:化學(xué)金屬腐蝕、封裝密封性問題。
  • 參考標(biāo)準(zhǔn):JESD22-A102、EIAJED-4701-B123。
  • 區(qū)別:與THB相比,PCT的溫度更高,且考慮了氣壓因素,實(shí)驗(yàn)時(shí)間可縮短;與HAST相比,PCT不加偏壓,但濕度更大。

5. 高低溫循環(huán)試驗(yàn)(Temperature Cycling Test, TCT)

  • 目的:評(píng)估IC產(chǎn)品中不同熱膨脹系數(shù)的金屬之間的界面接觸質(zhì)量,通過循環(huán)變化的溫度條件模擬實(shí)際使用中的熱沖擊。
  • 測(cè)試條件:Condition B:-55℃至125℃;Condition C:-65℃至150℃。
  • 失效機(jī)制:電介質(zhì)斷裂、導(dǎo)體與絕緣體斷裂、不同界面分層。
  • 參考標(biāo)準(zhǔn):MIT-STD-883E Method 1010.7、JESD22-A104-A、EIAJED-4701-B-131。

6. 高低溫沖擊試驗(yàn)(Thermal Shock Test, TST)

  • 目的:與TCT類似,評(píng)估IC產(chǎn)品中不同熱膨脹系數(shù)的金屬之間的界面接觸質(zhì)量,但通過循環(huán)流動(dòng)的液體實(shí)現(xiàn)更快速的溫度變化。
  • 測(cè)試條件:Condition B:-55℃至125℃;Condition C:-65℃至150℃。
  • 失效機(jī)制:電介質(zhì)斷裂、材料老化(如鍵合絲)、導(dǎo)體機(jī)械變形。
  • 參考標(biāo)準(zhǔn):MIT-STD-883E Method 1011.9、JESD22-B106、EIAJED-4701-B-141。
  • 區(qū)別:TCT主要針對(duì)封裝測(cè)試,而TST更側(cè)重于晶圓測(cè)試。

7. 高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(High Temperature Storage Life Test, HTST)

  • 目的:評(píng)估IC產(chǎn)品在高溫條件下長期閑置的耐久性。
  • 測(cè)試條件:150℃。
  • 失效機(jī)制:化學(xué)和擴(kuò)散效應(yīng)、Au-Al共晶效應(yīng)。
  • 參考標(biāo)準(zhǔn):MIT-STD-883E Method 1008.2、JESD22-A103-A、EIAJED-4701-B111。

8. 可焊性試驗(yàn)(Solderability Test)

  • 目的:評(píng)估IC引腳在焊接過程中的可靠性。
  • 測(cè)試方法:Step 1:蒸汽老化8小時(shí);Step 2:浸入245℃錫盆中5秒。
  • 失效標(biāo)準(zhǔn):至少95%良率。
  • 參考標(biāo)準(zhǔn):MIT-STD-883E Method 2003.7、JESD22-B102。

9. 焊接熱量耐久測(cè)試(Solder Heat Resistivity Test, SHT Test)

  • 目的:評(píng)估IC對(duì)瞬間高溫的敏感度。
  • 測(cè)試方法:浸入260℃錫盆中10秒。
  • 失效標(biāo)準(zhǔn):根據(jù)電測(cè)試結(jié)果判斷。
  • 參考標(biāo)準(zhǔn):MIT-STD-883E Method 2003.7、EIAJED-4701-B106。

耐久性測(cè)試項(xiàng)目(Endurance Test Items)

1. 周期耐久性測(cè)試(Endurance Cycling Test)

  • 目的:評(píng)估非揮發(fā)性存儲(chǔ)器在多次讀寫操作后的持久性能。
  • 測(cè)試方法:將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)單元,然后擦除數(shù)據(jù),重復(fù)該過程多次。
  • 測(cè)試條件:室溫或更高溫度,每個(gè)數(shù)據(jù)的讀寫次數(shù)達(dá)到100,000至1,000,000次。
  • 參考標(biāo)準(zhǔn):MIT-STD-883E Method 1033。

2. 數(shù)據(jù)保持力測(cè)試(Data Retention Test)

  • 目的:在重復(fù)讀寫操作后,加速評(píng)估非揮發(fā)性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電荷保持能力。
  • 測(cè)試條件:在高溫條件下將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)單元,然后多次讀取驗(yàn)證數(shù)據(jù)完整性。
  • 失效機(jī)制:高溫加速電荷泄漏,導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。
  • 參考標(biāo)準(zhǔn):相關(guān)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

可靠性測(cè)試的重要性與應(yīng)用

可靠性測(cè)試在電子產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和質(zhì)量控制中具有不可替代的作用。通過對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行嚴(yán)格的可靠性測(cè)試,可以提前發(fā)現(xiàn)潛在的缺陷和問題,優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計(jì),提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和使用壽命。同時(shí),可靠性測(cè)試結(jié)果也為產(chǎn)品的市場推廣和用戶選擇提供了重要參考依據(jù)。

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