近日，華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會，共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計、制造、材料等領(lǐng)域的最新進(jìn)展及挑戰(zhàn)。
會上，湖南大學(xué)電氣與信息工程學(xué)院王俊教授詳細(xì)介紹了SiC功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計與應(yīng)用領(lǐng)域的熱點問題及團(tuán)隊所取得的最新研究成果，翟東媛副教授圍繞缺陷測試方面的前沿趨勢和團(tuán)隊已有的研究基礎(chǔ)，進(jìn)行系統(tǒng)而深入的闡述。
公司4位技術(shù)專家也帶來精彩的分享，結(jié)合行業(yè)專業(yè)會議ICSCRM的熱點議題，就企業(yè)SiC MOSFET工藝、電動汽車用SiC MOSFET及SiC材料領(lǐng)域的最新進(jìn)展和挑戰(zhàn)等話題進(jìn)行深入剖析。
本次會議為公司與湖南大學(xué)搭建了一個高效的交流協(xié)作平臺，雙方開展熱烈討論與交流，氣氛活躍、互動頻繁，取得良好效果。
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原文標(biāo)題：華大半導(dǎo)體—湖南大學(xué)SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會成功舉辦
文章出處：【微信號：HDSC_semiconductor，微信公眾號：華大半導(dǎo)體有限公司】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
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