DS1321靈活的非易失控制器，帶有鋰電池技術(shù)手冊(cè)

概述
帶鋰電池監(jiān)控器的DS1321靈活非易失性控制器是一款CMOS電路，解決了將CMOS SRAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí)，芯片使能輸出會(huì)被禁止以實(shí)現(xiàn)寫保護(hù)，并且電池會(huì)開啟以向SRAM提供不間斷電源。特殊電路采用低泄漏CMOS工藝，能夠以超低的電池消耗提供高精度的電壓檢測(cè)。一個(gè)DS1321可支持多達(dá)四個(gè)以三種存儲(chǔ)器配置中的任意一種排列的SRAM。

除了備用電池支持之外，DS1321執(zhí)行的重要功能還包括監(jiān)控鋰電池剩余電量并在電池電量耗盡之前發(fā)出警告。由于鋰備用電池的開路電壓在其使用壽命的大部分時(shí)間內(nèi)保持相對(duì)恒定，因此準(zhǔn)確的電池監(jiān)控需要測(cè)量裝載電池電壓。為了執(zhí)行此類測(cè)量，DS1321會(huì)定期將電池電壓與精心選擇的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，因?yàn)樗С謨?nèi)部阻性負(fù)載。如果在這種情況下電池電壓降至基準(zhǔn)電壓以下，電池電量很快就會(huì)耗盡。因此，電池警告引腳會(huì)被激活，以發(fā)出需要更換電池的信號(hào)。
數(shù)據(jù)表：*附件：DS1321靈活的非易失控制器，帶有鋰電池技術(shù)手冊(cè).pdf
特性

• 將CMOS SRAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器
• 當(dāng)VCC超出容差時(shí)，對(duì)SRAM實(shí)施無條件寫保護(hù)
• 發(fā)生VCC電源故障時(shí)自動(dòng)切換至電池備用電源
• 靈活的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)
  • 模式0：4組，每組1個(gè)SRAM
  • 模式1：2組，每組2個(gè)SRAM
  • 模式2：1組，每組4個(gè)SRAM
• 監(jiān)控鋰電池的電壓并在即將發(fā)生電池故障時(shí)發(fā)出預(yù)警
• 低電平有效時(shí)發(fā)出低電池電量狀態(tài)信號(hào)電池警告輸出信號(hào)
• 發(fā)生電源故障時(shí)復(fù)位處理器，并在系統(tǒng)上電期間使處理器保持復(fù)位狀態(tài)
• 可選5%或10%電源故障檢測(cè)
• 16引腳PDIP、16引腳SO和20引腳TSSOP封裝
• 工業(yè)溫度范圍：?40°C至+85°C
  引腳配置
  
  DS1321可以通過MODE引腳配置四個(gè)附加程序的三種不同排列。上電時(shí)，MODE引腳的狀態(tài)鎖存為Vcci = VccTP。詳情見圖1。
  
  DS1321執(zhí)行為多達(dá)四個(gè)ram提供備用電池所需的所有電路功能。首先，該設(shè)備提供了一個(gè)開關(guān)來直接從電池或系統(tǒng)電源(Vcc)供電。每當(dāng)Vcci小于Vccrp跳變點(diǎn)且Vcci小于電池電壓VBAr時(shí)，電池就會(huì)切換到為SRAM提供備用電源。該開關(guān)的電壓降小于0.2伏。
  其次，DS1321處理電源故障檢測(cè)和SRAM寫保護(hù)。Vcci受到持續(xù)監(jiān)控，當(dāng)電源超出容差范圍時(shí)，精密比較器會(huì)檢測(cè)到電源故障，并禁止四個(gè)芯片使能輸出，以便對(duì)SRAMs進(jìn)行寫保護(hù)。當(dāng)Vcci超出容差時(shí)，通過將CEO1至CEO4保持在Vcco的0.2范圍內(nèi)來實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。如果在檢測(cè)到電源故障時(shí)，任何CEI有效(低電平),則相應(yīng)的CEO信號(hào)保持低電平，直到CEI信號(hào)再次變?yōu)楦唠娖健Ｒ坏〤EI信號(hào)被拉高，CEO信號(hào)就被拉高并保持高電平，直到Vcci回到其標(biāo)稱電壓電平。如果在檢測(cè)到電源故障后1.5 us內(nèi)CEI信號(hào)未被拉高，則相應(yīng)的CEO此時(shí)會(huì)被強(qiáng)制拉高。這種用于將寫保護(hù)延遲長達(dá)1.5 us的特定方案保證了當(dāng)電源故障發(fā)生時(shí)，任何正在進(jìn)行的存儲(chǔ)器訪問都將正確完成。當(dāng)TOL引腳連接到GND時(shí)，電源故障檢測(cè)發(fā)生在4.75至4.5伏范圍內(nèi)(5%容差)，當(dāng)TOL連接到Vcco時(shí)，電源故障檢測(cè)發(fā)生在4.5至4.25伏范圍內(nèi)(10%容差)。