DS1747 Y2K兼容、非易失時(shí)鐘RAM技術(shù)手冊(cè)

概述
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問。RTC信息和控制位占用RAM中最高的8個(gè)地址。RTC寄存器包含世紀(jì)、年、月、日、星期、小時(shí)、分和秒數(shù)據(jù)，采用24小時(shí)BCD格式。器件可自動(dòng)對(duì)每個(gè)月份及閏年進(jìn)行日期校正。RTC時(shí)鐘寄存器采用雙緩沖，可避免在時(shí)鐘更新周期內(nèi)訪問不正確的數(shù)據(jù)。雙緩沖系統(tǒng)還可以防止訪問時(shí)間寄存器時(shí)導(dǎo)致倒數(shù)計(jì)時(shí)無法減少而引起的時(shí)間丟失。DS1747還包含電源失效電路，用于當(dāng)VCC電源超出容差時(shí)，禁止選通器件。由于低VCC引起不可預(yù)測(cè)的系統(tǒng)操作，該特性可以避免這種情況下的數(shù)據(jù)丟失，從而避免錯(cuò)誤的訪問和更新。

數(shù)據(jù)表：*附件：DS1747 Y2K兼容、非易失時(shí)鐘RAM技術(shù)手冊(cè).pdf

特性

• 集成的NV SRAM、實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)、晶體、電源失效控制電路和鋰電池
• 訪問時(shí)鐘寄存器方式與靜態(tài)RAM完全相同，這些寄存器位于RAM中最高的8個(gè)地址
• 世紀(jì)字節(jié)寄存器；Y2K兼容
• 完全的非易失性，可在缺少電源的條件下工作10年以上
• BCD編碼的世紀(jì)、年、月、日、星期、小時(shí)、分和秒數(shù)據(jù)，可自動(dòng)進(jìn)行閏年補(bǔ)償至2100年
• 電池電壓指示標(biāo)志
• 電源失效寫保護(hù)，允許±10%的VCC電源容差
• 鋰電池處于開路的保鮮模式，直至首次電源加電
• 僅對(duì)于DIP模塊：
  • 標(biāo)準(zhǔn)的JEDEC字節(jié)寬度512k x 8靜態(tài)RAM引腳排列
• 僅對(duì)于PowerCap模板：
  • 可表貼的封裝直接與包含電池和晶體的PowerCap連接
  • 可替換的電池(PowerCap)
  • 上電復(fù)位輸出
  • 引腳兼容于其他密度的DS174xP時(shí)間保持RAM
• 可提供工作在工業(yè)級(jí)溫度范圍(-40°C至+85°C)的芯片
  引腳配置
  

設(shè)置時(shí)鐘
如表2所示，控制寄存器的第7位是W（寫）位。將W位設(shè)置為1會(huì)停止對(duì)設(shè)備寄存器的更新。用戶隨后可以將正確的日期和時(shí)間值加載到所有八個(gè)寄存器中，然后對(duì)控制寄存器進(jìn)行00小時(shí)的寫入周期，以清除W位并將這些新設(shè)置傳輸?shù)綍r(shí)鐘中，從而允許從新的設(shè)定點(diǎn)恢復(fù)計(jì)時(shí)操作。
再次參考表2，控制寄存器的位6是R（讀取）位。將R位設(shè)置為1會(huì)停止對(duì)設(shè)備寄存器的更新。用戶隨后可以從八個(gè)寄存器中讀取日期和時(shí)間值，而這些內(nèi)容在I/0操作期間可能不會(huì)改變。隨后向控制寄存器寫入00小時(shí)以清除R位，允許計(jì)時(shí)操作從之前的設(shè)定點(diǎn)恢復(fù)。如果在該寫入操作中將W或R位設(shè)置為1，則控制寄存器位0:5(世紀(jì)值）的預(yù)先存在的內(nèi)容將被忽略/不被控制的寫入周期修改。
如果在寫入操作中將W位清除為0，則控制寄存器位0:5（世紀(jì)值）的預(yù)先存在的內(nèi)容將通過寫入周期修改為控制。如果在該寫入操作中將R位清除為0，則控制寄存器位0:5(世紀(jì)值）的預(yù)先存在的內(nèi)容將不會(huì)被寫入周期修改為控制。