一、應(yīng)變片的由來(lái)
1. 科學(xué)發(fā)現(xiàn):電阻應(yīng)變效應(yīng)(1856年)
應(yīng)變片的誕生源于一項(xiàng)關(guān)鍵物理現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)。1856年,英國(guó)物理學(xué)家威廉·湯姆森(William Thomson,即開(kāi)爾文勛爵)在研究金屬導(dǎo)線時(shí),首次觀察到金屬材料在受力變形時(shí)電阻值會(huì)發(fā)生變化,這一現(xiàn)象被稱(chēng)為電阻應(yīng)變效應(yīng)。這一發(fā)現(xiàn)為應(yīng)變片的設(shè)計(jì)奠定了理論基礎(chǔ),但受限于當(dāng)時(shí)的技術(shù)水平,尚未實(shí)現(xiàn)實(shí)際應(yīng)用。
2. 原型誕生:金屬絲應(yīng)變片(1930年代)
20世紀(jì)30年代,美國(guó)工程師**愛(ài)德華·E·西蒙斯(Edward E. Simmons)和阿瑟·C·魯格(Arthur C. Ruge)**獨(dú)立研發(fā)出首款實(shí)用化應(yīng)變片。他們使用直徑約0.025mm的康銅(銅鎳合金)絲繞制成柵狀結(jié)構(gòu),并用膠水固定在紙基上,形成了最早的金屬絲應(yīng)變片。這種設(shè)計(jì)首次實(shí)現(xiàn)了將機(jī)械應(yīng)變轉(zhuǎn)換為可測(cè)量的電阻變化,并迅速應(yīng)用于橋梁和飛機(jī)結(jié)構(gòu)的應(yīng)力測(cè)試。
3. 技術(shù)突破:箔式應(yīng)變片的發(fā)明(1952年)
金屬絲應(yīng)變片存在靈敏度低、易斷裂等缺陷。1952年,美國(guó)BLH公司通過(guò)光刻蝕刻技術(shù),在聚酰亞胺薄膜上制作出超薄金屬箔敏感柵,研發(fā)出金屬箔式應(yīng)變片。這種新型應(yīng)變片具有更薄的厚度(3-5μm)、更高的靈敏系數(shù)(K=2.1K=2.1),并可通過(guò)圖案設(shè)計(jì)優(yōu)化應(yīng)變傳遞效率,成為現(xiàn)代應(yīng)變片的標(biāo)志性形態(tài)。
4. 材料革新:半導(dǎo)體與特殊場(chǎng)景應(yīng)變片(1960年代后)
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展:
半導(dǎo)體應(yīng)變片(1960年代):利用硅、鍺等材料的壓阻效應(yīng),靈敏系數(shù)(K=100~150K=100~150)遠(yuǎn)超金屬應(yīng)變片,但需解決溫度漂移問(wèn)題。
高溫應(yīng)變片(1970年代):采用卡瑪合金(Karma)或陶瓷基底,耐受溫度可達(dá)800°C,用于噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)熱端部件監(jiān)測(cè)。
光纖應(yīng)變片(21世紀(jì)):基于光纖布拉格光柵(FBG)技術(shù),實(shí)現(xiàn)抗電磁干擾、長(zhǎng)距離分布式測(cè)量。
二、應(yīng)變片的工作原理
1. 核心原理:電阻應(yīng)變效應(yīng)
應(yīng)變片基于電阻應(yīng)變效應(yīng),即導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料在機(jī)械變形時(shí)電阻值發(fā)生改變。其數(shù)學(xué)表達(dá)為:
(1)金屬應(yīng)變片
幾何形變主導(dǎo):金屬材料的電阻變化主要由長(zhǎng)度(LL)和橫截面積(AA)的變化引起。根據(jù)公式 R=ρLAR=ρAL?,拉伸時(shí) LL 增加、AA 減小,導(dǎo)致電阻增大。
應(yīng)變系數(shù):金屬的 KK 值通常為2.0左右,由幾何形變和泊松效應(yīng)共同決定。
(2)半導(dǎo)體應(yīng)變片
壓阻效應(yīng)主導(dǎo):半導(dǎo)體材料的電阻變化主要源于晶格變形引起的電阻率(ρρ)變化,其 KK 值可達(dá)100以上,靈敏度顯著高于金屬應(yīng)變片。
2. 測(cè)量系統(tǒng)與信號(hào)處理
應(yīng)變片通常接入惠斯通電橋電路,將電阻變化轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào):
電橋配置:1/4橋、半橋或全橋接法,全橋接法可提高靈敏度和抗干擾能力。
信號(hào)調(diào)理:通過(guò)放大器、濾波器消除噪聲,再經(jīng)模數(shù)轉(zhuǎn)換輸出應(yīng)變值。
3. 溫度補(bǔ)償技術(shù)
應(yīng)變片對(duì)溫度敏感,需采用補(bǔ)償措施:
補(bǔ)償片法:將同批次應(yīng)變片粘貼于無(wú)應(yīng)力試塊,與工作片組成差動(dòng)電橋,抵消溫度影響。
自補(bǔ)償應(yīng)變片:選用與待測(cè)材料熱膨脹系數(shù)匹配的敏感柵材料(如Karma合金),直接減少溫度誤差。
4. 特殊類(lèi)型應(yīng)變片
應(yīng)變花:由多個(gè)敏感柵按不同方向排列(如0°-45°-90°),用于測(cè)量復(fù)雜應(yīng)力狀態(tài)下的主應(yīng)變。
薄膜應(yīng)變片:采用濺射工藝在基底上沉積金屬或半導(dǎo)體薄膜,適用于微型化、高頻響應(yīng)場(chǎng)景。
三、總結(jié)
應(yīng)變片的發(fā)展史是材料科學(xué)與測(cè)量技術(shù)結(jié)合的典范。從早期金屬絲到現(xiàn)代半導(dǎo)體和光學(xué)應(yīng)變片,其靈敏度和適用場(chǎng)景不斷拓展。工作原理上,金屬與半導(dǎo)體應(yīng)變片分別通過(guò)幾何形變和壓阻效應(yīng)實(shí)現(xiàn)應(yīng)變-電信號(hào)轉(zhuǎn)換,輔以溫度補(bǔ)償技術(shù)提升精度。未來(lái),隨著MEMS技術(shù)和智能傳感器的進(jìn)步,應(yīng)變片將在物聯(lián)網(wǎng)、智能結(jié)構(gòu)監(jiān)測(cè)中發(fā)揮更大作用。
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審核編輯 黃宇
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應(yīng)變片
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