技術(shù)資料#LMG3622 650V 120mΩ GaN FET，集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)

LMG3622 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3622 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。

可編程導(dǎo)通轉(zhuǎn)換速率提供 EMI 和振鈴控制。與傳統(tǒng)的電流檢測電阻器相比，電流檢測仿真降低了功耗，并允許將低側(cè)導(dǎo)熱墊連接到冷卻 PCB 電源接地。
*附件：具有集成驅(qū)動(dòng)器和電流感應(yīng)仿真的 LMG3622650-V120mΩ GaN FET 數(shù)據(jù)表.pdf

該LMG3622支持轉(zhuǎn)換器輕載效率要求和突發(fā)模式作，具有低靜態(tài)電流和快速啟動(dòng)時(shí)間。保護(hù)功能包括欠壓鎖定 （UVLO）、逐周期電流限制和過熱保護(hù)。漏極開路 FLT 引腳報(bào)告過熱保護(hù)。

特性

• 650V 120mΩ GaN 功率 FET
• 集成柵極驅(qū)動(dòng)器，具有低傳播延遲和可調(diào)節(jié)的導(dǎo)通轉(zhuǎn)換速率控制
• 具有高帶寬和高精度的電流感應(yīng)仿真
• 逐周期過流保護(hù)
• 具有 FLT 引腳報(bào)告的過熱保護(hù)
• AUX 靜態(tài)電流：240 μA
• AUX 待機(jī)靜態(tài)電流：50 μA
• 最大電源和輸入邏輯引腳電壓：26 V
• 帶導(dǎo)熱墊的 8 mm × 5.3 mm QFN 封裝

參數(shù)

方框圖

應(yīng)用
?AC/DC適配器和充電器
?AC/DC USB壁式插座電源
?AC/DC輔助電源
?移動(dòng)壁式充電器設(shè)計(jì)
?USB壁式電源插座
?輔助電源

*附件：利用TI GaN集成電流傳感實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)效率最大化.pdf

*附件：LMG362x系列低功耗GaN FET的設(shè)計(jì).pdf