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先進(jìn)封裝中TSV工藝需要的相關(guān)設(shè)備

深圳市賽姆烯金科技有限公司 ? 來(lái)源:深圳市賽姆烯金科技有限 ? 2025-02-19 16:39 ? 次閱讀

Hello,大家好,我們來(lái)分享下先進(jìn)封裝中TSV需要的相關(guān)設(shè)備。

TSV 生產(chǎn)流程涉及到深孔刻蝕、PVD、CVD、銅填充、微凸點(diǎn)及電鍍、清洗、減薄、鍵合等二十余種設(shè)備,其中深孔刻蝕、氣相沉積、銅填充、清洗、CMP去除多余的金屬、晶圓減薄、晶圓鍵合等工序涉及的設(shè)備最為關(guān)鍵。

1)深孔刻蝕設(shè)備

深孔刻蝕是TSV的關(guān)鍵工藝,目前首選技術(shù)是基于Bosch工藝的干法刻蝕。深反應(yīng)等離子刻蝕設(shè)備是感應(yīng)耦合高密度等離子體干法刻蝕機(jī)(InductivelyCoupled Plasma Etcher),采用半導(dǎo)體刻蝕機(jī)的成熟技術(shù),獨(dú)特設(shè)計(jì)的雙等離子體源實(shí)現(xiàn)了對(duì)腔室內(nèi)等離子體密度的均勻控制,滿(mǎn)足硅高深寬比刻蝕工藝的要求。具有穩(wěn)定可靠的工藝性能、寬闊的工藝窗口和良好的工藝兼容性,用于晶片的高深寬比刻蝕。

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Bosch 工藝(來(lái)源Tescan

2)氣相沉積設(shè)備

氣相沉積設(shè)備主要用于薄膜電路表面的高低頻低應(yīng)力氧化硅等薄膜淀積。設(shè)備具有低溫TEOS工藝沉積氧化硅薄膜,應(yīng)力易調(diào)控,適用于薄膜電路制造中保護(hù)膜層的沉積。設(shè)備應(yīng)具有預(yù)真空室、基片傳送模塊以及工藝模塊等,傳片及工藝過(guò)程自動(dòng)化。絕緣層做好后,通過(guò)物理氣相沉積法(PVD)沉積金屬擴(kuò)散阻擋層和種子層,為后續(xù)的銅填充做好準(zhǔn)備。后續(xù)的電鍍銅填充要求TSV側(cè)壁和底部具有連續(xù)的阻擋層和種子層。種子層的連續(xù)性和均勻性被認(rèn)為是 TSV 銅填充最重要的影響因素。根據(jù)硅通孔的形狀、深寬比及沉積方法不同,種子層的特點(diǎn)也各有不同,種子層沉積的厚度、均勻性和粘合強(qiáng)度是極為重要的指標(biāo)。

3)銅填充設(shè)備

深孔金屬化電鍍?cè)O(shè)備用于新一代高頻組件高深寬比通孔填孔電鍍銅工藝,解決高深寬比微孔內(nèi)的金屬化問(wèn)題,提高互聯(lián)孔的可靠性。TSV填孔鍍銅工序是整個(gè)TSV工藝?yán)镒詈诵?、難度最大的工藝,對(duì)設(shè)備的要求比較高,成熟的用于TSV填孔鍍銅的設(shè)備價(jià)格昂貴。

4)減薄拋光設(shè)備

一旦完成了銅填充,則需要對(duì)晶圓進(jìn)行減薄拋光。TSV要求晶圓減薄至50μm甚至更薄,要使硅孔底部的銅暴露出來(lái),為下一步的互連做準(zhǔn)備。目前晶圓減薄可以通過(guò)機(jī)械研磨、化學(xué)機(jī)械拋光、濕法及干法化學(xué)處理等不同的加工工序來(lái)實(shí)現(xiàn),但晶圓很難容忍減薄過(guò)程中的磨削對(duì)晶圓的損傷及內(nèi)在應(yīng)力,其剛性也難以使晶圓保持原有的平整狀態(tài),同時(shí)后續(xù)工藝的晶圓傳遞、搬送也遇到了很大的問(wèn)題。目前業(yè)界的多采用一體機(jī)的思路,將晶圓的磨削、拋光、貼片等工序集合在一臺(tái)設(shè)備內(nèi)。

5)清洗設(shè)備

TSV 的濕法清洗不同于晶圓級(jí)封裝等先進(jìn)封裝,其中有幾個(gè)關(guān)鍵工序需用到清洗:

①TSV刻蝕后清洗:有比較重的硅的殘留、側(cè)壁的polymer比較重,清洗的時(shí)候不能破壞底部的二氧化硅;

②TSV長(zhǎng)完liner后要把底部的二氧化硅打開(kāi)后清洗,清洗底部的同時(shí)不能破壞側(cè)壁長(zhǎng)好的liner的二氧化硅;

③大馬士革正面制程刻蝕后的清洗包括Via刻蝕后和Trench刻蝕后;

④露銅過(guò)程前后的清洗。

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6)檢測(cè)量測(cè)設(shè)備

在后段封裝工藝中,芯片倒裝(Flip-chip)、圓片級(jí)封裝(Wafer-level Packaging)和硅通孔(Through-silicon Via,TSV)等先進(jìn)工藝要求對(duì)凸點(diǎn)(Bump)、通孔(TSV)、銅柱(Copper pillar)等的缺損/異物殘留及其形狀、間距、高度的一致性,以及重布線層(Re-distribution layer,RDL)進(jìn)行無(wú)接觸定量檢查和測(cè)量,以保證集成電路芯片生產(chǎn)線快速進(jìn)入量產(chǎn)階段并獲取穩(wěn)定的高成品率和高經(jīng)濟(jì)效益。

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原文標(biāo)題:半導(dǎo)體先進(jìn)封裝中TSV工藝需要的設(shè)備有哪些?

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