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中國第四代半導(dǎo)體技術(shù)獲重大突破:金剛石與氧化鎵實(shí)現(xiàn)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合

SEMIEXPO半導(dǎo)體 ? 來源:SEMIEXPO半導(dǎo)體 ? 2025-02-18 11:01 ? 次閱讀

2025年2月13日凌晨,中國科技界迎來一則重磅消息:吉林大學(xué)劉冰冰教授團(tuán)隊聯(lián)合中山大學(xué)朱升財教授,在國際頂級期刊《Nature Materials》上發(fā)表了最新研究論文,宣布團(tuán)隊首次成功合成高質(zhì)量六方金剛石塊材,其硬度與熱穩(wěn)定性遠(yuǎn)超傳統(tǒng)立方金剛石。

幾乎同一時間,北方華創(chuàng)公開表示,已為國內(nèi)多家研究機(jī)構(gòu)提供第四代半導(dǎo)體材料(如氧化鎵、金剛石)的晶體生長設(shè)備,加速技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。這兩項(xiàng)突破,標(biāo)志著中國在第四代半導(dǎo)體領(lǐng)域不僅實(shí)現(xiàn)了“從0到1”的原始創(chuàng)新,更邁出了“從實(shí)驗(yàn)室到生產(chǎn)線”的關(guān)鍵一步。

一、第四代半導(dǎo)體:為何成為“國之重器”?

1. 技術(shù)代際之爭:從硅到金剛石的性能躍遷

■第一代(硅、鍺):支撐了計算機(jī)革命,但已逼近物理極限,難以滿足高功率需求。

■第二代(砷化鎵):推動通信技術(shù)飛躍,卻因成本高昂局限于軍工和射頻領(lǐng)域。

■第三代(碳化硅、氮化鎵):成為新能源車、5G基站核心,但國際競爭激烈,中國仍依賴進(jìn)口。

■第四代(氧化鎵、金剛石):憑借超寬禁帶特性(氧化鎵4.9eV,金剛石5.5eV),可耐受極端高壓、高溫和輻射,被譽(yù)為“終極半導(dǎo)體”,是量子計算、深空探測、高能武器的“勝負(fù)手”。

以氧化鎵為例,其能量損耗僅為硅的1/3000,理論可將電動車充電時間縮短至“分鐘級”;而金剛石的介電擊穿強(qiáng)度是硅的33倍,能在500℃高溫下穩(wěn)定運(yùn)行,堪稱“半導(dǎo)體中的鉆石”。

2. 中國必須贏的三大理由

■ 軍事安全:氧化鎵雷達(dá)可穿透復(fù)雜電磁干擾,提升導(dǎo)彈制導(dǎo)精度;金剛石芯片可抵御核爆電磁脈沖,成為戰(zhàn)略武器“心臟”。

■能源革命:若全球數(shù)據(jù)中心采用氧化鎵器件,年節(jié)電量相當(dāng)于三峽電站3年發(fā)電量。

■產(chǎn)業(yè)鏈自主:中國鎵儲量占全球68%,但此前高端材料制備技術(shù)被日美壟斷。如今突破意味著從“賣礦石”轉(zhuǎn)向“賣芯片”。

二、科技突圍:從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)業(yè)化的“暗夜之戰(zhàn)”?

1. 六方金剛石:隕石中的“超級鉆石”逆襲

吉林大學(xué)團(tuán)隊通過模擬隕石撞擊地核的極端環(huán)境(50GPa超高壓、1400℃),發(fā)現(xiàn)石墨可經(jīng)“后石墨相”轉(zhuǎn)變?yōu)榱浇饎偸?,其硬度達(dá)155GPa,比立方金剛石高40%,熱穩(wěn)定性突破1100℃。這項(xiàng)成果不僅破解了隕石鉆石來源的地質(zhì)謎題,更將應(yīng)用于深井鉆探、太空艙防護(hù)層等極端場景。

■毫米級塊材合成:突破納米級限制,采用國產(chǎn)碳化鎢壓砧技術(shù),將壓力極限提升60%。

■綠色制造:免清洗工藝減少化學(xué)污染,契合碳中和目標(biāo)。

2. 氧化鎵:8英寸晶圓的“極限挑戰(zhàn)”

“每增加1英寸,良品率暴跌30%。”西安郵電大學(xué)實(shí)驗(yàn)室里,陳海峰教授指著泛著紫光的氧化鎵晶圓說道。這枚全球最大的8英寸晶圓(是在8寸硅片上制備出氧化鎵外延片),曾讓團(tuán)隊瀕臨崩潰——熱場溫度波動必須控制在±0.5℃,相當(dāng)于在颶風(fēng)中保持蠟燭不滅。

轉(zhuǎn)機(jī)來自一場“跨界合作”。團(tuán)隊引入航天材料的熱仿真模型,將熱場穩(wěn)定性提升10倍。如今,這條產(chǎn)線每片晶圓成本僅500美元,不到日本同類產(chǎn)品(日本NCT公司壟斷)的1/3。“以前是追著別人跑,現(xiàn)在我們要換賽道?!标惡7逭f。

三、全球競速:中國如何重構(gòu)半導(dǎo)體權(quán)力版圖?

1.技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)爭奪戰(zhàn)

中國正推動氧化鎵測試標(biāo)準(zhǔn)納入國際電工委員會(IEC),這是發(fā)展中國家首次主導(dǎo)半導(dǎo)體國際標(biāo)準(zhǔn)。而美國對氧化鎵的出口管制,反加速了中國國產(chǎn)化進(jìn)程。

2. 地緣博弈:美國為何“越封鎖越被動”?

日本雖掌握63%的氧化鎵專利,但中國近3年申請量激增400%,在“創(chuàng)新-量產(chǎn)-應(yīng)用”閉環(huán)中形成壓倒性優(yōu)勢。美國智庫CSIS報告承認(rèn):“傳統(tǒng)技術(shù)制裁對中國已失效?!?/p>

四、SEMI-e 2025寬禁帶半導(dǎo)體及功率器件主題專區(qū)

在全球競相追逐第四代半導(dǎo)體技術(shù)的背景下,SEMI-e 2025將充分利用華南地區(qū)市場優(yōu)勢,打造寬禁帶半導(dǎo)體及功率器件主題專區(qū),集中展示第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC、氮化鎵GaN、石墨及碳材料、立方氮化硼(C-BN);第四代半導(dǎo)體氧化鎵(Ga2O3)、金剛石、氮化鋁(AlN);晶圓、襯底、封裝、測試、光電子器件(發(fā)光二極管LED、激光器LD、探測器、紫外)、電力電子器件(二極管、MOSFET、JFET、BJT、IGBT、GTO、ETO、SBD、HEMT等)、微波射頻器件(HEMT、MMIC)等,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的聯(lián)動協(xié)同注入新的活力。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:行業(yè)資訊 | 中國第四代半導(dǎo)體重大突破:金剛石與氧化鎵雙劍合璧

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