近期，三星電子設(shè)備解決方案(DS)部門負責人兼副董事長全永鉉(Jun Young-hyun)與英偉達公司CEO黃仁勛，在加利福尼亞州桑尼維爾的英偉達總部舉行了一次重要會議。此次會議聚焦于三星電子改進其高帶寬存儲器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達供應(yīng)的相關(guān)事宜進行了深入討論。
此次高層會晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測，三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量認證工作已接近尾聲，這標志著三星即將正式邁入英偉達的HBM供應(yīng)鏈。對于三星而言，這無疑是其在存儲器領(lǐng)域取得的又一重要突破，有望進一步提升其在全球半導體市場的競爭力。
會議期間，雙方就HBM3E產(chǎn)品的技術(shù)細節(jié)、生產(chǎn)計劃以及供應(yīng)安排等進行了詳細交流。全永鉉副董事長表示，三星將全力以赴，確保HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量和供應(yīng)穩(wěn)定性，以滿足英偉達的需求。而黃仁勛CEO也對三星的努力表示贊賞，并期待雙方在未來能夠開展更加緊密的合作。
此次會晤不僅展示了三星與英偉達之間的良好合作關(guān)系，也為雙方未來的合作奠定了堅實的基礎(chǔ)。
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