BG75N65HRA1 IGBT單管在充電樁電源模塊的PFC維也納整流器(Vienna Rectifier)中具有以下顯著優(yōu)勢:
1. 低導通損耗提升效率
低飽和壓降(VCE(sat)):典型值僅1.6V(IC=75A,Tj=25C),顯著降低導通狀態(tài)下的功率損耗,適用于維也納整流器高頻開關(guān)場景,提升整體轉(zhuǎn)換效率。
集成標準整流器的低正向壓降:二極管正向壓降低至0.92V(Tj=100C),減少續(xù)流路徑損耗,進一步優(yōu)化系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)能力降低動態(tài)損耗
優(yōu)化的開關(guān)特性:短開關(guān)時間(如td(on)=35ns,td(off)=47ns)和低開關(guān)能量(Eon=420μJ,Eoff=1112μJ),適合維也納整流器的高頻工作模式(通常10-100kHz),減少開關(guān)損耗和EMI干擾。
高瞬態(tài)電流能力:脈沖電流IC(pulse)=300A,可應對充電樁負載突變需求,保障系統(tǒng)穩(wěn)定性。
3. 熱性能與可靠性優(yōu)勢
低熱阻設計:IGBT結(jié)到外殼的熱阻Rth(j?c)=0.37K/W,結(jié)合TO-247封裝的高效散熱能力,確保高功率場景下的溫升可控,延長器件壽命。
寬溫度工作范圍:支持Tj=?40C~150C,適應充電樁嚴苛環(huán)境下的長時間運行。
4. 集成化設計簡化拓撲結(jié)構(gòu)
IGBT與整流器共封裝:減少外部續(xù)流二極管需求,簡化維也納整流器三相橋臂布局,降低寄生參數(shù)影響,同時提高系統(tǒng)緊湊性和可靠性。
高浪涌電流能力:整流器非重復浪涌電流IFSM=600A(10ms),增強對瞬態(tài)過載的耐受性,減少保護電路復雜度。
5. 兼容性與應用適配性
符合高頻PFC需求:電容特性(如Cies=8164pF)與柵極電荷(QG=444nC)匹配高頻驅(qū)動設計,優(yōu)化開關(guān)速度與損耗平衡。
支持SiC SBD協(xié)同工作:動態(tài)測試中采用SiC肖特基二極管(FWD)作為續(xù)流器件,與IGBT協(xié)同降低反向恢復損耗,契合維也納整流器對高效率的需求。
6. 魯棒性與長期穩(wěn)定性
高電壓耐受能力:VCE=650V,滿足充電樁母線電壓(通常400-800V)需求,留足安全裕度。
符合環(huán)保標準:無鹵素設計(Halogen Free)與RoHS合規(guī),滿足全球市場準入要求。
總結(jié)
BG75N65HRA1憑借低損耗、高速開關(guān)、優(yōu)異熱管理及集成化設計,可顯著提升充電樁維也納整流器的功率密度、效率和可靠性,同時簡化系統(tǒng)設計,是高頻高功率PFC應用的理想選擇。實際應用中需結(jié)合驅(qū)動電路優(yōu)化(如柵極電阻匹配)和散熱設計(如強制風冷/散熱片),以充分發(fā)揮其性能潛力。
審核編輯 黃宇
-
PFC
+關(guān)注
關(guān)注
47文章
1019瀏覽量
108136 -
電源模塊
+關(guān)注
關(guān)注
33文章
1906瀏覽量
94417 -
充電樁
+關(guān)注
關(guān)注
152文章
2719瀏覽量
86701
發(fā)布評論請先 登錄
交流充電樁負載能效提升技術(shù)
長期工作的充電樁電源模塊中碳化硅MOSFET失效率越來越高的罪魁禍首:柵氧可靠性埋了大雷

國產(chǎn)SiC模塊賦能充電樁電源模塊功率等級跳躍和智能電網(wǎng)融合

MUN3C1BR6-SB電源模塊具有哪些優(yōu)勢?
電源模塊的EMC設計與干擾抑制技術(shù)

基本半導體產(chǎn)品在充電樁電源模塊中的應用
PFC電源模塊的工作原理 PFC技術(shù)對能源效率的影響
N+1熱插拔電源模塊并聯(lián)均流系統(tǒng)設計與實現(xiàn)

評論