0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
电子发烧友
开通电子发烧友VIP会员 尊享10大特权
海量资料免费下载
精品直播免费看
优质内容免费畅学
课程9折专享价
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

什么是晶圓制程的CPK

中科院半導(dǎo)體所 ? 來源:老虎說芯 ? 2025-02-11 09:49 ? 次閱讀

本文介紹了什么是晶圓制程的CPK。

CPK(Process Capability Index)是制程能力的關(guān)鍵指標(biāo),用于評估工藝過程能否穩(wěn)定生產(chǎn)出符合規(guī)格范圍的產(chǎn)品。它通過統(tǒng)計(jì)分析實(shí)際數(shù)據(jù)來衡量制程的中心位置與規(guī)格目標(biāo)的偏離程度,同時(shí)考慮過程的變異情況。換句話說,CPK反映了制程滿足設(shè)計(jì)要求的能力,以及制程的性能穩(wěn)定。

CPK 的計(jì)算公式如下:

CPK=min?(USL?μ3σ,μ?LSL3σ)

其中:

USL(Upper Specification Limit):規(guī)格上限

LSL(Lower Specification Limit):規(guī)格下限

μmu:制程的平均值

σsigma:制程的標(biāo)準(zhǔn)差

解釋:

(USL?μ)/3σ(USL - mu) / 3sigma:表示制程中心到規(guī)格上限的標(biāo)準(zhǔn)差數(shù)量。

(μ?LSL)/3σ(mu - LSL) / 3sigma:表示制程中心到規(guī)格下限的標(biāo)準(zhǔn)差數(shù)量。

取兩者的較小值是因?yàn)橹灰瞥唐x目標(biāo)的一側(cè)不足,就會(huì)導(dǎo)致Cpk值降低,反映問題的嚴(yán)重性。

CPK 的意義

CPK > 1.33:說明制程能力良好,絕大多數(shù)產(chǎn)品能夠落在規(guī)格范圍內(nèi)。

CPK = 1:制程能力基本達(dá)標(biāo),缺陷率較高,風(fēng)險(xiǎn)較大。

CPK < 1:制程能力不足,產(chǎn)品大量不符合規(guī)格,需要調(diào)整工藝或設(shè)備。

CPK 與制程能力的關(guān)系

CPK 考慮了制程的中心位置偏移:它不僅評估制程的變異(如標(biāo)準(zhǔn)差σsigma),還將制程中心與目標(biāo)值的偏移考慮在內(nèi)。如果制程中心沒有位于規(guī)格范圍的中心,CPK 會(huì)顯著降低,即使變異小也可能導(dǎo)致超出規(guī)格。

與 PPK 的區(qū)別:

CPK 是基于統(tǒng)計(jì)控制狀態(tài)下的數(shù)據(jù)計(jì)算的,用于評估當(dāng)前工藝是否穩(wěn)定。

PPK(Process Performance Index)則是基于實(shí)際所有數(shù)據(jù)計(jì)算的,評估實(shí)際生產(chǎn)能力。

例子問題描述:

光刻的臨界尺寸(CD)目標(biāo)為 100nm,規(guī)格范圍是100±5100 pm 5nm。如果測量數(shù)據(jù)的平均值偏移到 101nm,但數(shù)據(jù)穩(wěn)定(波動(dòng)?。珻PK 如何表現(xiàn)?

分析:

已知參數(shù):

USL = 105nm

LSL = 95nm

平均值(μmu)= 101nm

標(biāo)準(zhǔn)差(σsigma)通過測量得知(假設(shè)為 1nm)。

計(jì)算上下限的標(biāo)準(zhǔn)差偏移:

上限偏移=USL?μ3σ=105?1013×1=43=1.33

CPK 值:取較小值:

CPK=min?(1.33,2)=1.33CPK = min(1.33, 2) = 1.33

結(jié)果解釋:

雖然制程的標(biāo)準(zhǔn)差小且穩(wěn)定,但由于平均值偏離目標(biāo)值 100nm,CPK 達(dá)到了最低 1.33,僅勉強(qiáng)滿足制程能力要求。

CPK 影響的實(shí)際意義

連續(xù)偏離的風(fēng)險(xiǎn):如果每次測量值都偏離目標(biāo)值(如連續(xù) 101nm),即使 CPK > 1,也可能觸發(fā)工藝規(guī)定的異常報(bào)警。例如 "連續(xù)三次偏離 Target" 違反規(guī)則,需暫停并調(diào)整工藝。

偏移與缺陷率:偏離規(guī)格中心(如平均值偏向上限或下限),會(huì)增加接近邊界的產(chǎn)品比例,導(dǎo)致缺陷率升高。六西格瑪分析:CPK < 1 時(shí),產(chǎn)品超出規(guī)格范圍的概率會(huì)大幅增加。

總結(jié)

CPK 是評價(jià)工藝制程能力的重要指標(biāo),綜合考慮了制程中心與目標(biāo)的偏離程度以及制程變異。在生產(chǎn)過程中,CPK 的高低直接影響產(chǎn)品的合格率與質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn)。通過優(yōu)化工藝參數(shù)(如控制均值、降低變異),可提升 CPK 值,保證生產(chǎn)的高效性與穩(wěn)定性。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    52

    文章

    5130

    瀏覽量

    129264
  • cpk
    cpk
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    13

    瀏覽量

    9193

原文標(biāo)題:什么是晶圓制程的CPK(Process Capability Index)?

文章出處:【微信號(hào):bdtdsj,微信公眾號(hào):中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 0人收藏

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    Wafer Shaped Auto Teaching Sensor型中心校準(zhǔn)片#檢測 #測溫

    瑞樂半導(dǎo)體
    發(fā)布于 :2025年06月12日 16:49:25

    瑞樂半導(dǎo)體都有什么產(chǎn)品呢?#制造過程 #檢測 #測溫

    瑞樂半導(dǎo)體
    發(fā)布于 :2025年06月12日 16:48:05

    wafer厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)等數(shù)據(jù)測量的設(shè)備

    通過退火優(yōu)化和應(yīng)力平衡技術(shù)控制。 3、彎曲度(Bow) 源于材料與工藝的對稱性缺陷,對多層堆疊和封裝尤為敏感,需在晶體生長和鍍膜工藝中嚴(yán)格調(diào)控。 在先進(jìn)制程中,三者共同決定了的幾何完整性,是良率提升
    發(fā)表于 05-28 16:12

    減薄對后續(xù)劃切的影響

    前言在半導(dǎo)體制造的前段制程中,需要具備足夠的厚度,以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。盡管芯片功能層的制備僅涉及表面幾微米范圍,但完整
    的頭像 發(fā)表于 05-16 16:58 ?341次閱讀
    減薄對后續(xù)<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>劃切的影響

    簡單認(rèn)識(shí)減薄技術(shù)

    英寸厚度約為670微米,8英寸厚度約為725微米,12英寸厚度約為775微米。盡管芯
    的頭像 發(fā)表于 05-09 13:55 ?384次閱讀

    為什么要減薄

    300mm的厚度為775um,200mm的度為725um,這個(gè)厚度在實(shí)際封裝時(shí)太厚了。前段制程
    的頭像 發(fā)表于 12-24 17:58 ?1058次閱讀

    背面涂敷工藝對的影響

    一、概述 背面涂敷工藝是在背面涂覆一層特定的材料,以滿足封裝過程中的各種需求。這種工藝不僅可以提高芯片的機(jī)械強(qiáng)度,還可以優(yōu)化散熱性能,確保芯片的穩(wěn)定性和可靠性。 二、材料選擇
    的頭像 發(fā)表于 12-19 09:54 ?620次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>背面涂敷工藝對<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的影響

    碳化硅和硅的區(qū)別是什么

    以下是關(guān)于碳化硅和硅的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場。這使得碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:13 ?2891次閱讀

    電子發(fā)燒友

    中國電子工程師最喜歡的網(wǎng)站

    • 2931785位工程師會(huì)員交流學(xué)習(xí)
    • 獲取您個(gè)性化的科技前沿技術(shù)信息
    • 參加活動(dòng)獲取豐厚的禮品