制備用于掃描電子顯微鏡(SEM)分析的氬離子拋光和化學(xué)拋光(CP)截面樣品

氬離子束拋光技術(shù)（Argon Ion Beam Polishing, AIBP），一種先進(jìn)的材料表面處理工藝，它通過精確控制的氬離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行加工，以實(shí)現(xiàn)平滑無損傷的拋光效果。

技術(shù)概述

氬離子束拋光技術(shù)利用氬離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行物理濺射，從而達(dá)到拋光的效果。在這個(gè)過程中，氬氣作為惰性氣體，不會(huì)與樣品發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，保證了樣品的原始性質(zhì)不被破壞。通過精確控制離子束的能量、角度和作用時(shí)間，可以去除樣品表面的損傷層，暴露出材料的真實(shí)結(jié)構(gòu)。

應(yīng)用領(lǐng)域

經(jīng)過氬離子拋光的樣品適用于多種高精度分析技術(shù)，包括但不限于掃描電子顯微鏡（SEM）、光學(xué)顯微鏡、掃描探針顯微鏡、能量色散X射線光譜（EDS）、電子背散射衍射（EBSD）、陰極熒光（CL）、電子束誘導(dǎo)電流（EBIC）等。這些分析技術(shù)在半導(dǎo)體、鋰電池、光伏材料、地質(zhì)、金屬、陶瓷、高分子、聚合物、薄膜等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。

技術(shù)優(yōu)勢(shì)

與傳統(tǒng)的機(jī)械拋光相比，氬離子拋光技術(shù)提供了一種非破壞性的樣品制備方法。它避免了機(jī)械拋光可能帶來的樣品損傷和形變，通過精確控制拋光過程，可以獲得更高質(zhì)量的樣品表面，從而提高成像和分析的準(zhǔn)確性。此外，氬離子拋光技術(shù)可以適用于軟硬不同、溫度敏感的材料，這是傳統(tǒng)機(jī)械拋光難以實(shí)現(xiàn)的。

實(shí)際應(yīng)用案例

在鋰電池石墨負(fù)極片、芯片電極、LED金屬支架鍍層、線路板銅層等材料的截面拋光中，氬離子拋光技術(shù)能夠清晰地揭示材料內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)和成分分布。通過這種技術(shù)，研究人員可以在SEM下放大觀察到頁巖內(nèi)部的細(xì)微孔隙，以及材料內(nèi)部不同物質(zhì)的分層情況。

鋰電池石墨負(fù)極片截面拋光

芯片電極截面拋光

LED金屬支架鍍層截面拋光

線路板銅層截面拋光

線路板盲孔截面拋光

線路板盲孔截面拋光

金屬結(jié)合處平面拋光

線路板盲孔平面拋光

正極材料顆粒截面孔隙觀察

柔性顯示屏孔洞缺陷觀察

線路板通孔裂縫觀察

穿戴式顯示屏孔洞缺陷分析

LED芯片結(jié)構(gòu)分析

鍵合球與芯片電極結(jié)合效果觀察