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納芯微與復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院ICD實(shí)驗(yàn)室合作研發(fā)新突破,多項(xiàng)成果亮相JSSC

納芯微 ? 來(lái)源:納芯微 ? 作者:納芯微 ? 2025-01-24 15:30 ? 次閱讀

近日,納芯微復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院ICD實(shí)驗(yàn)室的徐佳偉、洪志良教授團(tuán)隊(duì)合作,圍繞智能傳感芯片開(kāi)展深度產(chǎn)學(xué)研融合,成功開(kāi)發(fā)了應(yīng)用于TMR磁傳感器、心率血氧采集高精度模擬前端芯片。相關(guān)合作研發(fā)成果已在國(guó)際固態(tài)電路權(quán)威期刊IEEE Journal of Solid-State Circuits(JSSC)上發(fā)表。

用于非接觸式電流傳感寬帶TMR磁傳感芯片

隧道磁電阻(TMR)傳感器具有高靈敏度、低功耗和快速響應(yīng)等特點(diǎn),這使得它在汽車(chē)傳感、智能電網(wǎng)新能源等領(lǐng)域的磁場(chǎng)和電流測(cè)量有廣泛的應(yīng)用。本項(xiàng)工作提出的芯片采用帶乒乓自動(dòng)調(diào)零的電流平衡儀表放大器,在2MHz的帶寬內(nèi)實(shí)現(xiàn)了206nTrms的積分磁噪聲。通過(guò)數(shù)字輔助偏移校準(zhǔn)方案,TMR傳感器的最大偏移降低至311nT。在補(bǔ)償TMR偏置電路的溫度系數(shù)后,其靈敏度漂移降低了18倍。所提出的TMR傳感器讀出器(包括傳感器偏置電路)在性能系數(shù)(FoM)方面實(shí)現(xiàn)了2.5fW/Hz的出色能效。

論文信息

Tianxiang Qu, Tian Dong, Wenhui Qin, Yaohua Pan, Yun Sheng, Zhiliang Hong, Xiaoyang Zeng, Jiawei Xu., “A 2 MHz Bandwidth TMR-Based Contactless Current Sensor With Ping-Pong Auto-Zeroing and SAR-Assisted Offset Calibration”, IEEE Journal of Solid-State Circuits, Oct 2024.

https://ieeexplore.ieee.org/document/10706592

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抗環(huán)境光和偽影干擾的光電傳感前端芯片

非侵入式光學(xué)傳感技術(shù),例如光電容積描記法(PPG)和功能性近紅外光譜(fNIRS),可為用戶(hù)提供極大的舒適度,并可獲取脈搏血氧飽和度、血流速度和血管硬度方面的豐富血流動(dòng)力學(xué)信息。傳統(tǒng)的光學(xué)傳感器朝著更高的動(dòng)態(tài)范圍和更高能效發(fā)展。除了靜態(tài)基線輸入信號(hào),由于運(yùn)動(dòng)偽影或環(huán)境光變化引起的快速光變化干擾也會(huì)導(dǎo)致信號(hào)飽和。本項(xiàng)工作提出了一種高動(dòng)態(tài)范圍、高能效的光-數(shù)字直接轉(zhuǎn)換器(LDC)。采用電流域靜態(tài)縮放(SZ)來(lái)補(bǔ)償基線輸入電流,采用動(dòng)態(tài)縮放(DZ)跟蹤并補(bǔ)償殘余交流輸入電流,并且利用動(dòng)態(tài)切片式放大器降低功耗。LDC采用標(biāo)準(zhǔn)0.18μm CMOS工藝制造,在2kHz帶寬內(nèi)實(shí)現(xiàn)了高達(dá)140dB的動(dòng)態(tài)范圍。交流信號(hào)的信噪比和失真比(SNDR)達(dá)到94.5dB,在1.2V電源下僅需消耗44μW。結(jié)合SZ和DZ技術(shù)的本項(xiàng)設(shè)計(jì)成功地在人體胸部實(shí)現(xiàn)了PPG和SpO2的準(zhǔn)確測(cè)量。

論文信息:

Chang Yao, Zhen Lu, Liheng Liu, Yaohua Pan, Wenhui Qin, Shaoyu Ma, Yun Sheng, Zhiliang Hong, Jiawei Xu., “A 140 dB-DR Light-to-Digital Converter Using Current-Domain Hybrid Zoom for Baseline Cancellation and Interference Compensation”, IEEE Journal of Solid-State Circuits (CICC 2024 Special Issue), Dec 2024.

https://ieeexplore.ieee.org/document/10777019

wKgZO2eTQZCAcfVSAAO9cVrPxGc163.png

人才培養(yǎng)和技術(shù)創(chuàng)新是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的動(dòng)力之源,校企之間匯聚各自?xún)?yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)資源共享,能夠創(chuàng)新教育模式,共同培養(yǎng)出具有實(shí)踐能力和行業(yè)視野的復(fù)合型人才,助推產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。納芯微致力于依托自身技術(shù)優(yōu)勢(shì)和產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn),支持產(chǎn)學(xué)研融合發(fā)展。未來(lái),納芯微將繼續(xù)攜手高校加強(qiáng)合作,助力人才培養(yǎng)與科研建設(shè),為芯片產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展持續(xù)輸送人才與創(chuàng)新成果。

審核編輯 黃宇

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