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長(zhǎng)電科技“封裝結(jié)構(gòu)制作方法和芯片防翹曲裝置”專(zhuān)利獲授權(quán)

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來(lái)源:半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者:半導(dǎo)體芯科技SiS ? 2025-01-24 12:58 ? 次閱讀

天眼查顯示,江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司近日取得一項(xiàng)名為“封裝結(jié)構(gòu)制作方法和芯片防翹曲裝置”的專(zhuān)利,授權(quán)公告號(hào)為CN115101434B,授權(quán)公告日為2024年12月10日,申請(qǐng)日為2022年7月21日。

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本發(fā)明揭示了一種封裝結(jié)構(gòu)制作方法和芯片防翹曲裝置,所述制作方法包括步驟:提供一測(cè)試基板和測(cè)試堆疊芯片組,形成測(cè)試封裝結(jié)構(gòu);將測(cè)試封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行回流焊工藝;測(cè)試回流焊工藝后測(cè)試封裝結(jié)構(gòu)的焊接性能;當(dāng)所述焊接性能失效時(shí),提供一芯片防翹曲裝置和與所述測(cè)試封裝結(jié)構(gòu)相同的產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu),將產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)固定裝載于所述芯片防翹曲裝置內(nèi),再進(jìn)行回流焊工藝。能夠很有效防止抑制下部芯片在回流焊工藝過(guò)程中產(chǎn)生較大程度的翹曲,減小上部芯片和下部芯片之間的焊接失效的風(fēng)險(xiǎn),改善3D封裝焊接質(zhì)量。

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【近期會(huì)議】
2025年2月26日14:00,《化合物半導(dǎo)體》雜志將聯(lián)合常州臻晶半導(dǎo)體有限公司給大家?guī)?lái)“碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)的淘汰賽:挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)之道”的線(xiàn)上主題論壇,共同探索碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)生存之道,推動(dòng)我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展!誠(chéng)邀您報(bào)名參會(huì):https://w.lwc.cn/s/mERNna
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審核編輯 黃宇

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