碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案，對(duì)于測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

一、引言

隨著碳化硅在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，對(duì)其襯底質(zhì)量的檢測(cè)愈發(fā)關(guān)鍵。BOW（翹曲度）和 WARP（彎曲度）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù)，準(zhǔn)確測(cè)量這些參數(shù)對(duì)于保證器件性能至關(guān)重要。而不同的吸附方案會(huì)對(duì)測(cè)量結(jié)果產(chǎn)生不同程度的影響。

二、常見(jiàn)吸附方案概述

在碳化硅襯底測(cè)量中，常見(jiàn)的吸附方案包括真空吸附、靜電吸附等。真空吸附通過(guò)產(chǎn)生負(fù)壓將襯底固定，操作相對(duì)簡(jiǎn)單，但可能存在吸附不均勻的情況。靜電吸附則利用靜電引力固定襯底，吸附力分布較為均勻，但對(duì)環(huán)境要求較高。

三、特氟龍夾具的特點(diǎn)

特氟龍夾具具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和低摩擦系數(shù)。其表面較為光滑，在與碳化硅襯底接觸時(shí)，能減少對(duì)襯底表面的損傷。同時(shí)，特氟龍材料的絕緣性能也有助于避免因靜電等因素對(duì)測(cè)量產(chǎn)生干擾。

四、對(duì)測(cè)量 BOW/WARP 的影響分析

在測(cè)量 BOW 時(shí)，特氟龍夾具由于其穩(wěn)定的接觸特性，能夠更均勻地支撐碳化硅襯底，相比一些真空吸附方案，減少了因局部吸附力不均導(dǎo)致的襯底額外變形，從而能更準(zhǔn)確地反映襯底的真實(shí)翹曲度。在測(cè)量 WARP 方面，特氟龍夾具的低摩擦特性可防止在測(cè)量過(guò)程中因襯底與夾具之間的相對(duì)移動(dòng)而產(chǎn)生測(cè)量誤差。而其他吸附方案，如靜電吸附，雖然吸附力均勻，但可能因環(huán)境濕度等因素改變吸附效果，進(jìn)而影響測(cè)量的準(zhǔn)確性。

五、高通量晶圓測(cè)厚系統(tǒng)

高通量晶圓測(cè)厚系統(tǒng)以光學(xué)相干層析成像原理，可解決晶圓/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，總厚度偏差）、BOW（彎曲度）、WARP（翹曲度），TIR（Total Indicated Reading 總指示讀數(shù)，STIR（Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數(shù)），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等這類(lèi)技術(shù)指標(biāo)。

高通量晶圓測(cè)厚系統(tǒng)，全新采用的第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù)，相比傳統(tǒng)上下雙探頭對(duì)射掃描方式；可一次性測(cè)量所有平面度及厚度參數(shù)。

1，靈活適用更復(fù)雜的材料，從輕摻到重?fù)?P 型硅 (P++)，碳化硅，藍(lán)寶石，玻璃，鈮酸鋰等晶圓材料。

重?fù)叫凸瑁◤?qiáng)吸收晶圓的前后表面探測(cè)）

粗糙的晶圓表面，（點(diǎn)掃描的第三代掃頻激光，相比靠光譜探測(cè)方案，不易受到光譜中相鄰單位的串?dāng)_噪聲影響，因而對(duì)測(cè)量粗糙表面晶圓）

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3)；（通過(guò)對(duì)偏振效應(yīng)的補(bǔ)償，加強(qiáng)對(duì)低反射晶圓表面測(cè)量的信噪比）

絕緣體上硅（SOI)和MEMS，可同時(shí)測(cè)量多 層 結(jié) 構(gòu)，厚 度 可 從μm級(jí)到數(shù)百μm 級(jí)不等。

可用于測(cè)量各類(lèi)薄膜厚度，厚度最薄可低至 4 μm ，精度可達(dá)1nm。

2，可調(diào)諧掃頻激光的“溫漂”處理能力，體現(xiàn)在極端工作環(huán)境中抗干擾能力強(qiáng)，充分提高重復(fù)性測(cè)量能力。

采用第三代高速掃頻可調(diào)諧激光器，一改過(guò)去傳統(tǒng)SLD寬頻低相干光源的干涉模式，解決了由于相干長(zhǎng)度短，而重度依賴(lài)“主動(dòng)式減震平臺(tái)”的情況。卓越的抗干擾，實(shí)現(xiàn)小型化設(shè)計(jì)，同時(shí)也可兼容匹配EFEM系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線自動(dòng)化集成測(cè)量。

3，靈活的運(yùn)動(dòng)控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測(cè)量。