飛虹半導體MOS管FHP230N06V在高頻開關(guān)電源中的應(yīng)用

都說技術(shù)創(chuàng)新是永無止境的，這一方面在力源海納身上呈現(xiàn)尤為顯著，他們首創(chuàng)在高頻逆變部分采用低內(nèi)阻碳化硅MOS管替代傳統(tǒng)IGBT，以大幅降低該部分損耗的大功率碳化硅同步整流電源研發(fā)成功，開關(guān)電源的整體效率提升至96%。

上述案例讓我們更加清楚在電路設(shè)計中是需要不斷結(jié)合市場需求來創(chuàng)新的，飛虹半導體也在不斷創(chuàng)新我們的MOS管，已經(jīng)實現(xiàn)HY3906P、IRFB7537PBF、CS160N06等型號的代換使用，它就是FHP230N06V型號MOS管。

它作為一款N溝道增強型場效應(yīng)管，以其230A、60V的電流、電壓特性，電子工程師不僅可以應(yīng)用于高頻開關(guān)電源中，還可以用于車載高頻逆變器、戶外儲能電源、工頻逆變器、24V蓄電池供電的UPS不間斷電源等應(yīng)用場景。

不僅如此，它采用先進的溝槽技術(shù)，降低了導通損耗，提高了開關(guān)性能，提高了雪崩能量。

該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路，實現(xiàn)系統(tǒng)小型化和高效率。產(chǎn)品外形是TO-220封裝，符合JEDEC標準，在環(huán)保上符合RoHS和REACH標準、無鹵環(huán)保。

因此它不僅能達到傳統(tǒng)HY3906P、IRFB7537PBF、CS160N06等型號MOS管的功能，對比HY3906P、CS160N06擁有更低的導通內(nèi)阻，降低了導通損耗，提高了品質(zhì)因數(shù)FOM(RDSON*Qg)，性能更優(yōu)。

而與IRFB7537PbF相比，則提供了更高性價比的國產(chǎn)化替代產(chǎn)品。

FHP230N06V場效應(yīng)管的詳細參數(shù)為：Vgs（±V）：20；VTH（V）：3；ID（A）：230；BVdss（V）：60。RDS (on) = 2.5mΩ(typ)@V GS =10V、RDS (on) = 3.0mΩ(max)@V GS =10V。

如想進一步了解其詳細參數(shù)，可以與飛虹半導體的技術(shù)同事溝通。我們都是在持續(xù)創(chuàng)新產(chǎn)品來幫助工廠企業(yè)獲得優(yōu)質(zhì)的MOS管，解決電路設(shè)計的疑難雜癥！

230A、60V的MOS管代換使用，對于高頻開關(guān)電源選對型號很重要。飛虹半導體的MOS管不僅廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源中，還可用于戶外儲能電源、逆變器、高頻開關(guān)電源等終端應(yīng)用場景。

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