三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲

據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本，三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，以達(dá)到結(jié)束開發(fā)工作、順利進(jìn)入量產(chǎn)階段的要求。然而，實(shí)際情況并未如愿。

據(jù)悉，盡管三星電子在去年底成功制得了1c nm DRAM的良品晶粒，但整體良率并未達(dá)到預(yù)期水平。因此，三星不得不將良率里程碑時(shí)間推遲至2025年6月，以確保產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性和可靠性。

這一變化可能會(huì)對(duì)三星對(duì)HBM4內(nèi)存的規(guī)劃產(chǎn)生影響。HBM4作為高性能內(nèi)存，對(duì)良率和穩(wěn)定性有著極高的要求。因此，三星在1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)上的推遲，可能會(huì)使得HBM4的量產(chǎn)時(shí)間也相應(yīng)延后。

三星電子一直致力于在內(nèi)存技術(shù)方面保持領(lǐng)先地位，此次推遲無疑對(duì)其市場(chǎng)布局和產(chǎn)品計(jì)劃帶來了一定的挑戰(zhàn)。未來，三星將需要更加努力地提升良率和生產(chǎn)效率，以滿足市場(chǎng)需求并保持競(jìng)爭(zhēng)力。