三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì)，應(yīng)對(duì)良率與性能挑戰(zhàn)
近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí)，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上，全面重新設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM。
這一新版DRAM工藝項(xiàng)目被命名為D1B-P，其重點(diǎn)將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進(jìn)版制程V6P相似，顯示出三星在半導(dǎo)體工藝研發(fā)上的持續(xù)創(chuàng)新與投入。
據(jù)了解，在決定啟動(dòng)D1B-P項(xiàng)目時(shí)，三星現(xiàn)有的12nm級(jí)DRAM工藝良率僅為60%左右，遠(yuǎn)低于業(yè)界普遍認(rèn)為的大規(guī)模量產(chǎn)所需的80%~90%良率水平。這一低良率不僅影響了產(chǎn)品的性能穩(wěn)定性，也增加了生產(chǎn)成本，對(duì)三星的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
因此，三星此次重新設(shè)計(jì)1b nm DRAM的舉措，不僅是對(duì)當(dāng)前困境的積極應(yīng)對(duì)，更是對(duì)未來市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的提前布局。
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發(fā)表于 05-09 18:46
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三星3nm良率 0%！
來源：EETOP，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 近期韓媒DealSite+報(bào)道，表示三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問題，在嘗試生產(chǎn)適用于Galaxy S25 /S25+手機(jī)的Exynos
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