創(chuàng)飛芯90nm BCD工藝OTP IP模塊規(guī)模量產(chǎn)

一站式 NVM 存儲 IP 供應(yīng)商創(chuàng)飛芯（CFX）今日宣布，其反熔絲一次性可編程（OTP）技術(shù)繼 2021年在國內(nèi)第一家代工廠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后，2024 年在國內(nèi)多家代工廠關(guān)于 90nm BCD 工藝上也實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。90nm BCD 工藝將高密度低壓邏輯晶體管與經(jīng)過優(yōu)化的高壓晶體管相結(jié)合，創(chuàng)飛芯 OTP 技術(shù)的加入，使 90nm BCD 工藝成為諸如顯示驅(qū)動器和電源管理集成電路（PMIC）等復(fù)雜混合信號器件的理想平臺。

技術(shù)亮點(diǎn)

基于標(biāo)準(zhǔn) CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)的 OTP

創(chuàng)飛芯的反熔絲技術(shù)采用先進(jìn) CMOS 邏輯工藝的薄柵氧化層作為電介質(zhì)。隨著柵氧化層厚度隨技術(shù)幾何尺寸按比例縮小，編程電壓降低，從而可將所有編程電路集成在同一個(gè) OTP 模塊中。其成果是一種高密度、可靠的 OTP 存儲器技術(shù)，且無需對標(biāo)準(zhǔn) CMOS 工藝進(jìn)行任何改動。

經(jīng)過硅驗(yàn)證的技術(shù)

創(chuàng)飛芯 90nm BCD 工藝 OTP IP 模塊已在國內(nèi)多家代工廠通過標(biāo)準(zhǔn)測試驗(yàn)收，且已在多個(gè)客戶產(chǎn)品上完成可靠性驗(yàn)證并成功量產(chǎn)。如有意向創(chuàng)飛芯 OTP IP 產(chǎn)品的客戶，請直接與創(chuàng)飛芯聯(lián)系。

關(guān)于珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司

珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司，國內(nèi)領(lǐng)先的一站式存儲 NVM IP 供應(yīng)商。珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司作為國內(nèi)自主知識產(chǎn)權(quán)的非易失存儲 IP 龍頭企業(yè)，產(chǎn)品涵蓋 OTP/MTP、eFlash、Nor/Nand、EEPROM等?？偛课挥谥楹Ｊ星迦A科技園，在北京、成都、沈陽設(shè)有研發(fā)機(jī)構(gòu)。公司在電路設(shè)計(jì)、器件優(yōu)化、工藝集成等方面擁有雄厚的技術(shù)研發(fā)實(shí)力，持有多項(xiàng)國內(nèi)外發(fā)明專利。創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)均來自 Micron、Spansion、AMD、Intel 等全球一流半導(dǎo)體公司，擁有成功的創(chuàng)業(yè)經(jīng)驗(yàn)。