PFA過(guò)濾延展網(wǎng)在半導(dǎo)體硅片制備過(guò)程中的作用

半導(dǎo)體微電子技術(shù)已帶領(lǐng)人類走進(jìn)航空、航天、工業(yè)、農(nóng)業(yè)和國(guó)防，也正在悄悄進(jìn)入每一個(gè)家庭。目前已在米粒大的硅片上集成上16萬(wàn)個(gè)晶體管，小小的硅片蘊(yùn)含巨大"魔力"。

硅片是制作晶體管和集成電路的重要材料,通過(guò)對(duì)硅片進(jìn)行光刻、離子注入等手段,可以制成各種半導(dǎo)體器件。用硅片制成的芯片有著驚人的運(yùn)算能力。

隨著集成電路集成程度的提高，對(duì)硅片的尺寸及加工精度要求越來(lái)越高，進(jìn)而對(duì)硅片加工系統(tǒng)的要求也越來(lái)越高，因此必須對(duì)以往的加工設(shè)備加以更新和改進(jìn)才能滿足要求。

其中以太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝流程為例需要高精密和精準(zhǔn)的流程和過(guò)濾，分為硅片檢測(cè)——表面制絨——擴(kuò)散制結(jié)——去磷硅玻璃——等離子刻蝕——鍍減反射膜——絲網(wǎng)印刷——快速燒結(jié)等。

硅片是太陽(yáng)能電池片的載體，硅片質(zhì)量的直接決定了太陽(yáng)能電池片轉(zhuǎn)換效率，因此有必要對(duì)來(lái)料硅片進(jìn)行檢測(cè)。其中在表面制絨過(guò)程，單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬(wàn)個(gè)四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。

制備絨面前，硅片須先進(jìn)行初步表面腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20～25μm，在腐蝕絨面后，進(jìn)行一般的化學(xué)清洗。經(jīng)過(guò)表面準(zhǔn)備的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，應(yīng)盡快擴(kuò)散制結(jié)。

隨之而來(lái)的，電子半導(dǎo)體行業(yè)需過(guò)濾鹽酸、硝酸、雙氧水以及其他一些有超高純、防腐蝕要求的化學(xué)品流體，過(guò)濾材質(zhì)通常為高純PFA材料。

為了提高過(guò)濾器的精度，過(guò)濾產(chǎn)品需滿足更小的孔徑，僅用增加濾材密度的方式反而會(huì)降低流速，這樣過(guò)濾性能就會(huì)受到影響且提高過(guò)濾成本，越來(lái)越多高精密強(qiáng)腐蝕的全氟折疊濾芯應(yīng)用于這些高純流體，強(qiáng)腐蝕環(huán)境的精細(xì)化工過(guò)濾。大連義邦PFA氟聚合物延展網(wǎng)可作為濾膜介質(zhì)支撐，解決濾膜在強(qiáng)力和高壓下的耐受力，延展網(wǎng)孔孔距不會(huì)受壓力變化而變距，在半導(dǎo)體和高純硅片的制備和生產(chǎn)中得到更廣泛的應(yīng)用，如半導(dǎo)體芯片、太陽(yáng)能、液晶面板等行業(yè)，或者一些其他超高純流體要求的行業(yè)，需承受高密度，高壓、高流速的設(shè)計(jì)需求。

半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴(yán)格清洗。微量污染也會(huì)導(dǎo)致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì)，包括有機(jī)物和無(wú)機(jī)物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面，所以半導(dǎo)體微電子硅片制備離不開全氟過(guò)濾PFA材料。