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兩個(gè)不同頻率晶振靠的近會(huì)怎樣

揚(yáng)興科技 ? 2025-01-20 13:55 ? 次閱讀

當(dāng)兩個(gè)不同頻率的晶振靠得很近時(shí),可能會(huì)出現(xiàn)以下幾種情況:
一、電磁干擾方面
1.頻率牽引(pulling)現(xiàn)象: 晶振是一種壓電晶體振蕩器,它在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生一定頻率的振蕩信號(hào)。當(dāng)兩個(gè)晶振靠得很近時(shí),它們之間的電磁場會(huì)相互影響。如果一個(gè)晶振的振蕩強(qiáng)度足夠大,其產(chǎn)生的電磁場可能會(huì)干擾另一個(gè)晶振的振蕩頻率。例如,一個(gè)高頻晶振產(chǎn)生的較強(qiáng)的交變電磁場,會(huì)在另一個(gè)晶振的壓電晶體上感應(yīng)出額外的電荷,從而改變其振蕩頻率。這種現(xiàn)象在一些對(duì)頻率精度要求極高的電路中是非常不利的,比如高精度通信設(shè)備中的頻率源。 - 以一個(gè)簡單的類比來說,就好像兩個(gè)相鄰的音叉,當(dāng)一個(gè)音叉強(qiáng)烈振動(dòng)發(fā)出聲音(相當(dāng)于晶振產(chǎn)生振蕩信號(hào))時(shí),另一個(gè)音叉可能會(huì)因?yàn)榭諝獾恼駝?dòng)而產(chǎn)生微弱的共鳴,從而改變自身的振動(dòng)頻率。

2.噪聲增加:由于兩個(gè)晶振的電磁場相互疊加和干擾,會(huì)在電路中引入額外的電磁噪聲。這種噪聲可能會(huì)影響到與晶振相關(guān)的電路模塊的正常工作。例如,在一個(gè)包含模擬信號(hào)處理電路的系統(tǒng)中,晶振產(chǎn)生的噪聲可能會(huì)耦合到模擬信號(hào)線上,使模擬信號(hào)的質(zhì)量下降,導(dǎo)致信號(hào)失真或者信噪比降低。從頻譜角度來看,這種噪聲會(huì)在一定的頻率范圍內(nèi)出現(xiàn),干擾了原本較為純凈的晶振頻率信號(hào),使頻譜變得雜亂。

3. 信號(hào)串?dāng)_:兩個(gè)晶振的信號(hào)可能會(huì)相互串?dāng)_。一個(gè)晶振的輸出信號(hào)可能會(huì)通過電磁耦合、電容耦合或者電感耦合等方式,進(jìn)入到另一個(gè)晶振相關(guān)的電路路徑中。比如,在印刷電路板(PCB)上,如果布線不合理,兩個(gè)晶振的信號(hào)線距離過近,就會(huì)導(dǎo)致信號(hào)串?dāng)_。這種串?dāng)_可能會(huì)使接收端電路接收到錯(cuò)誤的信號(hào),從而導(dǎo)致系統(tǒng)出現(xiàn)錯(cuò)誤的操作或者錯(cuò)誤的判斷。例如,在一個(gè)數(shù)字電路系統(tǒng)中,串?dāng)_信號(hào)可能會(huì)被誤識(shí)別為有效的時(shí)鐘信號(hào)或者數(shù)據(jù)信號(hào),使系統(tǒng)的邏輯出現(xiàn)混亂。

二、機(jī)械振動(dòng)方面(在某些對(duì)振動(dòng)敏感的場景下)
微振動(dòng)相互影響: 晶振的振蕩本質(zhì)上是一種機(jī)械振動(dòng)(在壓電晶體層面)。當(dāng)兩個(gè)晶振靠得很近時(shí),它們的機(jī)械振動(dòng)可能會(huì)相互影響。一個(gè)晶振的振動(dòng)可能會(huì)通過電路板或者外殼等介質(zhì)傳遞給另一個(gè)晶振,從而改變另一個(gè)晶振的振動(dòng)特性。這種情況在一些對(duì)振動(dòng)較為敏感的高精度測量儀器中尤為重要。例如,在高精度的原子鐘等設(shè)備中,微小的振動(dòng)干擾都可能會(huì)影響晶振的頻率穩(wěn)定性,進(jìn)而影響整個(gè)設(shè)備的計(jì)時(shí)精度。

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