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電容的疑難解讀

fcsde-sh ? 來源:fcsde-sh ? 2025-01-17 10:25 ? 次閱讀

電容的本質(zhì)是一個容器。就好像一個蓄水池,既能存水,又能從中取水;又好像一個儲錢罐子,既能存錢,又能從中取錢。

1 ‘藏’

存儲電荷的容器,稱為電容。

所有傳遞給電阻的能量都以熱量的形式被消耗掉,但是電容不會。

所以,電容是一個儲能元件。

這種特性,我將其描述為一個字:“藏”。

電容的一切應(yīng)用,都源自于“儲藏”。

2 基礎(chǔ)公式與推論

任意兩塊平行金屬板就能構(gòu)成一個簡易電容器。給極板兩側(cè)通上電的瞬間便完成了電荷的“儲藏”過程,使得上極板充滿正電荷,下極板全是負電荷。

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儲藏的電荷來自于電源,極板電容兩端的電壓越大,儲藏的電荷越多。

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“儲藏”電荷需要一定的時間,該過程的電荷移動形成了電流。

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在極短的時間內(nèi),電荷移動產(chǎn)生了多少電流?結(jié)合微積分,便有了電容的核心公式:

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核心公式的直觀理解與推論:

電容越大,儲藏的電荷就越多,因而可以提供更多的電流

推論1:電容可以用做負載的電流小金庫,以備不時之需 推論2:電容可視為一個小型電荷泵,電荷取用自由

電壓變化地越快,得到的電流就越大

推論3:電路上下電瞬間,電壓突變,導(dǎo)致電容兩端的電流突變 推論4:由電路上下電造成的電流尖峰,稱之為浪涌電流

電流的大小取決于電容兩端電壓的變化率,和電容本身大小無關(guān)

解釋:電容一旦制作完成,其容值便基本固定,因此dv/dt起決定作用

進一步推導(dǎo)出電容“儲藏”的能量:

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基于直流電源基礎(chǔ)上的公式推導(dǎo),如上文所述。

如果面對的是交流電,此時的公式是否會產(chǎn)生某些變化?

將正弦交流電壓,帶入核心公式,可得到電流的交流形式:

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運用歐姆定理,便得到電容的容抗表達式:

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從容抗表達式,能看出:

通高頻,通交流

解釋:當(dāng)處于高頻交流電路中時,容抗X十分小,不具有“抵抗”作用,很容易通過

阻低頻,阻直流

解釋1:低頻電路,容抗X特別大,“抵抗”力十足,將低頻信號隔絕在外 解釋2:直流,是頻率為0的交流信號

3 高頻模型

為簡化計算,運用理想平行板電容模型參與簡單計算。

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受到實際生產(chǎn)制造工藝的局限,真實電容帶有許多寄生參數(shù)。這些寄生參數(shù)在高頻中會帶來較大的影響,難以忽略。

如填充在極板間的介質(zhì)很難做到完全絕緣;如存在于引線上的電阻/電感等......

應(yīng)用中,會綜合考慮這些寄生參數(shù),用等效串聯(lián)電阻ESR模擬參數(shù)中的阻性;用等效串聯(lián)電感ESL模擬參數(shù)中的感性。這兩個參數(shù)會帶來一定的損耗,如漏電流等。

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從高頻阻抗公式,能看出:

電容介質(zhì)損耗

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引入3種功率,儲存功率(無功功率Q),消耗功率(有功功率P),視在功率S,三種功率組成功率三角形,如上圖所示。引出電容介質(zhì)損耗:

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諧振頻率點

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從公式可以看到:

1諧振點處,電容呈現(xiàn)純阻性 2影響諧振頻率的參數(shù),主要是ESL和容值 3顯然容值越大,諧振頻率越小(和容值相比,ESL的數(shù)值幾乎可以忽略)

不同容值的阻抗頻率曲線如圖所示:

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4 兩組六大參數(shù)

仿照電阻參數(shù),本文將電容參數(shù)劃分成2組,細分為6小個。分別是:

物有形---封裝、容值

物有實---材料、溫漂、精度、耐壓

容值刻度、以及耐壓等參數(shù)通常會標(biāo)注在插針式電容表面;而對于貼片式電容,由于表面積不足,因而只能看到簡單的幾何外形。

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參數(shù)1:封裝

常見貼片式和插針式兩種。貼片式的器件需要使用回流焊,插針式使用波峰焊進行焊接。對于貼片式的封裝,又根據(jù)大小分為0805、0603等。

回流焊:使用高溫?zé)犸L(fēng)使涂在焊盤表面的錫膏融化,進而形成焊點 波峰焊:一種手焊的機械自動化形式,用熔融態(tài)的錫去觸碰針腳

參數(shù)2:容值

容值的單位記憶小口訣,皮納微法。每個字之間相差1000倍。

參數(shù)3:溫漂

同電阻一樣,這是一個材料精度。容值隨溫度的變化率,單位ppm/℃。

參數(shù)4:精度

純正反映制造水平的參數(shù),水平高,精度高。

參數(shù)5:耐壓

標(biāo)稱最大工作電壓,和電容的尺寸、材料均有關(guān)。

參數(shù)6:材料

以貼片式陶瓷電容為例,俗稱MLCC。按材料特性可將其分為兩類,第一類電容和第二類電容。

第一類電容:代表C0G,適用于高頻電路的濾波、耦合等,容值穩(wěn)定可靠。

第二類電容:代表X7R,穩(wěn)定性較差,DC偏壓特性差【電容量隨直流電壓的瞪大而減小】,此類電容命名以溫度-精度著稱,常見的幾大類如下表所示:

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5 RC積分電路

RC電路是阻容系統(tǒng)中的最簡形式。這個電路有兩個變種,一種電容接地,一種電阻接地。山河主講電容接地的變種,即RC積分電路。

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前面咱說,電容是一個水池。

那么無論是從中取水,或者將水池裝滿,都需要一定的時間。

時間常數(shù)80158de6-d3fe-11ef-9310-92fbcf53809c.png具有如下定義,單位:秒,反映充放電的快慢

802d8cca-d3fe-11ef-9310-92fbcf53809c.png

階段1:充電

充電過程電壓表達式,其圖像恰如上圖中綠色部分。

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從電壓表達式,能了解到如下信息

1.充電開始的瞬間,電容兩端電壓為0,等價為導(dǎo)線,必然產(chǎn)生電流 2.充滿電的時間大概是5τ,此時大概充到99.3%的程度 3.充電完成時,電容兩端的電壓約等于電源,視為電容開路 4.電壓的主要變化過程,體現(xiàn)在第一個τ內(nèi) 5.電容兩端的電壓是緩慢增加的

上述就是“電容兩端的電壓不能突變”的原因。

其實從公式Q=CU同樣能推導(dǎo)出“電容兩端的電壓不能突變”,因為電荷的累積不可能一蹴而就。

充電過程的電流表達式,其圖像如下圖橙色曲線所示

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從電流表達式,能了解到:

1.充電開始的瞬間,電容兩端存在電流,即電壓為0,電流不為0 2.初始電流尖峰,隨充電時間增加而減小

提個問題,上圖中標(biāo)記X處,為什么沒有重合?即電流電壓曲線起始點為何沒有重合?

因為,起始點處電容形同一根導(dǎo)線,因此導(dǎo)線中會有電路的電流。

一旦充電開始,電容上會產(chǎn)生一個電流尖峰,稱之為“浪涌電流”。

除了“浪涌電流”外,還能看出一個概念,DC偏壓特性。顯然充電過程中,電壓不斷增加,電流不斷減小。

電流的減小,說明電容的容抗在增加。

電壓在增加,根據(jù)C=Q/U知,容值在動態(tài)減小,因此容抗在增加。

即,DC偏壓特性是電容特有屬性,但是X7R材質(zhì)的電容相較于C0G的要差許多,也因此會有更陡峭的浪涌電流

階段2:放電

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放電過程就是充電的逆過程,電壓仍然沒有突變,浪涌電流仍然存在

怎樣統(tǒng)一充放電過程?

其實很簡單,之前我們一直假想的是從“0”開始充電,而這在實際應(yīng)用中,幾乎是不可能的。因此,就有了如下統(tǒng)一公式:

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U0:初始電壓,如果為0,就成了理想充電過程 U1:終點電壓,如果為0,就成了理想放電過程

6 時間常數(shù)

再來看看不同時間常數(shù),對充放電電壓/電流的影響。

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時間常數(shù)越小,充滿電的時間越短,電壓/電流的上升沿越陡峭,這將會帶來兩個影響,其一,引入較大的浪涌電流;其二,造成比較惡劣的EMC結(jié)果。

時間常數(shù)過大,曲線上升緩慢,甚至在電壓脈沖周期結(jié)束時,充電尚未完成就立馬轉(zhuǎn)入放電周期。這種現(xiàn)象會給后級電路帶來紋波電壓。

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另一方面,時間常數(shù)過大或者過小,都會導(dǎo)致后級ADC采樣失準(zhǔn)。即原本需要對1.2V采樣,但因為時間常數(shù)的緣由,采集到的真實電壓大于/小于1.2V,進而造成ADC采樣轉(zhuǎn)化上面的數(shù)值偏差。

前文都是在假設(shè)電源頻率不變的基礎(chǔ)下,增大/減小時間常數(shù),進而導(dǎo)致充放電曲線的緩/抖。

換一個角度,時間常數(shù)固定不變,改變電源的頻率,會發(fā)生什么?

以實際應(yīng)用中比較常見的場景,PWM信號的濾波電容,它的充放電波形是什么樣的?

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即如下兩個操作對充放電曲線而言是幾乎等價的:

CASE1:PWM頻率不變,增大時間常數(shù) CASE2:時間常數(shù)不變,增大PWM頻率

能看到一個顯著趨勢:頻率越快,電容輸出電壓的幅值越小。

但是,一旦頻率增加到截止頻率時,輸出電壓將不會再有變化。

這便是為什么RC積分電路,又被稱作“低通濾波器”。低通,藏掉高頻。

7 容值計算

在大多數(shù)直流系統(tǒng)中,電源端進來的第二個單元就是濾波,那么這個電容的容值該如何設(shè)計呢?利用電荷量守恒建立方程,即:

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假設(shè)12V,30A,±1%紋波精度,紋波頻率400kHz的直流系統(tǒng),則其紋波電壓為:

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紋波頻率決定了電容的有效充放電時間,因此在占空比50%的電源系統(tǒng)中,電容的充電時間為:

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從而計算出電容的容值為:

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進一步考慮電容不同的選值系列,并考慮一定的冗余,確定最終的電容值。

電容容值選擇偏大/偏小帶來哪些影響?

選大了,容器大了,能藏的東西更多了,呈現(xiàn)出來就是紋波更小,但是電容的價格也會隨之上漲。 選小了,容器小了,藏不住東西,一藏就滿,一掏就空,呈現(xiàn)出來就是曲線的斜率大,容抗也大,由于ESR的存在,導(dǎo)致紋波電壓大,更是會產(chǎn)生熱量,導(dǎo)致電容壽命下降。

選不到自己想要的容值怎么辦?

跟電阻一樣,將電容串并聯(lián)以獲取自己需要的容值。

8電容的應(yīng)用

回到開頭,電容善藏。

電容最重要的應(yīng)用,就是濾波、儲能。前者藏?zé)o用,后者藏有用。

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原文標(biāo)題:工作多年,對電容仍然一知半解

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