0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

意法半導(dǎo)體推出全新40V MOSFET晶體管

意法半導(dǎo)體中國 ? 來源:意法半導(dǎo)體中國 ? 2025-01-16 13:28 ? 次閱讀

???????? 抗噪能力和設(shè)計(jì)靈活性都得到改進(jìn),適合工業(yè)和車用電源、轉(zhuǎn)換器電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置

意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管,新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢和出色的抗噪能力,適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場景。

工業(yè)級(jí)晶體管STL300N4F8和車規(guī)晶體管STL305N4F8AG的額定漏極電流高于300A,最大導(dǎo)通電阻RDS(on)為1mΩ,可在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色的能效。動(dòng)態(tài)性能得到了改進(jìn),65nC(典型值)的總柵極電荷和低電容(Ciss、Crss)確保在高開關(guān)頻率下電能損耗降至最低。MOSFET體二極管的低正向電壓和快速反向恢復(fù)特性有助于提高系統(tǒng)的能效和可靠性。

有了新系列器件,設(shè)計(jì)人員可以利用意法半導(dǎo)體最新的STripFET F8技術(shù)為無線電動(dòng)工具、工業(yè)生產(chǎn)工具等設(shè)備設(shè)計(jì)電源、電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置。MOSFET的能效可延長電池續(xù)航時(shí)間,降低耗散功率,準(zhǔn)許應(yīng)用系統(tǒng)在采用簡單的熱管理設(shè)計(jì)情況下持續(xù)輸出高功率,從而節(jié)省電路板空間,降低物料成本。車規(guī)器件的目標(biāo)應(yīng)用是整車電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和DC/DC轉(zhuǎn)換器,包括車身電子設(shè)備、底盤和動(dòng)力總成。具體應(yīng)用場景包括車窗升降器、座椅定位器、天窗開啟器、風(fēng)扇和鼓風(fēng)機(jī)、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、主動(dòng)懸架和減排控制系統(tǒng)。

意法半導(dǎo)體的STripFET F8技術(shù)確保器件具有很高的穩(wěn)健性和更大的安全工作區(qū)(SOA),能夠處理大功率,耐受大功率造成的漏源電壓(VDS)大幅下降。此外,175°C的最高工作結(jié)溫讓MOSFET適用于極端惡劣的工作環(huán)境。

此外,該技術(shù)可以縮減裸片尺寸,降低導(dǎo)通電阻RDS(on),提高價(jià)格競爭力,采用尺寸緊湊的封裝。這兩款器件都采用節(jié)省空間的PowerFLAT 5x6封裝,同時(shí)還提供汽車工業(yè)要求的可潤濕側(cè)翼封裝。

STL300N4F8現(xiàn)已上市。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    7211

    瀏覽量

    213786
  • 意法半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3150

    瀏覽量

    108788
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    77

    文章

    9723

    瀏覽量

    138600

原文標(biāo)題:ST推出采用強(qiáng)化版STripFET F8技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)閾壓40V MOSFET

文章出處:【微信號(hào):STMChina,微信公眾號(hào):意法半導(dǎo)體中國】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    半導(dǎo)體發(fā)布250W MasterGaN參考設(shè)計(jì)

    參考設(shè)計(jì),旨在加速緊湊、高效工業(yè)電源的實(shí)現(xiàn)。 MasterGaN-SiP是半導(dǎo)體的創(chuàng)新之作,它將GaN功率晶體管與經(jīng)過優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器完美整合于一個(gè)封裝內(nèi)。這一設(shè)計(jì)不僅顯著提升了電
    的頭像 發(fā)表于 12-25 14:19 ?267次閱讀

    半導(dǎo)體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管

    半導(dǎo)體近期推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 12-11 14:27 ?199次閱讀

    半導(dǎo)體與華虹半導(dǎo)體合作生產(chǎn)40nm MCU

    近日,有消息傳出,全球知名半導(dǎo)體公司半導(dǎo)體(ST)已與中國晶圓代工廠華虹半導(dǎo)體達(dá)成一項(xiàng)新合作,計(jì)劃在中國共同生產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 11-22 13:51 ?338次閱讀

    第六屆半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2024

    ▌2024ST工業(yè)峰會(huì)簡介 第六屆半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2024 即將啟程!在為期一整天的活動(dòng)中,您將探索
    發(fā)表于 10-16 17:18

    半導(dǎo)體發(fā)布第四代SiC MOSFET技術(shù)

    半導(dǎo)體(簡稱ST)近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù),標(biāo)志著公司在高效能
    的頭像 發(fā)表于 10-10 18:27 ?749次閱讀

    NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別

    NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET)類型,它們在多個(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:10 ?4373次閱讀

    CMOS晶體管MOSFET晶體管的區(qū)別

    CMOS晶體管MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色,但它們在結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對兩者區(qū)別的詳細(xì)闡述。
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:09 ?1983次閱讀

    半導(dǎo)體推出新型40V工業(yè)級(jí)與汽車級(jí)線性穩(wěn)壓器

    半導(dǎo)體近日推出了兩款全新的線性穩(wěn)壓器——LDH40和LDQ
    的頭像 發(fā)表于 05-11 10:31 ?526次閱讀

    半導(dǎo)體推出一款ST4E1240 RS-485收發(fā)器芯片

    半導(dǎo)體推出了ST4E1240 RS-485 收發(fā)器芯片。新產(chǎn)品具有40Mbit/s的傳輸速度和PROFIBUS兼容輸出,以及瞬變和熱插拔
    的頭像 發(fā)表于 04-24 11:11 ?708次閱讀

    半導(dǎo)體推出新型功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

    半導(dǎo)體(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性,還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性
    的頭像 發(fā)表于 03-12 10:54 ?843次閱讀

    半導(dǎo)體推出SRK1004同步整流控制器

    半導(dǎo)體近日發(fā)布了其全新同步整流控制器SRK1004,該控制器專為簡化采用硅基或氮化鎵(GaN)晶體管的功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)流程而設(shè)計(jì),同時(shí)顯
    的頭像 發(fā)表于 03-12 10:53 ?779次閱讀

    半導(dǎo)體推出一款靈活多變的同步整流控制器SRK1004

    半導(dǎo)體 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難度,提高轉(zhuǎn)換能效,目標(biāo)應(yīng)用包括工業(yè)電源、便攜式設(shè)備充電器和 AC/DC適配器。
    的頭像 發(fā)表于 03-07 16:26 ?551次閱讀

    半導(dǎo)體推出功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

    半導(dǎo)體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
    的頭像 發(fā)表于 02-27 09:05 ?1078次閱讀
    <b class='flag-5'>意</b><b class='flag-5'>法</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>推出</b>功率<b class='flag-5'>MOSFET</b>和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

    Si晶體管的類別介紹

    不同的標(biāo)準(zhǔn),硅晶體管可以被分為多種類型。 小信號(hào)晶體管:主要用于信號(hào)放大,處理的電壓和電流較低。 功率晶體管:設(shè)計(jì)用來處理較高的電流和/或電壓,常用于電源供應(yīng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。 金屬氧化物半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 02-23 14:13 ?742次閱讀
    Si<b class='flag-5'>晶體管</b>的類別介紹

    半導(dǎo)體與致瞻科技就SiC達(dá)成合作!

    今日(1月18日),半導(dǎo)體在官微宣布,公司與聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國高科技公司致瞻科技合作,為致瞻科技電動(dòng)汽車車載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供
    的頭像 發(fā)表于 01-19 09:48 ?916次閱讀
    <b class='flag-5'>意</b><b class='flag-5'>法</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>與致瞻科技就SiC達(dá)成合作!