基本半導(dǎo)體正激DCDC開(kāi)關(guān)電源芯片BTP1521x簡(jiǎn)介

驅(qū)動(dòng)隔離電源專(zhuān)用的正激DCDC芯片BTP1521x

基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的BTP1521x是一款正激DCDC開(kāi)關(guān)電源芯片，集成上電軟啟動(dòng)功能及過(guò)溫保護(hù)功能，輸出功率可達(dá)6W。該電源芯片工作頻率通過(guò)OSC腳設(shè)定，最高工作頻率可達(dá)1.3MHz，適用于給隔離驅(qū)動(dòng)芯片副邊電源供電。芯片有SOP-8封裝、DFN3*3-8封裝兩種封裝形式。

功能框圖

產(chǎn)品特點(diǎn)

輸出功率可達(dá)6W

軟啟動(dòng)時(shí)間1.5ms

工作頻率可編程，最高工作頻率可達(dá)1.3MHz

VCC供電電壓可達(dá)20V

VCC欠壓保護(hù)點(diǎn)4.7V

工作環(huán)境溫度-40~125℃

芯片過(guò)溫保護(hù)點(diǎn)160℃，過(guò)溫恢復(fù)點(diǎn)120℃

推薦電路

BTP1521x推薦電路（功率小于6W情況下）

DC1和DC2接變壓器原邊線(xiàn)圈，副邊二極管橋式整流，組成開(kāi)環(huán)的全橋拓?fù)洌℉橋逆變），輸出功率可達(dá)6W, 輸出經(jīng)過(guò)電阻和穩(wěn)壓管分壓后構(gòu)成正負(fù)壓，供SiC MOSFET使用，非常適用于給隔離驅(qū)動(dòng)芯片副邊電源供電。

BTP1521x推薦電路（功率大于6W情況下）

當(dāng)副邊需求功率大于6W時(shí)， 可以使用推挽逆變拓?fù)?，通過(guò)DC1和DC2 端控制外接的MOSFET來(lái)增加輸出功率。

應(yīng)用領(lǐng)域

充電樁模塊

焊機(jī)電源

伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)

光伏逆變器

儲(chǔ)能PCS

典型應(yīng)用

針對(duì)碳化硅MOSFET的隔離驅(qū)動(dòng)電源應(yīng)用

(BTP1521x搭配電源變壓器TR-P15DS23-EE13)

針對(duì)+18/-4V碳化硅MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)電源

副邊兩路輸出，單路輸出功率可達(dá)2W，總輸出功率4W

輸入電壓15V，副邊全橋整流輸出全電壓（VISO-COM=23.3V）

輸出全電壓通過(guò)4.7V的穩(wěn)壓管，將全電壓拆分成正電壓（VISO-VS=18.6V）、負(fù)電壓（COM-VS=-4.7V）

BTP1521的OSC管腳通過(guò)電阻R5=43kΩ接地，設(shè)置工作頻率為f=469kHz

建議在PCB布局時(shí)，將底部散熱焊盤(pán)連接到芯片GND（針對(duì)DFN3*3-8封裝）

雙通道電源變壓器TR-P15DS23-EE13介紹

TR-P15DS23-EE13是驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)用的隔離電源變壓器，采用EE13骨架，可實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)器隔離供電，傳輸功率可達(dá)4W （每通道2W）

如上原理框圖中，N1原邊線(xiàn)圈，N2和N3是副邊線(xiàn)圈

采用EE13磁芯，磁芯材質(zhì)鐵氧體

參考設(shè)計(jì)

碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)板參考設(shè)計(jì)一

（針對(duì)34mm碳化硅MOSFET模塊）

即插即用驅(qū)動(dòng)板型號(hào)為BSRD-2427-ES01

2通道輸出，單通道輸出功率2W

驅(qū)動(dòng)芯片直接輸出峰值拉灌電流10A，無(wú)須外置推動(dòng)級(jí)

可支持1200V的功率器件(34mm碳化硅MOSFET模塊)

碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)板參考設(shè)計(jì)二

（針對(duì)Easy系列碳化硅MOSFET模塊）

即插即用驅(qū)動(dòng)板型號(hào)為BSRD-2423-ES01

兩組輸入電壓，分別是24V和5V

2通道輸出，單通道輸出功率2W

驅(qū)動(dòng)芯片直接輸出峰值拉灌電流10A，無(wú)須外置推動(dòng)級(jí)

可支持驅(qū)動(dòng)1200V的功率器件(SiC MOSFET)

產(chǎn)品列表

關(guān)于基本半導(dǎo)體

深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司是中國(guó)第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)，專(zhuān)業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司總部位于深圳，在北京、上海、無(wú)錫、香港以及日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心和制造基地。公司擁有一支國(guó)際化的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，核心團(tuán)隊(duì)由來(lái)自清華大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院、英國(guó)劍橋大學(xué)、德國(guó)亞琛工業(yè)大學(xué)、瑞士聯(lián)邦理工學(xué)院等國(guó)內(nèi)外知名高校及研究機(jī)構(gòu)的博士組成。

基本半導(dǎo)體掌握碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)兩百余項(xiàng)，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車(chē)級(jí)及工業(yè)級(jí)碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動(dòng)芯片等，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，服務(wù)于電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)光儲(chǔ)能、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的全球數(shù)百家客戶(hù)。

基本半導(dǎo)體是國(guó)家級(jí)專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)，承擔(dān)了國(guó)家工信部、科技部及廣東省、深圳市的數(shù)十項(xiàng)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，與深圳清華大學(xué)研究院共建第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心，是國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心股東單位之一，獲批中國(guó)科協(xié)產(chǎn)學(xué)研融合技術(shù)創(chuàng)新服務(wù)體系第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新中心、廣東省第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心。