佳恩半導(dǎo)體IGBT項目科技成果達到國際先進水平

日前，中科知慧(北京)科技成果評價有限公司組織專家，對青島佳恩半導(dǎo)體有限公司完成的“IGBT1200V40A 芯片的研究與應(yīng)用”項目科技成果進行了評審。專家組審閱了相關(guān)資料評價認為，該成果技術(shù)在該領(lǐng)域達到國際先進水平。

該項目突破了1.6μm槽柵微場截止技術(shù)、110μm超薄芯片技術(shù)等難點，優(yōu)化了IGBT正面MOS結(jié)構(gòu)，并采用無機非金屬材料作為IGBT背面電極，顯著提升了芯片的耐壓能力、電流承載能力和開關(guān)速度，同時降低了導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。

技術(shù)亮點

1、簡化了IGBT制造工藝，采用低阻N+(100)硅拋光片作為村底，通過6層光刻板技術(shù)省去了源區(qū)光刻工藝，有效降低了制造成本。

2、對IGBT正面深溝槽刻蝕及溝槽櫥氧化工藝進行了優(yōu)化改進，改善了溝懵硅形貌問題，提高了產(chǎn)品可靠性及良品率，并通過縮小了元胞尺寸，提升了電流密度。

3、IGBT背面使用鎳酸鑭透明氧化物制作導(dǎo)電緩沖層，通過高溫燕發(fā)工藝提升了加工效率和良品率，降低了電流擴散層厚度和生產(chǎn)成本。

該項目擁有多項自主知識產(chǎn)權(quán)，產(chǎn)生了良好的經(jīng)濟效益和社會效益具有廣闊的推廣應(yīng)用前景。這是團隊共同努力的結(jié)晶，也是我們在半導(dǎo)體領(lǐng)域不斷追求卓越的又一里程碑。讓我們繼續(xù)攜手并進，開創(chuàng)更加輝煌的未來！